
- •2)Электронно-дырочный p-n переход и его основные свойства.
- •3)Полупроводниковыерезисторы:варисторы,термо- Тензорезисторы Назначение. Характеристики, основные параметры.
- •4. Полупроводниковые диоды.
- •5 Биполярные транзисторы. Устройство, принцип действия.
- •6. Схемы включения, характеристики и режим работы биполярных транзисторов.
- •7. Полевые транзисторы. Устройство, принцип действия, характеристики, основные параметры.
- •8. Тиристоры: динистры, тринистры. Устройство, вах, основные параметры.
- •9. Оптоэлектронные приборы: фоторезисторы, свето-, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры, оптроны. Назначение, характеристики, основные параметры.
- •10. Маркировка и обозначение полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
- •11. Источники вторичного электропитания
- •12 Выпрямители. Схемы выпрямления, их расчет
- •13.Стабилизаторы напряжения и тока: параметрические и компенсационные,их параметры и характеристики.
- •14.Управляемые выпрямители
- •15.Основные параметры и характеристики усилителей.Обратныесвязи,их влияние на работу усилителя.
- •16.Однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе с общим эмиттером: принцип действия
- •17.Многокаскадный усилитель
- •18.Операционный усилитель: назначение, устройство, характеристики, типы.
- •23 Компатор и мультивибраторр
- •24. Генераторы гармонических колебаний генераторы
- •22. Ключевой режим работы транзистора.
- •31. Цифровые счётчики. Схемная реализация. Типовые имс.
- •32. Регистры памяти и регистры сдвига. Схемная реализация. Типовые имс.
- •40. Аналогово-цифровые преобразователи.
- •Ацп последовательного счёта.
- •Ацп последовательного приближения.
- •Ацп параллельного типа.
- •Цифро-аналоговые преобразователи.
2)Электронно-дырочный p-n переход и его основные свойства.
Работа большинства полупроводниковых приборов основана на использовании p-n-перехода. Физически это приконтактный слой толщиною в несколько микрон разновесных кристаллов.
На границе раздела возникает внутреннее электрическое поле p-n перехода, которое будет тормозящим для основных носителей заряда и будет их отбрасывать от границы раздела.
Приложим внешнее напряжение плюсом к p-области. Внешнее электрическое поле направлено навстречу внутреннему полю p-n перехода, что приводит к уменьшению потенциального барьера. Основные носители зарядов легко смогут преодолеть потенциальный барьер, и поэтому через p-n переход будет протекать сравнительно большой ток, вызванный основными носителями заряда.
Такое включение p-n перехода называется прямым, и ток через p-n переход, вызванный основными носителями заряда, также называется прямым током. Считается, что при прямом включении p-n переход открыт. Если подключить внешнее напряжение минусом на p-область, а плюсом на n-область, то возникает внешнее электрическое поле, линии напряжённости которого совпадают с внутренним полем p-n перехода. В результате это приведёт к увеличению потенциального барьера и ширины p-n перехода. Основные носители заряда не смогут преодолеть p-n переход, и считается, что p-n переход закрыт. Оба поля – и внутреннее и внешнее - являются ускоряющими для неосновных носителей заряда, поэтому неосновные носители заряда будут проходить через p-n переход, образуя очень маленький ток, который называется обратным током. Такое включение p-n перехода также называется обратным.
Свойства p-n перехода.
К основным свойствам p-n перехода относятся:
- свойство односторонней проводимости;
- температурные свойства p-n перехода;
- частотные свойства p-n перехода;
- пробой p-n перехода.
Свойство односторонней проводимости p-n
Вольтамперной характеристикой (ВАХ) называется графически выраженная зависимость величины протекающего через p-n переход тока от величины приложенного напряжения. I=f(U).
Температурное свойство p-n перехода показывает, как изменяется
работа p-n перехода при изменении температуры
Частотные свойства p-n перехода показывают, как работает p-n переход при подаче на него переменного напряжения высокой частоты. Частотные свойства p-n перехода определяются двумя видами ёмкости перехода:
- ёмкость, обусловленная неподвижными зарядами ионов донорной и акцепторной примеси. Она называется зарядной, или барьерной ёмкостью;
- диффузионная ёмкость, обусловленная диффузией подвижных носителей заряда через p-n переход при прямом включении.
Вывод: чем меньше величина ёмкости p-n перехода, тем на более высоких частотах он может работать.
Явление сильного увеличения обратного тока при определённом обратном напряжении называется электрическим пробоем p-n перехода.
Различают электрический (лавинный, туннельный) и тепловой пробои.