
- •Глава 9. Керамические конденсаторные материалы и технология производства керамических
- •9.1. Сегнетоэлектрические вещества
- •Характеристики некоторых сегнетоэлектриков со структурой перовскита
- •Примеры соединений сложного состава со структурой перовскита
- •Примеры сегнетоэлектриков со слоистой перовскитоподобной структурой
- •9.1.1. Понятие об антисегнетоэлектриках
- •Антисегнетоэлектрики кислородно-октаэдрического типа
- •9.1.2. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом
- •9.2. Классификация керамических конденсаторных материалов и общие принципы их получения
- •9.2.1. Керамические материалы для конденсаторов первого типа – высокочастотная конденсаторная керамика
- •9.2.2. Основные физико-химические принципы получения высокочастотной конденсаторной керамики
- •9.2.3. Высокочастотные керамические конденсаторные материалы
- •Характеристики различных модификаций ТiO2 и некоторых титанатов
- •Электрические свойства барийлантаноидных тетратитанатов
- •9.2.4. Керамические материалы для конденсаторов второго типа – конденсаторная сегнетокерамика
- •9.2.5. Материалы с максимальной диэлектрической проницаемостью
- •Относительное изменение реверсивной диэлектрической проницаемости для некоторых керамических материалов с максимальной при различных напряженностях постоянного электрического поля
- •Фундаментальные физические характеристики некоторых индивидуальных сегнетоэлектриков (данные для монокристаллов)
- •Упругость паров оксида свинца при различных температурах
- •9.2.6. Материалы с повышенной стабильностью диэлектрической проницаемости
- •Относительное изменение реверсивной диэлектрической проницаемости для некоторых стабильных сегнетокерамических материалов при различных напряженностях постоянного электрического поля
- •9.3. Керамические конденсаторы
- •Диэлектрические потери в электродах монолитных конденсаторов
- •Глава 10. Химия и технология позисторной
- •10.2. Применение керамических терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления
- •Электрические параметры терморезисторов
- •10.3. Получение титаната бария
- •10.4. Формирование полупроводниковых свойств титаната бария
- •10.5. Позисторный эффект
- •Сопротивления образцов позисторной керамики
- •10.6. Особенности технологии позисторной керамики
9.1.1. Понятие об антисегнетоэлектриках
Антисегнетоэлектриками называются кристаллы, в которых при фазовом переходе ионы в соседних элементарных ячейках смещаются из положения равновесия не параллельно, а антипараллельно. При этом, естественно, спонтанная поляризация всего кристалла равна нулю. В таком кристалле трансляционная симметрия соблюдается для удвоенной или более сложной элементарной ячейки, что выявляется при рентгеноструктурных исследованиях. Схема кристалла антисегнетоэлектрика приведена на рис. 102.
|
Рис. 102. Проекция на плоскость (001) антисегнетоэлектрической структуры РbZrO3 Стрелки показывают направление сдвигов ионов свинца. Каждый квадрат соответствует элементарной ячейке с параметром ао, содержащей формульную единицу РbZrO3. Сплошной линией обведена проекция ромбической элементарной ячейки Поскольку спонтанная поляризация в антисегнетоэлектриках отсутствует, то в них отсутствуют доменная структура и связанные с ней свойства (полевые зависимости и tg, пьезоэффект, старение и др.). При воздействии сильных полей антисегнетоэлектрик может перейти в сегнетоэлектрическое состояние, что проявляется в так называемых двойных петлях диэлектрического гистерезиса (рис. 103). При уменьшении напряженности поля вновь возникает антисегнетоэлектрическое состояние.
|
|
Рис. 103. Двойная петля диэлектрического гистерезиса антисегнетоэлектрика |
В табл. 19 приведены характеристики некоторых антисегнетоэлектриков кислородно-октаэдрического типа.
Таблица 19
Антисегнетоэлектрики кислородно-октаэдрического типа
Формула соединения |
Температура точки Кюри, °С |
PbZrO3 |
230 |
NaNbO3 |
354 |
PbMg0,5W0,5O3 |
39 |
PbCo0,5W0,5O3 |
30 |
Pb3V2O8 |
100 |
Антисегнетоэлектрикам присущи: максимум в температурной зависимости диэлектрической проницаемости, аномалия температурной зависимости коэффициента термического расширения в точке фазового перехода, закон Кюри-Вейсса в параэлектрической фазе и некоторые другие особенности, свойственные сегнетоэлектрикам.
9.1.2. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом
В бинарных или многокомпонентных системах сегнетоэлектрических и несегнетоэлектрических соединений наблюдается, как правило, монотонная зависимость температуры точки Кюри от концентрации исходных соединений (рис. 104). В этом случае, если при образовании твердых растворов соединений сложного состава ионы, занимающие одинаковые кристаллографические положения, расположены неупорядоченно, возникают микрообласти, обедненные или обогащенные ионами одного сорта, т. е. так называемые флуктуации состава. При этом, как видно из диаграммы рис. 104, каждой микрообласти кристалла с концентрацией компонентов qi будет соответствовать присущая ей температура точки Кюри ТС, а фазовый переход кристалла будет «размыт» на некоторую область температур Т (часто называемую «областью Кюри»).
|
Рис. 104. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом. Зависимость температуры точки Кюри твердого раствора веществ А и В от концентрации компонентов
|
Вследствие размытия фазового перехода температурная зависимость диэлектрической проницаемости будет сглаженной (рис. 105).
|
Рис. 105. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости для сегнетоэлектрика: 1 – с «неразмытым» фазовым переходом; 2 – с размытым фазовым переходом
|
Эффект размытия фазового перехода имеет большое значение для применения сегнетоэлектриков в конденсаторостроении.
Электрические свойства сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом имеют некоторые особенности, наиболее значимые из которых следующие.
Закон Кюри–Вейсса не выполняется. Диэлектрическая проницаемость при температурах выше точки Кюри зависит от квадрата разности температур
1/ = А + В (Т – ТС)2, |
(97) |
где ТС – температура точки Кюри, соответствующая «макроскопической» концентрации компонентов (рис. 105).
Диэлектрическая проницаемость и tg зависят от частоты уже в диапазоне звуковых и радиочастот, причем эти зависимости носят характер релаксационной поляризации (рис. 106).
Т, оС |
Рис. 106. Температурная зависимость (сплошные линии) и tg (пунктирные линии) ниобата свинца-магния: 1 – 0,4 кГц; 2 – 1 кГц; 3 – 45 кГц; 4 – 450 кГц; 5 – 1500 кГц; 6 – 4500 кГц |
Наиболее хорошо изученным сегнетоэлектриком с размытым фазовым переходом является ниобат свинца-магния РbМg1/3Nb2/3O3, в котором в октаэдрических положениях неупорядоченно находятся ионы Мg2+ и Nb5+. Зависимости (Т) и tg(Т) для этого соединения приведены на рис. 106.
В области температур, близких к ТС, плавно изменяются такие характеристики сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом, как пьезомодуль, спонтанная поляризация, коэрцитивное поле и другие. Доменная структура проявляется при температурах ниже «области Кюри» под действием электрического поля.
Объяснение особых электрических характеристик сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом может быть дано, если предположить, что в «области Кюри» положения равновесия полярных областей и границ между ними разделены потенциальным барьером. Это обстоятельство обусловливает их переориентацию или движение границ в электрическом поле с преодолением потенциального барьера и, соответственно, поляризацию подобно тепловой ионной релаксационной поляризации; при этом число релаксаторов зависит от температуры.