Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лабораторные / (№2-01)

.pdf
Скачиваний:
28
Добавлен:
20.04.2015
Размер:
505.6 Кб
Скачать

1

Лабораторная работа № 2-01

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ

Е.Ф.Назаревская

Цель работы

Определение электрической постоянной и диэлектрической проницаемости различных диэлектриков.

Теоретическое введение

Электростатические процессы в вакууме (воздухе) описываются следующими уравнениями:

(1)

(2)

Уравнение (1) выражает теорему Гаусса.

Интеграл в левой части формулы (1) есть поток вектора напряженности электростатического поля через замкнутую поверхность S, Q-свободный заряд,

охватываемый поверхностью S,

электрическая постоянная, в СИ .

Интеграл в левой части формулы (2) представляет собой циркуляция вектора по замкнутому контуру Г.

Разность потенциалов , приложенная между пластинами 1,2 конденсатора с воздушным заполнением, создает электрическое поле внутри конденсатора напряженностью , определяемое уравнением (рис. 2):

(3)

В диэлектрике процессы усложняются. Диэлектрик состоит из атомов и молекул;

положительный заряд сосредоточен в ядрах атомов, а отрицательный в электронных

2

оболочках атомов и молекул. Любой бесконечно малый физический объем является электрически нейтральным.

При внесении диэлектрика во внешнее электрическое поле положительные заряды стремятся сдвинуться в направлении напряженности поля, а отрицательные в

противоположном. Молекула диэлектрика приобретает дипольный момент . Этот процесс называется поляризацией, степень поляризации диэлектрика определяется вектором поляризации , который оценивается величиной суммарного дипольного момента, приходящегося на единицу объема:

P =

1

×p

(4)

DV

 

V

 

где - рассматриваемый элемент объема диэлектрика, p - сумма дипольных

V

моментов в объеме .

Диэлектрики разделяются на неполярные и полярные. Если в отсутствии внешнего электрического поля положительные и отрицательные заряды обладают такой симметрией, при которой центры тяжести положительных и отрицательных зарядов совпадают, т.е. дипольный момент отсутствует, такие диэлектрики называются неполярными ( и др)

Диэлектрики, в которых молекулы и атомы, обладающие электрическим дипольным моментом в отсутствие внешнего поля, называются полярными ( и др).

Постоянные дипольные моменты этих молекул ориентированы хаотически, и их сумма в объеме равна нулю, т.е. полярный диэлектрик в отсутствие поля также неполяризован.

Во внешнем электрическом поле происходит поляризация диэлектриков. Неполярные молекулы приобретают индуцированный дипольный момент, определяемый смещением положительного заряда по полю, а отрицательного в противоположную сторону. Такой механизм поляризации называют индуцированной электронной поляризацией. В

полярных молекулах дипольный момент появляется благодаря тому, что постоянные дипольные моменты отдельных молекул во внешнем электрическом поле испытывают действие моментов сил, стремящихся ориентировать их в направлении поля. В результате физические объемы диэлектрика приобретают дипольный момент, т.е. поляризуются.

3

Поляризация этого вида называется ориентационной. По величине ориентационная поляризация значительно больше поляризации электрического смещения.

В ионных кристаллах под влиянием электрического поля положительные ионы смещаются в направлении напряженности поля, а отрицательные в противоположном.

Происходит некоторая деформация кристаллической решетки и относительное

Рис 1. Связанные заряды в

электрическом поле плоского

конденсатора

смещение подрешеток, такая поляризация называется ионной решеточной поляризацией.

В реальных диэлектриках могут иметь место одновременно несколько типов поляризации.

Механизм поляризации проявляется при изучении зависимости вектора поляризации от напряженности внешнего электрического поля .

Вышеописанные виды поляризации носят общее название индуцированной поляризации, которая линейно зависит от напряженности электрического поля и исчезает с исчезновением поля.

Если внести однородный изотропный диэлектрик между обкладками конденсатора,

полностью заполнив объем, а затем создать электрическое поле в конденсаторе, то возникающие электрические диполи, располагаясь вдоль поля, нейтрализуют друг друга.

Объемный заряд не возникает. Однако, на границе диэлектрика компенсации зарядов не происходит, поэтому на поверхности противоположных сторон появятся заряды,

одинаковые по величине, но разные по знаку.

