Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

10 Электроника Лекции в презентациях 2012

.pdf
Скачиваний:
67
Добавлен:
10.04.2015
Размер:
1.71 Mб
Скачать

IGBT-транзисторы

При включении и выключении IGBT–транзистора происходит изменение подвижности носителей заряда, коэффициентов передачи тока у имеющихся в структуре p–n–p- и n–p–n-транзисторов, изменение сопротивлений областей и пр.

Хотя в принципе IGBT–транзисторы могут быть использованы для работы в линейном режиме, пока в основном их применяют в ключевом режиме.

Изменение падения напряжения

Uкэ и тока Ic IGBT-транзистора

21

 

IGBT-транзисторы

Коллектор

 

Iк,(A)

 

 

 

 

30

 

 

 

 

VT2

 

 

 

VT1

20

 

 

Uзэ = 6 В

VT3

 

 

Затвор

 

 

 

Uзэ = 5 В

 

 

 

 

 

10

 

 

Uзэ = 4 В

 

 

 

 

 

 

 

 

U = 3 В

 

 

 

 

зэ

Эмиттер

0

5

10

Uэк,(B)

 

а

 

б

 

Схема замещения транзистора типа IGBT (а) и его вольт-амперные характеристики (б)

22

МОЩНЫЕ IGBT МОДУЛИ

Для уменьшения количества дополнительных внешних компонентов в состав IGBT-транзисторов вводят диоды или выпускают модули, состоящие из нескольких компонентов (рис. а – г).

Условные обозначения IGBT-транзисторов включают: букву М – модуль беспотенциальный (основание изолировано); 2 – количество ключей; буквы ТКИ – биполярный с изолированным затвором; ДТКИ – диод/биполярный транзистор с изолированным затвором; ТКИД – биполярный транзистор с изолированным затвором/диод; цифры: 25, 35, 50, 75, 80, 110, 150 – максимальный ток; цифры: 1, 2, 5, 6, 10, 12 –

максимальное напряжение между коллектором и эмиттером Uкэ (*100В). Например модуль МТКИД-75-17 имеет UКЭ =1700 В, I=2*75А, UКЭотк

=3,5 В, PKmax =625 Вт.

Условные обозначения модулей на IGBT-транзисторах:

а – МТКИД; б – МТКИ; в – М2ТКИ; г - МДТКИ

23

МОЩНЫЕ IGBT МОДУЛИ

EUPEC выпускает широкую гамму IGBT модулей в диапазоне токов от 15 до 3600 А и с рабочим напряжением от 250 до 6500 В. Модули выпускаются одиночными, трехфазными полумостовыми, трехфазными мостовыми (с тормозным транзистором и без него, с тормозным транзистором и дополнительными элементами), одиночными тормозными транзисторами.

Особого успеха фирма добилась в разработке и производстве интеллектуальных IGBT модулей для электропривода двигателей постоянного и переменного тока. Все модули отличает высокий технический уровень и оптимальное соотношение цена/качество.

Область применения:

цепи преобразователей напряжений: конвертеры и инверторы;

устройства управления приводами электродвигателей: сервоприводы, роботы, инверторы с переменным напряжением и частоты (VWF);

источники бесперебойного питания: UPS, преобразователи CVCF, импульсные источники питания, индукционные нагреватели, медицинское оборудование;

исполнительные устройства промышленной автоматики.

24

МОЩНЫЕ IGBT МОДУЛИ

Транзистор IRGP50B60PD - 600-

вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным

HEXFRED® диодом.

2.42 мин.

Чип и дип

25

Оптопары

Диодные Транзисторные

Тиристорные

HPCL-200

 

Линейные оптроны

26

 

 

Оптопары

 

 

VD1

 

R2

 

 

 

8

 

R1

DA1.1

 

 

 

R3

 

 

 

8

 

R4

 

 

 

DA1.2

 

 

Применение микросхемы HPCL-200

27

 

 

Оптопары

Использование полупроводниковых аналогов реле позволяет наиболее эффективно реализовать гальваническую развязку между микро-ЭВМ и объектами управления ж. д. автоматики.

 

 

DD2

Y1

 

 

 

 

 

P1.0

1

8

 

СПБ

 

 

 

 

 

 

 

НМШ1

 

 

 

 

1800

 

 

 

 

Может

 

 

 

 

коммутироваться

+5B

2

7

Y2

и переменный ток

 

 

 

 

 

3

6

 

 

 

 

 

 

НМШ1

 

 

 

 

1800

P1.1

4

5

 

СМБ

 

 

 

 

 

KP293KП3

 

 

Подключение нагрузки с гальванической развязкой

 

на твёрдотельных оптических реле

28

МОЩНЫЕ ДИОДНЫЕ И ДИОДНОТИРИСТОРНЫЕ МОДУЛИ

Серия L, низкопрофильные модули для монтажа на плату

Серия EF для панельного монтажа

ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ РЕЛЕ для коммутации токов от 1 до 100 А

при напряжении от 3 до 1500 В

Управляются постоянным или переменным напряжением, имеют высокую надежность и скорость срабатывания

2.50 мин.

29