Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Презентации Тв эл / 2. Полупроводниковые диоды.ppt
Расчет ВАХ барьера Шоттки
При приложении напряжения:
|
|
|
|
V |
|
|
2 0 k Vсм |
||||
|
T |
||||
|
|
||||
W |
|
|
|
|
|
|
J Jп.п Jм Js e |
|
|
1 |
|
|
q Nd |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где |
|
|
|
Ub |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Js A T 2 e T |
|
|
|||
A |
4 mn* q k2 |
120 |
mn* |
А |
|
|
|
h3 |
m |
|
|
|
- Постоянная Ричардсона |
||
см2K 2 |
|||||||
|
|
|
0 |
|
|
|
|
ВАХ диода Шоттки
Диод Шоттки
•Диоды Шоттки характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало), а значит и высоким быстродействием.
• Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстро- действие получается достаточно высоким: граничная частота fгр 1010 Гц .