
- •Операционные усилители
- •R1 - u1 c -
- •Усилитель мощности Компаратор
- •Частотная коррекция
- •Проигрыш в усилении -
- •Частотная характеристика ос в случае наличия реактивных элементов в цепях ос ( интеграторы, дифференциаторы ) происходит модификация частотной характеристики для повышения устойчивости схемы.
- •Начальные условия: все транзисторы идентичны, в состоянии покоя
- •Паралл.Цифр.Выход
- •Источники мощности эвтектический
- •Град/Вт
- •Т1 т2 т3 т4
- •Т1 т3
Какую работу нужно написать?
Источники мощности эвтектический
сплав
основание корпуса
выводы корпуса
Уравнение (1) можно представить для распределенных RC- цепей в виде:
где
P0 – мощность, выделяемая источником тепла,
RT1 – тепловое сопротивление в установленном состоянии от рассматриваемого участка до соседнего,
CT1 – теплоемкость участка конструкции,
T1 – температура вблизи участка.
Запишем систему уравнений для RC- цепи с конечным числом элементов:
RT1 RT2 RTm
I0
CT1
CT2
CTm
(2)
Если мы зафиксируем t0 основания корпуса Тосн.корп. = Токр.= const и рассмотрим участки
- выделения мощности,
- на этом же кристалле,
- на соседнем кристалле,
то можно представить распределение температуры графически:
T-Tокр
RT
–локальный перегрев (10-30град/Вт)
RT
кристалл-корпус (10-50 град/Вт)
RT основания корпуса
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10 100 t[сек] (1-10 град/Вт)
Если
температура основания корпуса не
постоянна Тосн.корп..
const, то картина искажается
T
RT корпус-среда (150-200)
Град/Вт
t
Р1 Р2
Токр
Р2=0
RT1*P1
RT=RТкорп.ср+RТосн.корп.+RTкр.-корп.
Токр
Р1=0
RT2*P1
RTP2
T
RT1*P1
RT2*P2
RT(P1+P2)
X
Процедура учета тепловых процессов:
необходимо определить t0 в местах локального перегрева с учетом полной мощности компонентов и отдельно каждого компонента, желательно, чтобы Тmax 1500C,
существует значительный температурный фон, примерно одинаковый по всему кристаллу. Если пренебречь локальным перегревом, все компоненты в кристалле работают в более-менее одинаковых условиях,
хотя фон постоянный, по кристаллу всегда есть температурный градиент. Всегда стараются усреднить температурное влияние, особенно влияние выхода на вход в мощных схемах,
имеет место инерционность на высоких частотах, тепловые связи уменьшаются.
Стабилизация: на кристалле устанавливается температура, независимая от Токр, если выполняется узел с термочувствительным элементом, при изменении температуры происходит компенсация токов.
Т1 т2 т3 т4
мощный
полезная схема
усил.
тр-р схема t0
(УПТ)
стаб-ии
Т1 т3
термочувствительный
Т2 Т4
элемент