- •Электроника
- •Содержание
- •Раздел 1. Элементы электронной техники
- •Раздел 2.Истчники электропитания
- •Раздел3. Аналоговые интегральные микросхемы
- •Раздел 4. Цифровые интегральные микросхемы
- •Раздел 5. Фотоэлектрические приборы
- •Раздел 6. Аналого-цифровые функциональные устройства
- •Раздел 7. Микроконтроллеры
- •Раздел 1
- •Пассивные элементы электрических цепей
- •1.1 Резисторы
- •1.2 Конденсаторы
- •1.3 Индуктивности
- •1.4 Трансформаторы
- •2. Диоды
- •2.1 Принцип работы диода
- •Вольт-амперная характеристика диода
- •2.2 Выпрямительные диоды
- •2.3 Высокочастотные диоды
- •2.4 Импульсные диоды
- •2.5 Стабилитроны и стабисторы
- •3. Биполярные транзисторы
- •3.1Общие принципы
- •3.2 Основные параметры транзисторов
- •3.3 Схемы включения транзисторов
- •3.4 Ключевой режим работы транзистора
- •3.5 Усилительный режим работы транзистора
- •3.5 Способы задания рабочей точки по постоянному току в усилительном режиме
- •3.6 Схема включения транзистора с общим коллектором
- •4. Полевые (униполярные) транзисторы
- •4.1 Полевой транзистор с p-n переходом
- •Входные и выходные характеристики полевого транзистора с p-n переходом и каналом n-типа
- •4.2 Полевые транзисторы с встроенным каналом
- •Входные и выходные характеристики моп - транзистора с встроенным каналом n -типа (кп 305)
- •4.3 Полевые транзисторы с индуцированным каналом
- •Крутизна
- •Особенности полевых моп транзисторов
- •Режимы работы каналов и полярности электродных напряжений полевых транзисторов
- •5. Генераторы электрических сигналов
- •5.1 Принципы построения генераторов.
- •5.3 Генераторы импульсов на логических элементах ттл и таймере 555 (кр1006ви).
- •6. Силовые полупроводниковые приборы
- •6.2 Тиристор.
- •6.3 Симисторы
- •6.4 Igbt транзистор
- •Раздел 2
- •7.1 Однофазный мостовой выпрямитель
- •7.2Стабилизаторы напряжения
- •7.2.1 Параметрические стабилизаторы напряжения
- •Раздел 4
- •8. Аналоговые микросхемы.
- •8.1 Свойства оу
- •Практическая трактовка свойств оу
- •8.2 Основы схемотехники оу
- •Входной дифференциальный каскад
- •Современный входной дифференциальный каскад
- •8.3 Параметры операционных усилителей
- •8.4 Принцип отрицательной обратной связи
- •8.5 Основные схемы включения оу. Инвертирующее включение
- •Применение инвертирующего усилителя в качестве интегратора
- •Неинвертирующее включение
- •Ограничитель сигнала
- •8.6 Компараторы
- •8.7 Триггер Шмитта
- •8.8 Схема мультивибратора
- •8.9 Активные фильтры
- •9.2 Обозначение и типы комбинационных логических микросхем
- •9.3 Структура ттл логических микросхем
- •Основные параметры логических ттл элементов
- •9.4 Микросхемы последовательного тип
- •9.4.1 Интегральные триггеры
- •9.4.2 Rs асинхронный триггер
- •9.4.3 Асинхронный d - триггер
- •9.4.4 Синхронный d - триггер со статическим управлением
- •9.4.5 Синхронный d -триггер с динамическим управлением
- •9.4.6 Синхронный jk - триггер
- •9.4. 8. Вспомогательные схемы для триггеров
- •9.4.9 Формирователь импульса
- •Мультиплексоры и демультиплексоры
- •Шифраторы, дешифраторы и преобразователи кодов
- •Счётчики импульсов
- •Раздел 5 Фотоэлектронные приборы
- •Отоэлектрические приборы.
- •10.1 Понятия о оптоэлектронных приборах
- •10.2 Элементы оптоэлектроники.
