
- •Статистические распределения фермионов и бозонов
- •Большое каноническое распределение квантовой системы
- •Результат выражается через статистическую сумму (4.5а)
- •Распределение Бозе–Эйнштейна
- •Электронный газ металла и полупроводника
- •Трехмерный электронный газ
- •Для типичного металла постоянная решетки, концентрация электронов, энергия Ферми и плотность состояний
- •Ферми-поверхность металлов Na, Cu, Ca
- •Собственная проводимостЬ полупроводника
- •Двухмерный электронный газ
- •Одномерный электронный газ
- •Кондактанс баллистического проводника
- •Коллоквиум
- •Экзамен
Одномерный электронный газ
В квантовой проволоке находится газ нерелятивистских электронов. Получим распределение электронов по энергии и химический потенциал.
Закон дисперсии частицы в квантовой проволоке, расположенной вдоль оси z:
,
.
Считаем
проволоку
тонкой, концентрацию электронов низкой,
в результате все электроны находятся
в нижней зоне поперечного квантования
с энергией
.
Температуру проволоки считаем настолько
малой, что переходы на следующий уровень
под действием теплового движения
маловероятны
,
.
Распределение электронов по энергии. Плотность состояний на единице длины проволоки ниже второй зоны получена в (П.8.6)
,
.
Число
электронов на единице длины проволоки
в интервале энергии
равно
.
(4.41)
Линейную концентрацию находим интегрированием. Учитывая быстрое убывание функции распределения с ростом энергии, верхний предел считаем бесконечным, тогда число электронов на единице длины
.
(4.42)
В
интеграле заменяем
,
и получаем
.
Вырожденный газ. При низкой температуре
вычисляем интеграл, используя разложение Зоммерфельда:
.
При
находим
.
Подстановка в (4.42)
дает
.
Возводим в квадрат
.
Используя
при
,
упрощаем квадратную скобку,
.
(4.43)
Учтено,
что из (4.43) при
следует
.
(4.43а)
Энергия Ферми увеличивается с ростом линейной концентрации и с уменьшением массы частицы. Полагаем в знаменателе второго слагаемого (4.43)
,
(4.43б)
находим
.
(4.43в)
Химический потенциал увеличивается с ростом температуры.
Условие вырождения газа с учетом (4.43а)
ограничивает температуру
.
(4.44)
Условие нахождения электронов в нижней зоне
,
с учетом (4.43а) дает
,
и ограничивает сверху линейную концентрацию
.
(4.45)
Для вырожденного газа с учетом (4.44) и (4.45) получаем
,
.
(4.46)
Если
спектр поперечных движений близок
к спектру
двухмерной, бесконечно глубокой
потенциальной ямы с прямоугольным
поперечным сечением
,
тогда
.
При
a
> b
находим
и
,
тогда из (4.45) получаем условие
нахождения электронов в нижней зоне
.
Импульс Ферми. Из (4.43а)
находим
.
(4.47)
Самая короткая длина волны де Бройля в газе
.
Учитывая
,
где d – характерное расстояние между частицами, получаем
.
Следовательно, волновые функции соседних частиц перекрываются, существенна интерференция между частицами, и газ вырожденный.
Кондактанс баллистического проводника
Кондактанс G (от англ. conductance – проводимость) – полная проводимость проводника, величина обратная сопротивлению
,
,
.
(4.62)
Баллистический проводник (от греч. βάλλω – бросать) имеет протяженность, меньшую длины свободного пробега, и электроны пролетают его без рассеяния. Это происходит, например, при комнатной температуре в углеродных нанотрубках диаметром 5–25 нм, длиной до 10 мкм или в гетероструктуре GaAs–AlGaAs длиной до 100 мкм, при температуре 0,5 К с двумерным электронным газом в слое толщиной 5 нм. Отсутствие рассеяния зарядов не означает обращения сопротивления в нуль. Сопротивление баллистического проводника вызвано ограниченностью объема фазового пространства состояний, переносящих ток. Ограниченность обусловлена концами баллистического проводника, где он соединяется с обычным проводником, там и возникает сопротивление. В пределах баллистического проводника падение напряжения отсутствует.
Кондактанс баллистического проводника не зависит от материала проводника и его длины, а зависит от поперечного размера, сравнимого с длиной волны де Бройля. Кондактанс пропорционален числу поперечных мод, т. е. независимых видов поперечного движения, и выражается через мировые постоянные формулой Ландауэра (1970 г.).
Рольф Ландауэр (1927–1999)
Известен также принцип Ландауэра (1961 г.) – стирание 1 бита информации в памяти вычислительной системы приводит к выделению тепла
.
При
выделяется
.
Эта минимальная энергия необходима для
обработки 1 бита информации и равна
высота барьера, разделяющего два
состояния электрона в устройствах
электронной памяти.
Эффективный поперечный размер и кондактанс можно изменять электрическим полем затвора. Такое устройство – квантовый точечный контакт предложил Юрий Васильевич Шарвин в 1965 г. Он же впервые исследовал баллистический проводник.
Формула
Ландауэра.