Этот постоянный заряд называется связанным. Связанные заряды создают внутри диэлектрика электрическое поле , направленное против внешнего поля E0 (рис 1).

Ослабление электрического поля в диэлектрике характеризуется безразмерной величиной,

называемой диэлектрической проницаемостью . Результирующая напряженность электрического поля в диэлектрике равна:

E =

E0

,

(5)

ε

где - напряженность электрического поля, созданная свободными (сторонними)

зарядами Q на обкладках конденсатора.

4

Напряженность поля индуцированных связанных зарядов:

E'= E0 E = E0

E0

=

ε − 1 E0

(6)

ε

 

 

 

ε

 

Связанные заряды , в соответствие с теоремой Гаусса, создают напряженность ,

равную по величине:

, E'=

Q'

=

Q'd

=

p

 

(7)

Sε 0

 

Vε

 

 

 

Vε 0

0

 

где Р- общий дипольный момент связанных зарядов на поверхности диэлектрика объемом

V, d- расстояние между обкладками конденсатора.

Для неоднородного диэлектрика напряженность поля связанных зарядов:

E'=

1

 

d p

=

1

 

P,

(8)

ε 0

 

ε

 

 

 

dV

0

 

 

где дипольный момент единицы объема (вектор поляризации диэлектрика).

В линейных изотропных диэлектриках пропорционален внешнему полю в диэлектрике :

 

,

(9)

 

гдедиэлектрическая восприимчивость, величина безразмерная, зависит от материала диэлектрика. Электрическим смещением (электрической индукцией) называется величина, определяемая выражением:

,

(10)

,

(11)

где (1+)= диэлектрическая проницаемость вещества,

показывающая, во сколько раз напряженность поля в вакууме больше, чем напряженность поля в диэлектрике.

Следует помнить, что индукция создается свободными зарядами, а напряженность поля в диэлектрике создается свободными и связанными зарядами.

5

Теорема Гаусса для индукции будет иметь вид:

.

(12)

В плоском конденсаторе при малом расстоянии d между пластинами и относительно большой площадью пластин S электрическое поле можно считать однородным, силовые линии напряженности перпендикулярны пластинам конденсатора

(рис 2).

Из выражения (1) для воздушного заполнения

конденсатора получим:

ческое поле

аторе.

(13)

Выражение (3) преобразуется в:

(14)

где - разность потенциалов между обкладками конденсатора.

Из (13) и (14) заряд на обкладках конденсатора с воздушным заполнением:

.

(15)

Аналогично, применяя выражение (3) и (12) для конденсатора с диэлектрическим

заполнением, имеем:

,

(16)

где заряд на обкладках конденсатора с диэлектрическим заполнением.

Коэффициент пропорциональности между зарядом и разностью потенциалов называется емкостью конденсатора. Емкость зависит от формы, размеров,

диэлектрической проницаемости среды заполнения, но не зависит от заряда обкладок и приложенной разности потенциалов.

6

Емкость плоского конденсатора без диэлектрика равна

, а с диэлектриком

Заряд на пластинах конденсатора с диэлектриком в

раз больше, чем без диэлектрика

при одном и том же напряжении между пластинами

:

 

.

 

(17)

Если в конденсатор с воздушным заполнением, заряженный до разности потенциалов и отключенный от источника напряжения, ввести диэлектрик с диэлектрической

проницаемостью ε , то разность потенциала U =

U Вакуум

, а заряд остается неизменным.

ε

С

 

 

 

Описание экспериментальной установки

Наиболее распространенные экспериментальные методы определения диэлектрической проницаемости основаны на измерениях заряда на обкладках конденсатора, т.к. заряд пропорционален ε .

Пусть между обкладками конденсатора С находится воздух. Будем считать, что в исследуемом конденсаторе С можно пренебречь краевыми эффектами (то есть рассматриваем однородное поле). Тогда, согласно (15):

.

Если определить Q, S, d, , то из (15) можно рассчитать электрическую постоянную

. Заполним пространство между пластинами конденсатора диэлектриком с проницаемостью ε . Согласно (16), соотношение примет вид:

.

Таким образом, при том же напряжении заряд на обкладках конденсатора при наличии диэлектрика возрастает в ε раз. В результате получим соотношение (17):

QД = ε .

