
- •Физические основы получения информации
- •Р. А. Ахмеджанов, а. И. Чередов физические основы получения информации
- •Введение
- •1. Общие вопросы получения информации
- •1.1. Основные понятия и определения
- •1.3. Виды и методы контроля
- •1.4. Основные характеристики средств измерений
- •1.5. Погрешности измерений и средств измерений
- •1.6. Обеспечение единства измерений
- •2. Взаимодействие поля с веществом
- •2.1. Взаимодействие электрического поля с веществом
- •2.1.1. Взаимодействие электрического поля с диэлектрическими веществами
- •2.1.2. Взаимодействие электрического поля с проводниковыми веществами
- •2.1.3. Взаимодействие электрического поля
- •2.2. Взаимодействие электромагнитного поля с веществом
- •2.3. Взаимодействие магнитного поля с веществом
- •2.3.1. Общие сведения о магнитных веществах
- •2.3.2. Основные характеристики магнитных материалов
- •2.4. Взаимодействие акустического поля с веществом
- •2.4.1. Общие сведения об акустических волнах
- •2.4.2. Основные параметры акустических волн
- •2.4.3. Распространение акустических волн в среде
- •3.Физические эффекты, использующиеся для получения информации
- •3.1. Физические эффекты с электрическими результатами воздействия
- •3.1.1. Тензорезистивный эффект
- •3.1.2. Терморезистивный эффект
- •3.1.3. Магниторезистивный эффект (эффект Гаусса)
- •3.1.4. Эффект Зеебека Эффект Зеебека– возникновение эдс в цепи, состоящей из двух разных проводников (или полупроводников), соединенных концами при различной температуре мест их соединений.
- •3.1.5. Пьезоэлектрический эффект
- •3.1.6. Эффект Холла
- •3.2. Физические эффекты с магнитными результатами воздействия
- •3.3. Физические эффекты с оптическими результатами воздействия
- •3.3.1. Фотоупругий эффект
- •3.3.2. Эффект Фарадея
- •3.3.3. Эффект Керра
- •3.3.4. Эффект Поккельса
- •3.3.5. Эффект Доплера
- •3.3.6. Голографический эффект
- •3.4. Физические эффекты с тепловыми результатами воздействия
- •4. Первичные измерительные преобразователи
- •4.1. Общие сведения и основные характеристики пип
- •4.2. Динамические модели пип
- •4.2.1. Механические элементы
- •4.2.2. Тепловые элементы
- •4.2.3. Электрические элементы
- •4.2.4. Электрические аналогии
- •4.3. Классификация первичных измерительных преобразователей
- •4.4. Резистивные пип
- •4.4.1. Терморезистивные датчики
- •4.4.2. Магниторезистивные датчики
- •4.4.3. Тензорезистивные датчики
- •4.4.4. Фоторезистивные пип
- •4.4.5. Измерительные цепи резистивных пип
- •4.5. Емкостные пип
- •4.5.1. Конструкции и основные характеристики емкостных датчиков
- •4.5.2. Погрешности емкостных пип
- •4.5.3. Измерительные цепи емкостных датчиков
- •4.6.1. Области применения и материалы термоэлектрических пип
- •4.6.2. Характеристики термоэлектрических преобразователей
- •4.6.3. Погрешности термоэлектрических преобразователей
- •4.7.1. Материалы и основные характеристики пьезоэлектрических датчиков
- •4.7.2. Погрешности пьезоэлектрических датчиков
- •4.7.3. Измерительные цепи
- •4.8. Электромагнитные пип
- •4.8.1. Индуктивные пип
- •4.8.2. Трансформаторные (взаимоиндуктивные) пип
- •4.8.3. Магнитоупругие пип
- •4.8.4. Индукционные пип
- •4.8.5. Магнитомодуляционные пип
- •4.8.6. Вихретоковые пип
- •Библиографический список
- •Основные термины в области метрологии: словарь-справочник / м.Ф. Юдин и др.; под ред. Тарбеева. – м.: Изд-во стандартов, 1989. – 113 с.
- •Ложников, в.Я. Введение в специальность «Информационно-измерительная техника»: учеб. Пособие / в.Я. Ложников. – Омск: Изд. ОмПи, 1987. – 83 с.
