- •Раздел 1
- •1.1 Введение
- •1.2 Технические требования
- •1.3 Определение состава афар
- •1.4 Определение состава модуля
- •1.5 Выбор типа излучателя
- •1.6 Расчёт излучателя
- •1.7 Выбор формы апертуры
- •1.8 Расчёт апертуры афар
- •1.9 Выбор схемы разводки
- •1.10 Энергетический расчёт афар
- •1.11 Расчёт блока суммирования
- •1.12 Система питания афар
- •1.13 Заключение
- •1.14 Литература
1.11 Расчёт блока суммирования
При построении двоично-этажной схемы разводки используются гибридные делители (сумматоры) мощности. Простейшим из таких устройств является тройниковое разветвление линий передачи, относящееся к классу реактивных шестиполюсников. Существенным недостатком тройника является отсутствие развязки между входами. Кроме того, как показывает теория, невозможно одновременное согласование реактивного шестиполюсника по всем трём входам с помощью реактивных согласующих устройств. Поэтому в схему разветвителя необходимо ввести поглощающие элементы. На практике широко используется кольцевой развязанный делитель (сумматор), изображённый на рис. 1.12.
rо
r1
R
rо
L / 4
rо
Рис. 1.12 Кольцевой развязанный сумматор мощности
Расчёт величин R и r1 производится по известным значениям коэффициентов матрицы рассеяния данного шестиполюсника. Из требований к согласованию и развязке входов вытекают соотношения сопротивлений в схеме:
Ø
R = 2*rо; r1 = rо*Ö2 ;
Для стандартной 50-омной линии (rо =50W) получим:
R = 100W; r1 = 71W;
Параметры МПЛ с данным волновым сопротивлением r (ширина проводника W, эффективная диэлектрическая проницаемость eэф, длина волны в линии L) зависят от диэлектрической проницаемости материала подложки e и от её толщины h. Основным материалом подложек СВЧ-схем является поликор (e=9.8). Производятся стандартные подложки с h=0.25; 0.5; 1 мм. Выбор h зависит от значения рабочей частоты, поскольку существуют частотные пределы применимости МПЛ:
·эффект появления продольной поверхностной волны в диэлектрике;
·эффект возникновения резонанса поперечных колебаний между полоском и подложкой.
Критические частоты рассчитываются по формулам:
75 107.5
fкрпов = ————— ; fкрпопер = ——— ;
¾¾Ø Ø
h*Ö e – 1 h*Öe
Расчётные значения fкр для поликоровых подложек разной толщины приведены в таблице 1.7.
Таблица 1.7
h, мм |
fкрпов, ГГц |
fкрпопер, ГГц |
1 |
25.3 |
34.3 |
0.5 |
50.6 |
68.6 |
0.25 |
101 |
137.2 |
Чем толще подложка, тем ниже критическая частота, но зато меньше и потери в МПЛ. Поэтому в диапазоне 7.25 ¸ 7.75 ГГц нужно применять подложки с h =1 мм.
Параметры МПЛ (для W / h < 1) рассчитываются по формулам:
2h exp(h’) exp(–h’)
—— = ———— – ————— ;
W 4 2
¾¾¾¾Ø
r*Ö (e + 1) / 2 e – 1 0.12
h’ = —————— + ——— * 0.226 + ——— ;
60 e + 1 e
e + 1 e – 1 ln(p / 2) + [ln(4 / p)] / e
eэф = ——— * 1 + ——— * ——————————— ;
2 e + 1 ln(8*h / W)
l
L = ——— ;
¾Ø
Öeэф
Результаты расчёта для двух номиналов волновых сопротивлений, используемых в схеме сумматора, приведены в таблице 1.8.
Таблица 1.8
r, W |
W, мм |
eэф |
L, см |
50 |
0.98 |
6.4 |
1.58 |
71 |
0.42 |
6.1 |
1.62 |
Резистор R в схеме сумматора выполняется по тонкоплёночной технологии. Его топология показана на рис. 1.13. Сопротивление плёночного резистора зависит от его геометрических размеров:
R = rs * Кф; Кф = lр / wр;
rs — поверхностное сопротивление резистивной плёнки;
Кф — коэффициент формы;
lр — длина рабочей части резистора;
wр — ширина резистора.
На геометрические размеры плёночных элементов накладываются определённые ограничения:
·технологические (при напылении через маску lр min=300 мкм, wр min=200 мкм; при фотолитографии lр min=wр min=50 мкм);
·частотные (для сосредоточенных элементов).
Сосредоточенными принято считать элементы, линейные размеры которых не превышают (0.01¸0.03)L. При столь малых размерах можно пренебречь эффектами, обусловленными волновым характером электромагнитного поля (в частности, сдвигом фаз между входом и выходом элемента).
Исходя из приведённых ограничений, выберем длину резистора в схеме сумматора lр=0.5 мм. Для длин волн 1.58 см и 1.62 см ( таблица 1.8) это составит соответственно 3.16% и 3.09%, что вполне допустимо. Ширину примем равной 0.25 мм, тогда Кф=2; rs=50 W/ .
Для стабилизации переходного контактного сопротивления размер области перекрытия резистивной плёнки с проводниками МПЛ должен составлять 0.4¸0.5 мм (для R=50¸200 W). При этом полная длина резистора lп = lр + 2*s, где s — величина перекрытия. Пусть s=0.5 мм, тогда lп =1.5 мм.
Рис. 1.13 Плёночный резистор в схеме сумматора
При разработке топологии блока суммирования учитывались, помимо вышеизложенных, следующие обстоятельства:
·длины линий, соединяющих кольцевые сумматоры в блоке, должны быть равны нечётному числу полуволн (для компенсации отражений, возникающих из-за неидеальности согласования);
·расстояние между входными линиями на верхнем этаже схемы должно быть достаточным для монтажа разъёмов (коаксиально-полосковых переходов);
·схема блока должна быть размещена на подложках стандартных размеров (для поликоровых подложек размеры выбираются из ряда: 60´48 мм; 60´24 мм; 48´30 мм; 30´24 мм; 24´15 мм; 15´12 мм).