Q

7

Общий вид установки представлен на рис.3, а эквивалентная электрическая схема на

рис.4.

2

 

1

4

3

5

Рисунок 3. Общий вид установки.

Рисунок 4. Эквивалентная электрическая схема.

Одна пластинка конденсатора (с повышенной изоляцией) С (1) подсоединена

через защитный резистор R=10 Мом к верхнему положительному выходу

8

высоковольтного источника питания (0 - 10кВ). Высоковольтный источник питания (2)

и другая пластина конденсатора С заземляется через эталонный конденсатор = 220

нФ (3). На универсальном измерительном усилителе (4) устанавливается высокое выходное сопротивление, коэффициент усиления – «1» и постоянная времени – «0».

Вольтметр (0,3-300 В) (5) измеряет напряжение U на эталонном конденсаторе .

Установка начального напряжения на вольтметре V осуществляется нажатием кнопки на панели усилителя.

Расстояние между пластинами конденсатора С регулируется с помощью устройства, укрепленного на подставке конденсатора и снабженного линейной шкалой с нониусом.

Конденсаторы С и соединены последовательно, поэтому заряды на них равны. Если измерить напряжение U на и С с помощью вольтметра V, то заряд на будет Q=, а на конденсаторе С заряд будет таким же, т.е. , где

(без диэлектрика), либо (с диэлектриком).

Технические данные приборов заносятся в таблицу 1.

Табл.1. Технические данные приборов.

 

Название

Пределы

Число

Цена

Класс

Абсолютная

№№ п/п

приборная

прибора

измерений

делений

деления

точности

 

погрешность

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

...

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9

Порядок выполнения работы

Лабораторную работу следует проводить, строго соблюдая правила техники безопасности и охраны труда, находящиеся на рабочем месте студента в лаборатории.

.

1.Подайте напряжение на установку. Установите на высоковольтном источнике питания начальное напряжение .

2.С помощью линейной шкалы устройства на подставке конденсатора С (1 на рис.3)

установите обкладки конденсатора на нужном начальном расстоянии d.

3.При заданном напряжении на высоковольтном источнике питания и на конденсаторе С (при его воздушном заполнении), меняя расстояние d, измерьте напряжение U по вольтметру V. Результат занесите в таблицу 2.

Таблица 2

S= (

 

 

)

 

 

 

=

(кВ)

 

 

 

=

(нФ)

 

 

 

 

 

 

 

U (В)

d (см)

1/d ()

Q (нКл)

(пФ/м)

4.При заданном d и воздушном заполнении конденсатора С (1 на рис.3) , меняя напряжение на высоковольтном источнике питания, измерьте значения напряжения U по показаниям вольтметра V. Результаты занесите в таблицу 3.

Таблица 3.

S= (

 

 

)

d=

(см)

 

 

 

=

(нФ)

 

 

 

 

 

 

 

(кВ)

U (В)

Q (нКл)

(пФ/м)

10

5.Поместите между обкладками конденсатора диэлектрическую пластину. Измерьте расстояние d.

6.Меняя напряжение на высоковольтном источнике питания, измерьте напряжение U на конденсаторе Результаты занесите в таблицу 4.

7.Удалите диэлектрик, и при том же расстоянии d проведите измерения согласно п.4.5. Обозначьте U через и результаты занесите в таблицу 4.

Таблица 4.

S= (

 

)

d=

(см)

 

 

 

=

(нФ)

 

 

 

 

(кВ)

U (В)

Q (нКл)

(В)

(нКл)

ε

Обработка результатов измерений

5.1. Определение электрической постоянной при фиксированном напряжении и различных расстояниях d между пластинами конденсатора

1.Запишите величины напряжения (кВ), емкости (нФ) и диаметра пластин конденсатора D (м),

2.Рассчитайте площадь пластин S .

3.Рассчитайте величины 1 (см−1 ) Результаты занесите в таблицу 2.

d

4.Используя данные таблицы 2, рассчитайте по формулам (18) и (15) для каждого значения d:

S = πD 2

; Q = C U (нКл);

ε

0

=

С1Ud

(

пФ

)

 

 

4

1

 

 

SU с

 

м

 

 

 

 

 

Данные расчета занесите в таблицу 2.

5. Найдите среднее значение , сравните его с табличным значением .

Соседние файлы в папке Лабораторные