А.А. ЖИГАЛЬСКИЙ

2 КОНСТРУИРОВАНИЕ И РАСЧЕТ ГИБРИДНЫХ

МИКРОСХЕМ...........................................................................

11

2.1

Подложки............................................................................

11

2.2

Материалы пленок тонкопленочных микросхем ..............

14

2.3 Расчет конструкций тонкопленочных резисторов ................

25

2.4

Тонкопленочные конденсаторы .........................................

34

2.5

Пленочные индуктивности ................................................

40

2.6

Конструкции тонкопленочных распределенных

RС-структур .......................................................................

42

2.7

Особенности конструкций СВЧ ГИС ................................

45

2.8

Конструкции компонентов гибридных микросхем ...........

48

2.9

Проектирование топологии гибридных ИМС ...................

57

3 ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫЕ ГИС ...................................................

64

3.1

Платы толстопленочных ГИС............................................

64

3.2

Пасты для толстопленочных ГИС .....................................

65

3.3

Основные технологические операции изготовления

толстопленочных ГИС.......................................................

66

4 КОНТРОЛЬНО-ПРОВЕРОЧНЫЕ РАСЧЕТЫ .........................

69

4.1

Паразитные связи в гибридных ИМС ................................

69

4.2

Обеспечение тепловых режимов работы ИМС .................

71

5 ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ НА БИПОЛЯРНЫХ

ТРАНЗИСТОРАХ .....................................................................

77

5.1

Подложки полупроводниковых интегральных

микросхем ..........................................................................

77

5.2

Конструирование и выбор структуры интегральных

транзисторов ......................................................................

81

5.3

Конструирование и расчет диодов .....................................

93

5.4

Интегральные резисторы ...................................................

99

5.5

Конструирование и расчет конденсаторов........................

108

5.6

Диоды и транзисторы с барьером Шоттки ......................

112

5.7

Методы изоляции элементов ИМС..................................

115

5.8

Разработка топологии полупроводниковых ИМС...........

121

5.9

Тепловой режим полупроводниковых ИМС ...................

130

7

6

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ НА

МДП-ТРАНЗИСТОРАХ .........................................................

134

6.1 Типы МДП-транзисторов .................................................

134

6.2 Основные принципы построения МДП ИМС .................

143

6.3 Проектирование топологии МДП ИМС ..........................

151

7

МИКРОСХЕМЫ С ФУНКЦИОНАЛЬНО-

ИНТЕГРИРОВАННЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ...........................

155

8

ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОСТОЯННЫХ

ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ.......................................

161

9

БАЗОВЫЕ МАТРИЧНЫЕ КРИСТАЛЛЫ .............................

171

биполярных транзисторов ...............................................

175

9.3 Базовые матричные кристаллы на основе полевых

транзисторов с изолированным затвором ..........................

180

9.4 Проектирование микросхем на основе базовых

матричных кристаллов.....................................................

181

10 КОНСТРУКТИВНОЕ ОФОРМЛЕНИЕ И ЗАЩИТА

МИКРОСХЕМ.........................................................................

184

10.1 Корпуса микросхем ........................................................

184

10.2 Защита поверхности кристалла бескорпусных

микросхем ........................................................................

193

ЛИТЕРАТУРА ...........................................................................

195