Технология СБИС / sbis / epitaks / epit_fak

Выбор оптимальной технологииВыбор оптимальной технологииМаскирование обратной стороны SiO2 или Si3N4.

Переход слоя Si с подложкодержателя на обратную сторону во время отжига в HCl.

Однородность удельного сопротивления 10-5 %.

Максимальная толщина эпитаксиального слоя ограничивается прирастанием боковых поверхностей к подложкодержателю и составляет от 0.5 мкм до сотен мкм.

Выбор кремнийсодержащего элемента основывается на нескольких предпосылках. В таблице указаны диапазоны скорости и температуры роста для различных кремнийсодержащих соединений.

Таблица: Эпитаксиальный рост кремния в атмосфере водорода.

Источник кремнияДиапазон скорости роста, мкм/минДиапазон температур,0CТребуемый уровень концентрации окислителя, 10-4 %SiH 40.4 - 1.51150 - 12505 - 10SiHCl 30.4 - 2.01100 - 12005 - 10SiH 2Cl 20.4 - 3.01050 - 1150 <5SiCl 40.2 - 0.3 950 - 1050 <2Силан (SiH4) - обычно выбирают, когда нужно уменьшить автолегирование бором и его диффузию из подложки. При высоких температурах силан склонен к газофазному разложению, что ведет к ухудшению качества слоев и быстрому загрязнению стенок камеры.

Дихлорсилан (SiH2Cl2) - позволяет получить высокие скорости роста при относительно низкой температуре.

Трихлорсилан (SiHCl3) - применяется для получения поликристаллического кремния. Не дает каких-либо существенных преимуществ перед тетрахлоридом кремния и редко используется для эпитаксии из ПГС.

Тетрахлорид кремния (SiCl4) - наименее химически активное и наиболее широко используемое соединение. Благодаря высокой температуре роста процесс не чувствителен к  высокому содержанию окислителей в газе носителе в следствии чего уменьшается количество вызываемых ими дефектов.