Сеткографический метод Фотохимический метод
получения рисунка получения рисунка
Dmin= D1min +1,5 ( hф+ hпм ) + Dmin= D1min+ 1,5 ( hф+hпм )
+ hг+hр Dш min = D min р
Dш max = Dш min + Dш
Dш min= Dmin - (hг+ hр) Dmax = Dш max + Э
Dш max = Dш min + Dш
Dmax = Dш max + hг + hр
4.Расстояние между печатными проводниками.
Расстояние между печатными элементами зависит от заданного сопротивления изоляции при рабочем напряжении или требований ТУ на печатные платы. Фактическое расстояние между элементами на плате зависит от шага элемента, их максимальных размеров и точности расположения.
Lo S
HOM
ΔКП
S1min t
max Δt D
max
Минимальное расстояние между контактной площадкой и проводником:
S1min = L0 -[(Dmax/2 +кп) + (tmax/2 +t)]
Расстояние между двумя проводниками:
S2 min = L0 - (tmax + 2t)
Расстояние между двумя контактными площадками:
S3 min = L0 - (Dmax + 2кп)
Минимальное расстояние для прокладки проводников между двумя контактными площадками:
Lmin = [( D1 max + D2 max)/2 + 2Δ кп] + ( t п max + 2Δt )·n + S3 min ( n + 1)
n – количество проводников
По аналогии могут быть записаны формулы для определения расстояний при других сочетаниях элементов.
Таблица 2.4
|
Наименование коэффициента |
Обозначение |
Величина |
|
Толщина предварительно осаждённой меди, мм |
hrм |
0,005 - 0,008 |
|
Толщина наращенной гальванической меди, мм |
hr |
0,02 - 0,025 |
|
Толщина металлического резиста, мм |
hp |
0,02 |
|
Погрешность расположенияотверстия относительно координатной сетки, обусловленная точностью сверлильного станка, мм |
0 |
0,02 - 0,10 |
|
Погрешность базирования плат на сверлильном станке, мм |
б |
0,01 - 0,03 |
|
Погрешность расположения относительно координатной сетки на фотошаблоне контактной площадки, мм |
ш |
0,02 - 0,08 |
|
Погрешность расположения относительно координатной сетки на фотошаблоне проводника, мм |
шt |
0,03 - 0,06 |
|
Погрешность расположения печатных элементов при экспонировании на слое, мм |
э |
0,01 - 0,03 |
|
Погрешность расположения контактной площадки на слое из-за нестабильности его линейных размеров, % от толщины |
м |
0 - 0,10 |
|
Погрешность расположения базовых отверстий на заготовке, мм |
з |
0,01 - 0,03 |
|
Погрешность расположения базовых отверстий на фотошаблоне |
п |
0,01-0,05 |
|
Погрешность расположения контактной площадки на слое, обусловленная точностью пробивки базовых отверстий, мм |
пр |
0,03-0,05 |
|
Погрешность расположения контактной площадки, обусловленная точностью изготовления базовых штырей пресс-формы, мм |
пф |
0,02-0,05 |
|
Погрешность диаметра отверстия после сверления, мм |
d |
0,01-0,03 |
|
Погрешность изготовления окна фотошаблона, мм |
Dш |
0,01-0,03 |
|
Погрешность изготовления линий фотошаблона, мм |
tш |
0,03-0,06 |
|
Погрешность диаметра контактной площадки фотокопии при экспонировании рисунка, мм |
Э |
0,01-0,03 |