Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
40
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
313.86 Кб
Скачать

2.10 Влияние добавок водорода на рабочую смесь для пхт.

а) б)

Рис. 4.20. Влияние введения C2F6 в плазму Cl2 на величину бокового сопротивления под маску

Введение в газовую рабочую смесь C2F6 уменьшает величину подтрава, и при концентрации C2F6 > 85 % боковое подтравливание прак­тически отсутствует (рис.4.20,б). Этот эффект можно связать с реком­бинацией атомарного Cl:

-генерация рекомбинирующих компонентов C2F6 +ё~> 2CF3 +ё;

- рекомбинация CF3 + Cl-~>CF3Cl.

Таким образом, введение в рабочую газовую смесь добавок, обеспечивающих рекомбинацию активных компонентов в условиях ионно-ускоренного травления позволяет уменьшить боковое подтравливание и увеличить степень анизотропии до А = 1

2.11 Механизмы диффузии атомов легирующих примесей

Упорядоченная кристаллическая структура ограничивает число и способы возможных перемещений атомов. В идеальном кристалле воз­можны лишь два механизма перемещения атомов, не ведущие к нару­шению совершенства кристаллической решетки:

  • непосредственного обмена атомов местами (рис.5,1,а);

  • кольцевой (рис.5.1,6).

В структурах с плотной упаковкой реализация обмена двух сосед­них атомов местами или согласованного перемещения нескольких ато­мов на одно атомное расстояние маловероятна. Реальный кристалл отличается от идеального присутствием дефектов кристаллической структуры, в частности точечных дефектов, при наличии которых более энергетически выгодными оказываются другие механизмы, связанные со взаимодействием диффундирующего атома с междоузлиями и вакан сиями, а именно:

  • прямого перемещения по междоузлиям (рис 5.1,в);

  • эстафетный, или непрямого перемещения по междоузлиям (рис 5.1 ,г);

  • краудионный (рис.5.1,д);

  • вакансионный (рис.5.1,е);

  • дивакансионный;

  • релаксационный (рис.5.1,ж).

Кроме того, реальный кристалл связан с наличием более сущест­венных нарушений кристаллической решетки и диффузия в локальных областях таких нарушений будет происходить по иным механизмам, таким как:

  • диффузия по дислокациям;

  • диффузия по границам зерен;

  • диффузия по внешней поверхности кристалла.

Энергия, которая необходима атому для единичного скачка в кри­сталлической решетке, называется энергией акгиваиин диффузии. Ее величина зависит от того, по какому механизму будет осуществляться этот элементарный скачок. Так, энергия активации междоузельных перемещений составляет 0,6 - 1,2 эВ, а энергия активации перемещений по вакансиям - 3 • 4 эВ.

Э

Рис.5.1.Атомные механизмы диффузии: а)непосредственного обмена; б)кольцевой; в)прямого перемещения по междоузлиям г)эстафетный; д) краудионный е) вакансионный; ж)релаксационный

лементы 3-Й и 5-й групп Периодической системы образуют скремнием твердые растворы замещения, т.е. электрически активным положением акцепгорных и донорных примесей в кремнии является по­ложение в узле кристаллической решетки. Как следствие, наиболее ве­роятными механизмами диффузии основных легирующих примесей в кремнии (P, В, ajj, Sb) являются вакансионный и эстафетный механизмы. Хотя очевидно преобладание вакансионных перемещений, в реальном кри­сталле возможна одновременная реализация различных механизмов.

Соседние файлы в папке 2.1