Входные и выходные характеристики моп - транзистора с встроенным каналом n -типа (кп 305)

Рис. 44

Характеристики показаны на рис. 44. Недостаток транзистора с такими характеристиками: Uзи=0, а прибор проводит, т.е. у рассмотренных ранее транзисторов при Uзи=0 существует ток стока. Иногда желательно, чтобы при Uзи=0, Iс=0. Этим свойством обладают полевые транзисторы с индуцированным (наведенным)каналом.

4.3 Полевые транзисторы с индуцированным каналом

Предыдущие МОП -транзисторы имели встроенный канал (p или n-типа). Эти транзисторы при Uзи=0 проводят. В полевом транзисторе с индуцированным каналом при Uзи=0 ток отсутствует.

Рис. 45.

Структура транзистора с индуцированным каналом p-типа представлена на рис. 45. В теле подложки n-типа имеются две сильно легированные области с противоположным относительно подложки типом проводимости (p-типа). Одна из этих областей используется как исток И, другая – каксток С. Электродзатвора З изолирован от полупроводниковой пластины слоем диэлектрика (SiO₂) толщиной 0,2…0,3 мкм. Исток, сток и подложка имеют контакты с соответствующими полупроводниковыми областями и снабжены выводами.

Т.к. высоко легированные р-области истока и стока с полупроводником подложки n-типа образуют p-n переходы, то при любой полярности напряжения сток-исток один из этих переходов оказывается включенным в обратном направлении и препятствует протеканию тока канала, следовательно, между истоком и стоком отсутствует токопроводящий канал.

При подаче отрицательного напряжения на затвор его отрицательный потенциал отталкивает электроны в подложке n-типа от затвора. При некотором отрицательном пороговом напряжении на затворе относительно истока и подложки Uзи пор<0 в подложке n-типа возникает обедненный основными носителями (электронами) инверсный поверхностный слой р-типа, образованный дырками. Этот слой соединяет р-области истока и стока и формирует между ними токопроводящий канал p-типа. Дырки в индуцированном канале являются неосновными носителями заряда n-области, поэтому считается, что канал работает в режимеобогащения.

Изображение на схеме МОП-транзистора с индуцированным каналом p-типа показано на рис. 45. У такого транзистора канал показан в виде прерывистой линии, которая подчеркивает, что собственный проводящий канал между стоком и истоком отсутствует. Типы транзисторов с индуцированным каналом p-типа: КП 301, КП 304.

Рис. 45.

Входные и выходные характеристики транзистора с индуцированным каналом p-типа приведены на рис. 46. Транзистор начинает проводить ток при |Uзи|=|Uпор|. Здесь Uпор называется - пороговое напряжение.

Рис. 46.

На рис. 47 показано изображение МОП - транзистора с индуцированным каналом n-типа. Входная характеристика приведена на рис. 48.

Рис. 47. Рис. 48.

Крутизна

Как можно судить о качестве полевого транзистора? У биполярного транзистора важнейшим параметром является коэффициент усиления по току, который определяется отношением токов. В случае полевого транзистора ток стока Iс управляется напряжением Uзи между затвором и истоком. Таким образом, о способности транзистора усиливать можно судить по величине отношения Iс/Uзи, которое имеет размерность проводимости. Эта величина называется крутизной, обозначается буквойS и определяется как отношение

S=dIс/dUзи.

Если Iс измеряется в миллиамперах, а Uзи - в вольтах, то крутизна S указывается в мA/B или в миллисименсах (мСм).