Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
6
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
30.72 Кб
Скачать

23(2) Основы теории ЛШШ. Распределение внедренных атомов

Для описания процесса ионной имплантации (внедрения) наряду с полным пробегом иона R(с чертой) важны величина проекции пол­ного пробега на первоначальное направление внедрения иона Rp(с чертой), соот­ветствующая средней глубине проникновения ионов, и величина среднеквадратического разброса проецированных пробегов ∆Rp(c чертой), связанного с

вероятностным, статистическим характером пробегов.

Ион, имеющий большую массу по сравнению с атомами мишени, на своем пути отклоняется слабо и Rp≈R(с чертами), тогда как для легкого иона

Rp << R.

Торможение заряженной частицы в твердом теле осуществляется

двумя механизмами:

-ядерным торможением при упругом взаимодействии с заряжен­ными ядрами, экранированными электронными оболочками;

-электронным торможением при неупругом взаимодействии с электронными оболочками.

Таким образом, потери энергии иона на единицу пути складываются из двух слагаемых:

Метод решения уравнения предложен Линхардом, Шарффом и Шиоттом в 1961 - 1963 годах (сокращенно теория ЛШШ) и предпо­лагает введение для упрощения расчетов безразмерных величин пробега λ. и энергии ε:

ε=CE*E

где СR, CE – коэффициенты

значения слагаемых могут быть апрооксимированы с точностью до 5-10% выражениями

Общий вид кривых . При небольших значениях ε преобладают упругие соударения с ядрами, тогда как при больших значениях ε преобладает электрорнная составляющая.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в папке 2.2