Технология СБИС / sbis / epitaks / epit_def

Дефекты эпитаксиальных пленокДефекты эпитаксиальных пленокКак правило, плотность кристаллических дефектов в эпитаксиальном слое выше, чем в подложке. В то же время качество структуры слоя зависит от качества подложки и параметров эпитаксиального процесса. Дефекты, прорастающие с подложки, могут быть связаны со свойствами материала подложки и с обработкой поверхности пластин.

Выделяют следующие типы дефектов (см. рис):линейная дислокация, проросшая в эпитаксиальный слой (1);

дефекты, зарождающиеся на примесных преципитатах, расположенных на поверхности подложки (2);

примесные преципитаты, возникшие во время роста эпитаксиального слоя (3);

бугорки на поверхности, возникающие из-за неудовлетворительных условий процесса или плохого исходного состояния поверхности (4);

дефекты упаковки, проросшие в эпитаксиальный слой (5).