_Разное / TKЭT(ШПОРЫ) / 2.2 / 23(2)

23(2) Основы теории ЛШШ. Распределение внедренных атомов

Для описания процесса ионной имплантации (внедрения) наряду с полным пробегом иона R(с чертой) важны величина проекции пол­ного пробега на первоначальное направление внедрения иона R_p(с чертой), соот­ветствующая средней глубине проникновения ионов, и величина среднеквадратического разброса проецированных пробегов ∆R_p(c чертой), связанного с

вероятностным, статистическим характером пробегов.

Ион, имеющий большую массу по сравнению с атомами мишени, на своем пути отклоняется слабо и R_p≈R(с чертами), тогда как для легкого иона

R_p << R.

Торможение заряженной частицы в твердом теле осуществляется

двумя механизмами:

-ядерным торможением при упругом взаимодействии с заряжен­ными ядрами, экранированными электронными оболочками;

-электронным торможением при неупругом взаимодействии с электронными оболочками.

Таким образом, потери энергии иона на единицу пути складываются из двух слагаемых:

Метод решения уравнения предложен Линхардом, Шарффом и Шиоттом в 1961 - 1963 годах (сокращенно теория ЛШШ) и предпо­лагает введение для упрощения расчетов безразмерных величин пробега λ. и энергии ε:

ε=C_E*E

где С_R, C_E – коэффициенты

значения слагаемых могут быть апрооксимированы с точностью до 5-10% выражениями

Общий вид кривых . При небольших значениях ε преобладают упругие соударения с ядрами, тогда как при больших значениях ε преобладает электрорнная составляющая.