Технология СБИС / sbis / metkontr / mkd_vved
.htmОбщий обзор методовОбщий обзор методовМожно выделить четыре направления применения экспериментальных методов для решения проблем, связанных с технологией изготовления СБИС:
исследование морфологии
электрическое топографирование с целью локализации участков повышенных токов утечки и мест возможного пробоя
химический анализ
изучение кристаллографической структуры и механических свойств
Методы, используемые для решения каждой из этих задач, представлены в табл.1. Символом X помечены ситуации, при которых данный метод является главным источником информации, необходимой для решения конкретной задачи, символом (X) - ситуации, при которых для решения задачи требуется применение специального дополнительного оборудования.
Ряд методов, представленных в табл. 1, основан на облучении образца пучком рентгеновских лучей пли электронов и анализе вторичного излучения. Характеристики таких методов, включая типичные интервалы энергий первичного и вторичного излучений, приведены в табл. 2.
МетодАббревиатураИсследован.
морфологииХимическ.
анализИсследование
кристаллогра-
фической
структуры и
механических
свойствЭлектрич.
топографи-
рованиерус.англ.Электронная
оже-спектроскопияЭОСAES X Растровая
электронная
микроскопия в
режиме наведенного
токаРЭМНТEBIC XЛазерное
отражениеЛОLR X Нейтронно-
активационный
анализНААNAA X Оптическая
микроскопия
в режиме
интерференционного
контраста по
Номарски X Обратное
рассеяние
РезерфордаОРРRBS X(X) Растровая
электронная
микроскопияРЭМSEMX(X) (X)Масс-спектроскопия
вторичных ионовМСВИ
ВИМСSIMS X Электронография
на просветЭНПTED X Просвечивающая
электронная
микроскопияПЭМTEMX(X)X(X)Растровая
электронная
микроскопия в
режиме
потенциального
контрастаРЭМПКVC XРентгеновская
дифракцияРДXRD X Рентгеновский
микроанализРМАXES X Рентгеновский
флюорисцентный
анализРФАXRF X Рентгеновская
фотоэлектронная
спектроскопияРФЭСXPS,
ESCA X Таблица 1.
Первичное излучениеВторичное излучениеВид излученияЭнергия
E0, кэВЭлектроныРентгеновские лучиВидЭнергия, эВМетодЭнергия, эВМетодЭлектроны2 - 10Оже
Вторичные
20-2000ЭОС 2 - 40< 10РЭМПК 2 - 40Обратнорас-
сеянные< E0РЭМ (ОРР) 20 - 200 < E0РМАРентгеновские лучи< 2Первично
ионизованные20-2000РФЭС < 50 < E0РФАТаблица 2.
Виды вторичного излучения, возбуждаемого в результате облучения поверхности образца электронным или рентгеновским пучком, и применяемые при этом методы исследования.