Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Презентации Тв эл / 2. Полупроводниковые диоды.ppt
Скачиваний:
220
Добавлен:
31.03.2015
Размер:
3.53 Mб
Скачать

Пробой p-n-перехода

Обратная ВАХ при различных видах пробоя

Схема, иллюстрирующая лавинный пробой

q lсв пр Еg

W lсв

Лавинный пробой

Коэффициент лавинного умножения M, определяемый как

количество актов лавинного умножения в области сильного электрического поля, для которого справедливо следующее эмпирическое соотношение Миллера:

 

J

 

 

V

n 1

 

 

 

1

 

см

 

 

M J

 

 

 

V

 

 

 

0

 

 

проб

 

 

 

 

 

 

 

 

Напряжение лавинного пробоя зависит от степени легирования p- и n-областей. Так, например для резкого кремниевого p-n-перехода зависимость напряжения пробоя от степени легирования n-области имеет вид:

V

60

Eg

3 2

 

 

N

3 4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

проб

 

 

1.1

 

 

 

 

 

10

 

Напряжение лавинного пробоя кремниевого pn-перехода с линейным распределением примеси (то есть при изменении примеси по линейному закону) определяется формулой:

 

Eg

1,2

 

a

 

0,4

Vпроб 60

 

 

 

 

 

 

 

 

,

1.1

3 1020

 

 

 

 

 

 

где а – градиент концентрации примеси

Зависимость напряжения лавинного пробоя от

концентрации примеси в низколегированной области для резкого pn-перехода

Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя определяется уменьшением длины свободного пробега носителей заряда с увеличением температуры.

При этом величина напряжения пробоя увеличивается, так как энергию, необходимую для разрыва ковалентных связей носители могут набрать при больших напряжениях.

Туннельный пробой pn-перехода

Зонная диаграмма сильнолегированного p-n-перехода при обратном смещении

 

 

 

10

8

3 2

 

IТУН A Vсм2

exp

 

 

Eg