Баллистический проводник соединен с
термодинамически равновесными контактами
1 и 2, на которые подана разность потенциалов
U.
В контактах при низкой температуре
состояния заполнены электронами до
уровней Ферми
и
.
Напряжение создает электрохимические
потенциалы электронного газа в контактах
,
и
вызывает в проводнике электрический
ток. Каждое состояние ниже уровня Ферми
заполнено одним электроном. Число
электронов ,
прошедших проводник, равно числу
состояний n
одномерного движения с учетом кратности
вырождения
,
где
учитывает две проекции спина электрона
и
–число
поперечных мод проводника,
то есть уровней поперечного квантования.
В результате
.
Найдем число состояний n одномерного движения.
Распределения электронов в сообщающихся контактах
при низкой температуре
Каждое состояние одномерного движения занимает фазовый объем h, тогда число состояний
.
Для
получения фазового объема
дифференцируем
,
находим
.
Для электронов, прошедших проводник
,
,
тогда фазовый объем
,
где
– время движения электрона по проводнику. В результате число прошедших электронов
.
Проходящий
заряд
создает ток
.
(4.63)
Для
сопротивления
и кондактанса между контактами 1 и 2 при
низкой температуре получаемформулу
Ландауэра
,
.
(4.64)
Величины не зависят от длины и материала проводника. Для одномодового баллистического проводника
,
.
(4.64а)
Величина
равна кванту сопротивления (1.36),
рассмотренному ранее. Множитель 2 связан
с двумя проекциями спина электрона.
Проводимость при конечной температуре. Распределение электронов
зависит от температуры. Ток из одного контакта заполняет электронами свободные состояния в другом контакте, и вместо (4.63)
получаем
,
.
При малом различии между химическими потенциалами разлагаем разность распределений в ряд Тейлора, и оставляем первое слагаемое
.
В результате получаем
,
.
(4.65)
С учетом (4.8в)
область интегрирования (4.65) находится вблизи уровня Ферми.
Число
поперечных мод
равно числу видов движений, перпендикулярных
проводнику и отличающихся длиной волны.
На непроницаемых стенках проводника
волновая функция в виде стоячей волны
имеет узлы, и на поперечном сечении
проводника ширинойd
укладывается целое число
полуволн
,
тогда
.
При
низких температурах активизированы
состояния около уровня Ферми. Энергия
частицы
складывается из энергий поперечного
и продольного
движений, тогда
.
С учетом
,
находим
минимальную длину волны, соответствующую
и равную
.
Рост
увеличивает
.
Перераспределение энергии
между продольным и поперечным движением
создает число поперечных мод
,
(4.66)
где
[…] означает
целую часть. Чем шире проводник, тем
больше поперечных мод при фиксированной
энергии Ферми. Для полевого
транзистора шириной
с
получаем
и
.
На
сочленениях цепи, где широкий резервуар
соприкасается с узким проводником, моды
перестраиваются, меняется их длина
волны и число. Сопротивление
баллистического проводника, находящегося
между
резервуарами,
вызвано перестройкой поперечных мод в
местах сочленения.
Если они симметричные, то, согласно
(4.65)
,
каждое сочленение с одномодовым
проводником создает сопротивление
.
Приложенное напряжение падает на сочленениях, как показано на рисунке.
Для
проводника шириной d
из (4.64) для одной проекции спина кондактанс
,
и из (4.66)
получаемпроводимость
Шарвина
.
(4.67)
Увеличение
ширины проводника повышает проводимость
скачком на
каждый раз, когда появляется очередная
мода, т. е. при выполнении
.
(4.68)
где
– целое число.
В
эксперименте 1988 г. Wees
и Houten
изменялось число поперечных мод
электронного газа в гетероструктуре
,
показанной на рис.а.
Двухмерный электронный газ изображен
серой полосой 2. Газ
соединен с резервуарами электронов 1 и
5. Параметры газа:
;
;
концентрация электронов
;
длина свободного пробега
.
На электроды 3 и 4, расположенные над
слоем
на расстоянии
друг от друга, подается одинаковый и
варьируемый потенциал
.
Электроды образуютрасщепленный
затвор.
Поле затвора «выдавливает» электроны
газа из области вблизи электродов и
сужает область, доступную для движения
по оси y.
а б
(а) – контакт с расщепленным затвором 3-4,
(б) –
зависимость кондактанса от ширины
контакта по осиy,
Образуется
квантовый
точечный контакт,
контролирующий число поперечных мод
путем вариации эффективной ширины
контакта d.
Зависимость кондактанса от d
при
показана на рисункеб
сплошной линией. При монотонном росте
d
каждый раз, когда достигается выполнение
(4.68), величина кондактанса увеличивается
скачком на
.
Шаг эффективной ширины в проведенном
эксперименте составлял
.
При повышении температуры уровень Ферми
и
размываются, ступени графика получают
наклон, показанный пунктиром. При
,
где
– энергия поперечного квантования,
ступени графика сглаживаются, он
превращается в прямую линию, соответствующую
классической зависимости
– проводимость пропорциональна ширине
проводника.