5.3. Упражнения и задачи к разделу 4

1. В схеме рис. 5.17 R₁ = 200 Ом,R₂ = 2 кОм,R₃ =,R_П=0,R_o = =,E = 2 В.

ОпределитьU_вых, если:U_вх = 4 В; – 4 В.

Рис. 5.17

2. В схеме рис. 5.17 входное напряжение представляет одиночный импульс длительностью 20 мкс и амплитудой U_М= 5 В. Для исходных данных задачи 1 иС₁ = 100 пФ рассчитать и построитьU_вых(t).

3. Выполнить решение задачи 2, если входной сигнал изменяется по закону: U_вх (t) =U_м^(t)U_м^(tt₁) +U_м^(tt₂).

Дополнительно определить максимальное обратное напряжение на диоде и максимальный ток через диод.

4. В схеме рис. 5.18 R_Г1= 0,R_Г2= 0,R₁=5 кОм,R₂=,С₁= 0,Е = 5 В.

Определить U_выхпри следующих значениях входных сигналов:

1. U_вх1= 1 В,U_вх2= 1 В;

2. U_вх1 = 1 В, U_вх2 = 4 В;

3. U_вх1= 4 В, U_вх2 = 4 В.

Рис. 5.18

Принять R_п= 0,R₀=.

5. В схеме рис. 5.18 R_г1= 200 Ом,R_г2= 200 Ом,R₁= 1 кОм,R₂=,С₁= 0,Е = 5 В.

Определить U_выхпри следующих значениях входных сигналов:

1. U_вх1= 1В,U_вх2= 1 В;

2. U_вх1= 1 В,U_вх2= 4 В;

3. U_вх1= 4 В,U_вх2= 4 В.

Принять R_п= 0,R₀=.

6. В схеме рис. 5.18 R_г1 = 0, R_Г2 = 0, R₁ = 10 кОм, R₂ =, С₁ = = 100 пФ,Е = 10 В,U_вх1 = 5 В,U_вх2 =U_мU_м^(t)U_м^(tt₁),U_м = = 5 В,t₁ = 20 мкс.

Принять R_п= 0,R₀=. Определить и построитьU_вых(t).

7. В схеме рис. 5.18 R_г1= 0,R_г2 = 0,R₁ = 10 кОм,R₂ =,С₁ = = 200 пФ,Е = 10 В,U_вх1= 15 В,U_вх2=U_м^(t)^(tt₁),U_м=15 В,t₁ = 20 мкс; 100 мкс.

Принять R_п= 0,R₀=. Определить и построитьU_вых(t).

8. В схеме рис. 5.19 Е_к = 12 В,Е_б=1 В,U_вх= 0,R₁= 0,R₂= 0,R₃= 10 кОм,R₄= 2 кОм,R₅ =,С₁= 0,С₂= 0,₀ = 40,I_ко= = 10 мкА. В каком состоянии находится транзистор?

Напряжение U_бэздесь и далее считать равным 0.6 В.

9. Как изменится состояние схемы рис. 5.19, если в условиях задачи 8 принять Е_б= 2 В?

Рис. 5.19

10. Каким должно быть напряжение Е_бв задаче 8, чтобы транзистор находился в активном режиме?

11. В схеме рис. 5.19 Е_к = 15 В,Е_б=5 В,,R₁= 10 кОм,R₂= 0,R₃=10 кОм,R₄= 1 кОм,R₅=,С₁= 0,С₂= 0,₀= 40,I_ко = 10 мкА. При каких значенияхU_вхтранзистор будет находиться в режимах запирания, насыщения и активном?

12. Запишите условия обеспечения статического режима ключа (см. рис. 5.19) при наличии нагрузочного резистора R₅.

13. Транзисторный ключ (рис. 5.19) управляется симметричным прямоугольным напряжением с длительностью положительных импульсов 100 мкс и частотой следования импульсов 5 кГц. Амплитудные значения входного сигнала U_м=10 В,Е_к=15 В,Е_б=0,R₁= 1 кОм,R₂= 1 кОм,R₃=10 кОм,R₄= 2 кОм,R₅ =,С₁= 50 пФ,С₂= 0. Параметры транзистора:₀= 40,I_ко= 10 мкА,U_бэ0=0.6 В,I_ко=5 мкА,С_э=50 пФ,С_к=10 пФ,f_=20 мГц. Рассчитать длительности переходного процесса.

14. Рассчитайте длительности переходного процесса в задаче 13, если входной сигнал однополярный (t_и = 100 мкс,Т = = 200 мкс), а такжеС₁ = 1000 пФ.

15. От каких параметров схемы рис. 5.19 зависят время включения, время рассасывания, время выключения транзисторного ключа?

16. Какими способами можно уменьшить время рассасывания в транзисторном ключе?

17. Транзисторный ключ (рис. 5.19) управляется скачкообразным прямоугольным напряжением, меняющим свое значение в момент t = 0 отЕ_г2 = –2 В доЕ_г1 = 3 В.R₁= 2 кОм,R₂= 0,R₃ = 0,R₄ = 2 кОм,R₅ =,С₁= 0,С₂= 0. ПринятьС_э = 50 пФ,С_к = 10 пФ,f_ = 20 мГц. Рассчитать длительность задержки выходного сигнала.

18. В схеме рис. 5.19 базовый ток нарастает по закону . При исходных данных задачи 17 рассчитатьметодом заряда длительность фронта нарастания тока коллектора.

19. Исходные данные те же, что и в задаче 17. Дополнительно принять R₅ = 2 кОм,С₁ = 100 пФ. Рассчитать длительности фронтов включения, выключения, а также время рассасывания.

20. При условиях задачи 13 рассчитайте мощность потерь в коллекторной цепи транзистора.