- •Раздел 6
- •11. Аналого-цифровые преобразователи
- •Основные характеристики интегрирующих ацп
- •12. Цифро-аналоговые преобразователи
- •Характеристики интегральных микросхем цап
- •Раздел 7
- •13. Микропроцессоры
- •13.1 Cisc--процессоры
- •13.2 Risc—процессоры
- •14. Компьютерное моделирование электронных устройств
- •15. Используемая литература
Вольт-амперная характеристика диода
Свойства диода определяются его вольт-амперной характеристикой (ВАХ). Вольт-амперная характеристика диода показана на рис. 7.Приближенно она может быть описана уравнением:
, (1)
где – ток насыщения обратно смещенного перехода (обратный тепловой ток);U– напряжение на p-n переходе;– тепловой потенциал, равный контактной разности потенциалов на границе p-n перехода при отсутствии внешнего напряжения; Дж/К– постоянная Больцмана; Т– абсолютная температура;кулон– заряд электрона; m- поправочный коэффициент, учитывающий отклонение от теории. При комнатной температуре Т=300К, = 0,026В.
Рис. 7. Вольт-амперная характеристика диода
На ВАХ различают две ветви: прямая ветвь, которая находится в первом квадрате иобратная ветвь в третьем квадрате. Уравнение (1) хорошо описывает характеристику реального диода в прямом направлении и для небольших токов, В соответствии с (1) сопротивление диода является нелинейным. В случае линейного сопротивления ВАХ была бы прямая линия.
На прямой ветви реальной ВАХ имеется резкий загиб, который характеризуется напряжением включения. Для германиевых диодов напряжение включения равно примерно 0,3В, для кремниевых – примерно 0,6В.
Значение обратного тока на обратной ветви примерно постоянно в широком диапазоне напряжения. При превышении определенного значения обратного напряжения, называемого напряжением пробоя Uпроб, начинается лавинообразный процесс нарастания обратного тока, соответствующий электрическому пробою p-n перехода. Если в этот момент ток не ограничить, то электрический пробой перейдет в тепловой. Тепловой пробой обусловлен ростом числа носителей в p-n переходе. При этом мощность, выделяющаяся в диоде UобрIобр, не успевает отводиться от перехода, его температура растет, растет обратный ток и, следовательно, продолжает расти мощность. Тепловой пробой необратим, т.к. разрушает p-n переход.
У любого диода оговаривается несколько основных параметров:
- номинальный прямой ток;
- максимальное обратное напряжение;
- прямое падение напряжения;
- постоянный обратный ток;
- максимальный прямой ток (для него оговаривается режим работы, например, время проводимости).
Преобладают кремниевые диоды, так как имеют более высокую предельную рабочую температуру (150оС против 75оС для германиевых), допускают большую плотность прямого тока (60...80А/см2 по сравнению с 20... 30А/см2), обладают меньшими обратными токами (примерно на порядок) и большими допустимыми обратными напряжениями (1500...2800В по сравнению с 600...800В). Однако кремниевые диоды имеют большее прямое падение напряжения. Прямое падение напряжения при прямом номинальном токе обозначается Uпр. Uпр=0,3...0,4В для германиевых диодов, Uпр=0,6...1,2В для кремниевых диодов.
Работоспособность диода определяется выделяемой на нем мощностью P=UI. U и I относятся к определенной точке ВАХ. Мощность определяет нагрев. Рабочий участок диода на ВАХ рис. 7 отмечен жирной линией. Если диод начинает работать на не рабочих участках ВАХ, он выходит из строя. На не рабочих участках мощность превышает допустимую, нагрев превышает допустимый. При нагреве, превышающем допустимый, диод разрушается. Зависимость ВАХ от температуры показана на рис. 8
Рис. 8. Зависимость ВАХ от температуры
По назначению различают следующие типы диодов:
1. Выпрямительные.
2. Импульсные.
3. Высокочастотные.
4. Стабилитроны и стабисторы.
Диоды различают также по мощности и по частотным свойствам.