ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение |
3 |
Глава 1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ |
5 |
1.1. Отличие свойств диэлектриков от свойств металлов и полупроводников |
5 |
1.2. Электрические, электромеханические и электротепловые эффекты в диэлектриках |
11 |
1.3. Оптические явления в диэлектриках |
20 |
1.4. Некоторые физические основы модуляции оптического излучения |
27 |
Глава 2. МЕТОДЫ ПРОИЗВОДСТВА ПОРОШКОВ |
37 |
2.1 Оксидный метод |
39 |
2.2. Методы терморазложения и соосаждения |
42 |
2.3. Сжигание растворов |
48 |
Глава 3. РАСПЫЛИТЕЛЬНАЯ СУШКА СУСПЕНЗИЙ |
53 |
Глава 4. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА В ТЕХНОЛОГИИ КЕРАМИКИ |
61 |
4.1. Основные положения |
61 |
4.2. Структуры дисперсных материалов и эффект Ребиндера |
64 |
4.3. Поверхностно-активные вещества |
68 |
4.4. Механизмы и кинетика действия ПАВ |
72 |
4.5. Влияние ПАВ и подогрева на распылительную сушку |
82 |
Глава 5. ПОДГОТОВКА ШИХТ И ФОРМОВАНИЕ ИЗДЕЛИЙ |
88 |
5.1. Смешение, предварительный обжиг |
88 |
5.2. Измельчение |
93 |
5.3. Приготовление пресс–порошков |
98 |
5.4. Прессование |
100 |
5.5. Пластичное формование |
109 |
5.6. Сушка и удаление связок |
119 |
Глава 6. ОСНОВЫ СПЕКАНИЯ КЕРАМИКИ |
124 |
6.1. Стадии спекания |
124 |
6.2. Теории спекания |
134 |
6.3. Жидкофазное спекание и горячее прессование |
139 |
6.4. Основы рекристаллизации |
144 |
Глава 7. ОЦЕНКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МАТЕРИАЛОВ И ИЗДЕЛИЙ |
153 |
7.1. Свойства порошков |
153 |
7.2. Характеристики суспензий и пресс-порошков |
165 |
7.3. Характеристики заготовок и спеченных изделий |
170 |
7.4. Микроструктура керамики |
174 |
Глава 8. ФЕРРИТЫ ДЛЯ РАДИОЧАСТОТ 8.1. Характеристика и назначение |
181 181 |
8.2. Марганец-цинковые ферритообразующие системы |
186 |
8.3. Особенности спекания Мn – Zn-ферритов |
193 |
8.4. Промышленная технология Mn – Zn-ферритов |
197 |
8.5. Влияние предистории порошков на свойства ферритных изделий |
204 |
Глава 9. КЕРАМИЧЕСКИЕ КОНДЕНСАТОРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА КЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ |
211 |
9.1. Сегнетоэлектрические вещества |
211 |
9.1.1. Понятие об антисегнетоэлектриках |
215 |
9.1.2. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом |
216 |
9.2. Классификация керамических конденсаторных материалов и общие принципы их получения |
219 |
9.2.1. Керамические материалы для конденсаторов 1 типа – высокочастотная конденсаторная керамика |
224 |
9.2.2. Основные физико-химические принципы получения высокочастотной конденсаторной керамики |
224 |
9.2.3. Высокочастотные керамические конденсаторные материалы |
227 |
9.2.4.Керамические материалы для конденсаторов 2 типа – конденсаторная сегнетокерамика |
239 |
9.2.5. Материалы с максимальной диэлектрической проницаемостью |
240 |
9.2.6. Материалы с повышенной стабильностью диэлектрической проницаемости |
260 |
9.3. Керамические конденсаторы |
266 |
Глава 10. ХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ ПОЗИСТОРНОЙ КЕРАМИКИ |
277 |
10.1. Назначение и принцип действия позисторов |
277 |
10.2. Применение керамических терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления |
279 |
10.3. Получение титаната бария |
288 |
10.4. Формирование полупроводниковых свойств титаната бария |
292 |
10.5. Позисторный эффект |
297 |
10.6.Особенности технологии позисторной керамики |
299 |