Исследование полупроводниковых диодов

«Исследование полупроводниковых диодов»

1. Снять вольт-амперные характеристики (ВАХ) I(U) двух диодов: германиевого Д7 и кремниевого Д226.

   1. Собрать схему для снятия прямой ветви ВАХ диода (а)

2. Прямой ход

Тип диода: Д9 германиевый Iпр.макс= 15 mA R=1кОм Uпр, В 0,5 0,39 0,33 0,27 Iпр, mA 15 8 4 2 Тип стабилитрона: KC147 кремниевый Iпр.макс= 15 mA R=1кОм Uпр, В 0.69 0.66 0.63 0.6 Iпр, mA 15 8 4 2

Тип диода: Д102 кремниевый Iпр.макс= 15 mA R=1кОм Uпр, В 1,6 1,3 1,1 1 Iпр, mA 15 8 4 2

3. Собрать схему для снятия прямой ветви ВАХ диода (б)

4. Обратный ход

Тип диода: Д9 германиевый U обр.макс = 14,6 B R=1кОм Uобр, В 15 10 5 Iобр, мкA 4 2 1,5

Тип стабилитрона: KC147 Uобр.макс = 14,5 B R=1кОм Uобр, В 4,9 4,5 4,2 3,8 Iобр, мкA 8 4 2 0,5

Схемы для снятия прямой (а) и обратной (б) ветвей ВАХ диода:

R1 = (0,1-1,0) кОм; ИП – БП 15.

Пределы измерений: mA (пр. ветвь) – (15-30) mA; mA(обр.ветвь) – 0,75 mA; V(пр. ветвь) – 1,5 B; V(обр. ветвь) – 15В

2. Построить ВАХ обоих диодов

3. Вычислить

R_пр=

R_обр=

R_дифф.=dU/dI при I=I_{пр.макс}/2 :

при I=I_{пр.макс}/10 :

R_pn=φ_т/I , где φ_т – тепловой потенциал (26 мВ).

4. Рассчитать коэффициент стабилизации:

К_стаб = [(U_ип'– U_ип)/U_ип]/[(U_н'– U_н)/U_н].

К_стаб=

5. Сделать выводы по работе: