- •2)Электронно-дырочный p-n переход и его основные свойства.
- •3)Полупроводниковыерезисторы:варисторы,термо- Тензорезисторы Назначение. Характеристики, основные параметры.
- •4. Полупроводниковые диоды.
- •5 Биполярные транзисторы. Устройство, принцип действия.
- •6. Схемы включения, характеристики и режим работы биполярных транзисторов.
- •7. Полевые транзисторы. Устройство, принцип действия, характеристики, основные параметры.
- •8. Тиристоры: динистры, тринистры. Устройство, вах, основные параметры.
- •9. Оптоэлектронные приборы: фоторезисторы, свето-, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры, оптроны. Назначение, характеристики, основные параметры.
- •10. Маркировка и обозначение полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
- •11. Источники вторичного электропитания
- •12 Выпрямители. Схемы выпрямления, их расчет
- •13.Стабилизаторы напряжения и тока: параметрические и компенсационные,их параметры и характеристики.
- •14.Управляемые выпрямители
- •15.Основные параметры и характеристики усилителей.Обратныесвязи,их влияние на работу усилителя.
- •16.Однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе с общим эмиттером: принцип действия
- •17.Многокаскадный усилитель
- •18.Операционный усилитель: назначение, устройство, характеристики, типы.
- •23 Компатор и мультивибраторр
- •24. Генераторы гармонических колебаний генераторы
- •22. Ключевой режим работы транзистора.
- •31. Цифровые счётчики. Схемная реализация. Типовые имс.
- •32. Регистры памяти и регистры сдвига. Схемная реализация. Типовые имс.
- •40. Аналогово-цифровые преобразователи.
- •Ацп последовательного счёта.
- •Ацп последовательного приближения.
- •Ацп параллельного типа.
- •Цифро-аналоговые преобразователи.
7. Полевые транзисторы. Устройство, принцип действия, характеристики, основные параметры.
Полевые транзисторы (униполярные) - п/п приборы, в которых прохождение тока обусловлено дрейфом носителей заряда одного знака под действием продольного электрического поля.С точки зрения носителя заряда их называют униполярные (одной полярности).С точки зрения управления электрическим полем - полевыми.
Различают схемы включения:
- с общим истоком которые позволяют получить усиление тока и напряжения и инвертирование фаз напряжения при усилении, имеют очень высокое входное и выходное сопротивления;
- с общим стоком имеет коэффициент усиления по напряжению, стремящийся к единице, выходное напряжение по значению и фазе повторяют входное, имеют очень высокое входное и низкое выходное сопротивления;
- с общим затвором не дает усиления тока и поэтому усиление мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме с ОИ, входное сопротивление мало, в усилителях не используются, применяется в качестве линейных ключей и электронных потенциометров.
Отличие биполярных от полевых транзисторов: практически бесконечное входное сопротивление, несколько худшие усилительные свойства, лучшие температурные характеристики, возможность параллельного включения с целью увеличения тока, опасность повреждения статическим напряжением.
По способу создания канала различают ПТ с p-n-переходом (канал p- или n-типа), встроенным каналом (МДП) и индуцированным каналом (МОП).ПТ с управляющим р-n переходом содержит три п/п области одного и того же типа проводимости, называемые истоком - каналом - стоком.
Движение носителей заряда начинается от истока в направлении стока по каналу, ширина которого зависит от напряжения, приложенного к затвору. Соответственно имеет 3 электрода: затвор, сток и исток.р-n переход является высокоомной областью неподвижных носителей заряда –ионов. Подавая на затвор запирающее напряжение (в нашем случае "-") мы увеличиваем ширину р-n переходов и соответственно уменьшаем ширину канала и увеличиваем его сопротивление.
Резистор автоматического смещения служит для автоматического создания напряжения смещения. При его увеличении возможно полное запирание. Сопротивление в цепи затвора необходимо для заряда конденсатора.
При подаче на затвор отпирающего напряжения > 0,5В происходит отпирание р-n-перехода, возникает ток затвора и ПТ теряет основное своё преимущество: высокое входное сопротивление.
МОП с изолированным затвором и индуцированным каналом.
При приложении к затвору напряжения положительной полярности определенной величины, в области подложки (наиболее близко расположенная к затвору), под диэлектриком, образуется канал из неосновных носителей зарядов электронов. Для него характерно ещё большее входное сопротивление, но меньшее усиление, так как управляющий затвор находитя на большем расстоянии от канала.
МДП со встроенным каналом.
При подаче положительного напряжения увеличиваем ширину канала, и ток по нему тоже увеличивается. При подаче отрицательного напряжения уменьшаем ширину канала и ток по нему, вплоть до полного закрытия транзистора.
«+» возможность работы без начального смещения
«-» протекание тока при наличие U3 = О
Чтобы р-п переходы были надёжно заперты относительно подложки (П), мы подаём на П напряжение, противоположное полярности по отношению к напряжению на стоке, т.е. для п - канала это будет "-". В обычных случаях соединяем П и U
КМОП - комплиментарные МОП с п и р переходом.
«+» отрицательный температурный коэффициент мощности, т.е. при нагреве ток стока уменьшается.
ПТ п - типа с р-п переходом не рекомендуется использовать при комбинации больших (20-50В) напряжений на затворах и относительно больших (> 1 мА) тока стока, из-за резкого возрастания тока затвора.
Достоинства ПТ: высокое входное сопротивление.
Недостатки: более низкое, по сравнению с БПТ, усиление по напряжению.