- •Физические основы получения информации Учебное пособие
2.3. Взаимодействие магнитного поля с веществом
На анализе взаимодействия магнитного поля и объекта контроля или измерения основаны магнитные виды контроля и измерений. Они применимы к объектам, которые способны намагничиваться. Магнитные виды контроля и измерения широко используются в дефектоскопии, структуроскопии, при измерении размеров и других физических величин.
2.3.1. Общие сведения о магнитных веществах
При взаимодействии вещества с магнитным полем одной из характеристик, определяющей это взаимодействие, является магнитная восприимчивостьχ, которая показывает способность вещества приобретать определенную намагниченность М под действием внешнего магнитного поля.
Намагниченность связана с напряженностью зависимостью [17]
.
(2.23)
Магнитная восприимчивость зависит от многих факторов: напряженности магнитного поля Н, температуры, давления, способа изготовления, термообработки и химического состав, а также от «магнитной предыстории» материала.
В зависимости от модуля и знака магнитной восприимчивости χ все вещества условно делят на диамагнетики, парамагнетики и ферромагнетики.
Диамагнетикиимеют отрицательную магнитную восприимчивость: χ = –(10-5… 10-7), т. е. они намагничиваются во внешнем магнитном поле навстречу вектору напряженности этого поля. Примерами диамагнетиков являютсяSi,Bi,Au,Cuи другие вещества, а также некоторые органические и неорганические вещества.
Парамагнетикинамагничиваются во внешнем магнитном поле по направлению вектора его напряженности, т. е. имеют положительную магнитную восприимчивость: χ = (10-1… 10-5). К ним относятсяAl,Pt,Cr,Mn, ферромагнетики при температурах, превышающих температуру Кюри.
В технике в качестве магнитных материалов диа - и парамагнетики практически не используются.
В качестве магнитных материалов техническое значение имеют ферромагнитныеиферримагнитные(ферриты)материалы, у которых при температуре, меньшей точки Кюри, устанавливается состояние самопроизвольной намагниченности и которые характеризуются высоким значением магнитной восприимчивости (χ = 1… 105), большой ее зависимостью от значения напряженности внешнего магнитного поля. К ним относятся: Fе, Ni,Со и их сплавы, сплавы хрома и марганца, ферриты различного состава и др. материалы.
Первопричиной магнитных свойств
материала являются внутренние скрытые
формы движения электрических зарядов,
представляющие собой элементарные
круговые токи, обладающие магнитными
моментами. Такими круговыми токами
являются орбитальное вращение электронов
и "собственное вращение"электронов (электронные
спины). Явление ферромагнетизма
связано с образованием внутри
некоторых материалов при температурах
ниже точки Кюри таких кристаллических
структур, при которых в пределах
макроскопических областей, называемых
магнитными доменами (размер доменов
(объем)составляет
10-8–10-12м3при толщине пограничных слоев между
ними в 10-8–10-9м), электронные спины оказываются
ориентированными взаимно параллельно.
Эта область намагничена до насыщения
и представляет собой относительно
сильный постоянный магнит. Она
характеризуется магнитным
моментом
домена.
Если нет внешнего магнитного
поля, то магнитные моменты доменов
направлены беспорядочно и взаимно
компенсируют друг друга, т. е.
намагни-ченность материала равна нулю.
При наложении внешнего магнитного поля
вещество увеличивает свой магнитный
момент за счет возникновения элемен-
тарных магнитных моментов. Это свойство
вещества получило название намагничивание
вещества (материала).
В качестве его меры принят вектор
намагниченности ,
количественно равный магнитному моменту
некоторого объемаVвещества в точке внутри него:
.
(2.24)
Ферромагнетики –магнитные материалы, в которых наблюдается явление самопроизвольного образования магнитных доменов со взаимно параллельными спинами (рис. 2.5а).
Ферримагнетики –магнитные материалы, у которых минимуму потенциальной энергии системы отвечает антипараллельное расположение спинов с некоторым преобладанием одного направления над другим (рис. 2.5б).
Ф а б Рис. 2.5ерримагнетики
имеют меньшую величину индукции
насыщения, чем ферромагнетики, и обладают
высоким у