лекции нанотех Горбунов / Лекция 3

АСМ «за работой»

Пентацен на Cu(111)

Квантовые точки GaAs и поверхность графита

Поверхность Si(111)

Клетки и эритроцит

Локальное травление поверхности кремния

Затруднения при работе с АСМ

Определение геометрических параметров острия зонда.

Локальная деформация острия и объекта измерений.

Локальная спектроскопия, определение химического состава (развивать).

Учитывать влияние окружающей среды

(в отсутствие вакуума).

Измерение геометрических параметров и морфологии сложных объектов.

Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ)

Измерение рельефа поверхности

(измерение рельефа поверхности приводит

к изменению туннельного тока)

jt j0 (Vt ) e B z

Измерение плотности электронных

состояний

djt (E,x,y) dVt

U eV

Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ)

Фиксирована сила туннельного тока

V

Фиксировано расстояние до поверхности

Струткура поверхности Si(111)-7×7