Лабы и курсовая / ПОПРАВКИ К ПОСОБИЮ ПО КП

ДОПОЛНЕНИЯ К ПОСОБИЮ ПО КУРСОВОМУ ПРОЕКТИРОВАНИЮ

ПО КУРСУ « СХЕМОТЕХНИКА ЦИС»

1. Расчет времени задержки в инверторе на КМДП- транзисторах можно выполнять по формулам, представленным на стр.32, либо по формуле (3) со стр.45 в таком же виде:

Использование этого выражения дает заниженное значение времени

задержки по сравнению с величиной, получаемой по более

корректному выражению со стр.32, примерно на 10 – 15%.

2. РАСЧЕТ РАЗМЕРОВ ТРАНЗИСТОРОВ В ЭЛЕМЕНТЕ 2И – НЕ НА КМДП- ТРАНЗИСТОРАХ.

В результате расчета величины крутизны по заданному времени задержки (частоты) при помощи формулы (3) на стр.45, мы получаем величину крутизны К_РЭКВ эквивалентного р- канального транзистора для одновходового КМДП- инвертора, в который преобразуется 2И - НЕ элемент.

Для получения более симметричных статических и динамических характеристик необходимо спроектировать схему с равными крутизнами эквивалентных транзисторов обоих типов:

К_{n ЭКВ} = К_{р ЭКВ} = К.

Для двух параллельно включенных р- канальных транзисторов c крутизной k_p и приведенной крутизной k_0p

Длина канала транзистора L_p = 2, величина приведенной крутизны транзистора К_0р определена технологическими параметрами, значит, легко рассчитать величину ширины канала одного транзистора W_p.

Для двух последовательно включенных n- канальных транзисторов

Длина канала n- канального транзистора L_n = 2 = L_p.

Из полученных выше выражений получим очевидное соотношение:

Таким образом, в схеме 2И - НЕ на КМДП транзисторах

L_n = L_p = 2, W_n = (2-2,5)W_p.

Рекомендуется для любого типа транзистора делать величину

W/L  3-5 для улучшения переключающих свойств транзисторов.