20. Для нахождения нужного элемента воспользуемся услугами путеводителя Browse (рис.1.20).
Рис.1.20. Вызов путеводителя.
21. Открывается еще одно окно путеводителя библиотек для поиска элемента размещения
Library Browser-Add Instance (рис.1.21).
Рис.1.21. Дополнительное окно поиска элемента схемы.
22. В открывшемся окне курсором выбираем символьное представление n-МОП транзистора в библиотеке gpdk: Library gpdk → Category MOS → Cell nmos → View symbol (рис.1.22).
Рис.1.22. Выбор символа элемента схемы.
23. В результате на терминале будут раскрыты одновременно три окна (рис.1.23). При этом в окне Add Instance пропечатаются: имя библиотеки, ячейка и параметры по умолчанию.
Рис.1.23. Вид терминала при выборе элемента схемы.
24. Выполнив команду Hide в окне Add Instance символ транзистора появится в окне графического редактора (рис.1.24).
Рис.1.24. Выбор транзистора из библиотеки gpdk.
25.С помощью нажатия левой кнопки мышки можно размещать транзисторы в любой точке окна графического редактора Virtuoso (рис.1.24). Рядом с транзистором обозначены:
уникальное имя - MN0, длина канала – 180.0nm, ширина транзистора – 2um(мкм), количество затворов многопальцевого транзистора – fingers:1, коэффициент мультипликации – m:1.
Рис.1.25. Размещение транзисторов.
26. Символ источника напряжения выбираем из библиотеки analogLib (рис.1.25). В этой библиотеке имеется Category-Sources, в которой несколько типов источника напряжения: vdc – постоянный, vexp-экспоненциальный, vpulse-импульсный, vpwl-кусочно-линейной аппроксимации, vsin-синусоидальный, vsource-составной. Выбираем символ составного источника напряжения vsource.
Рис.1.26. Выбор источника напряжения.
27. На рис.1.27 показано размещение двухисточников напряжения для моделирования выходной характеристики n-МОП транзистора: V0-задает напряжение затвор-исток, V1задает напряжение сток-исток.
Рис.1.27. Размещение источников напряжения.
28. Символ земли выбираем также из библиотеки analogLib категории Globals с именем ячейки-gnd (рис.1.28). При этом на экране терминала появляется символ земли.
Рис.1.28. Выбор символа земли.
29. Символ земли привязываем ближе к нижним выводам источников напряжения (рис.1.29).
Рис.1.29. Привязка символа земли.
30. Для выполнения межсоединений выбираем соответствующую позицию меню в левой стороне редактора (рис.1.30).
Рис.1.30. Выбор меню для выполнения межсоединений.
31. Межсоединения выполняются склевыванием левой кнопкой мышки выводов элементов, которые необходимо соединить (рис.1.31). При этом в соответствии с заложенным алгоритмом межсоединение находит кратчайший путь, обходя поле элемента.
Рис.1.31. Выполнение межсоединения.
32. В результате выполнения всех межсоединений, получим схему моделирования выходной характеристики n-МОП транзистора (рис.1.32). При соединении вывода элемента с межсоединением появляется узел в виде точки.
Рис.1.32. Описание схемы моделирование в графическом редакторе.
33.Зададим параметры транзистора в соответствии с индивидуальным заданием. Для этого подводим курсор и нажатием левой кнопки мышки выбираем транзистор, который подсвечивается желтым контуром (рис.1.33).
Рис.1.33. Выбор транзистора для задания его параметров.
34. При двойном щелчке левой кнопкой на выбранном элементе откроется дополнительное окно редактирования свойств объекта (рис.1.34). В нижней части этого окна в соответствии с вариантом задаем: например длину затвора – 180n и ширину транзистора -2u. При переходе в следующее окно программа автоматически добавляет через пробел M. Нажмите ОК.
Рис.1.34. Окно задания свойств транзистора.
35. Подобным образом выбираем источники напряжения для задания параметров (рис.1.35).
Рис.1.35. Окно для задания параметров источника напряжения.