_Разное / TKЭT(ШПОРЫ) / 2.2 / 24(2)

24(2) Эффект каналирования и деканалирования

В монокристаллической подлож­ке полупроводника вдоль кристаллографических направлений с малыми индексами ион может продвигаться практически без соударений вдоль атомных рядов в более или менее широких каналах. При этом глубина про­никновения иона в кристаллическую решегку возрастет до величины R01^ (рис.5Л 1 и 5.12), соответствующей максимум)' безразмерного пробега

λ=2ε^1/2/k

Наибольший угол, при котором исчезает направляющее действие канала и ион покидает канал, называется критическим углом каналиро-вания. Его величина определяется типом иона, его энергией, кристалло­графической ориентацией подложки-мишени

где d_p - параметр кристаллической решетки; а - радиус экранирования.

Тепловые колебания атомов, появление дефектов кристалличе­ской структуры на пути иона в канале могут привести к деканалированию (см. рис.5.12) или преждевременному выходу иона из канала. Поскольку с увеличением дозы имплантации возрастает и плотность внесенных радиационных нарушений

при дозах выше 10¹⁵ см^-2 эффект каналирования исчезает.

.5.11. Влияние каиалирования на Рис.5.12. Влияние деканалирования на распределение внедренных ионов профиль внедрения: 1 - распределение

неканалированных ионов;

2 - распреде­ление "идеально" капелированных ионов;

3 - распределение ионов с учетом деканалирования