Добавил:
ivanov666
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Физические основы электроники. Практикум
.pdf
61
хС = 1/(2πf
С) ≈ 0,1R= 100 Ом,
мин
а, следовательно, значение емкости конденсаторов определяется по формуле
С
бл1
= С
= Ср = 1/(2πf
бл2
мин
100).
Следует учесть, что значение частоты в эту формулу подставляется в
[Гц], а значение емкости конденсаторов получается в [Ф].
В полученном результате значение емкости конденсаторов необходимо
выразить в более удобных для восприятия производных единицах измерения.
Примечания:
1. По рассчитанным значениям емкости конденсаторов С
бл1
, С
и Ср вы-
бл2
брать ближайшее стандартизированное значение емкости в соответствии с рядом Е12. (см. ГОСТ 28884-90 (МЭК 63-63) Межгосударственный стандарт. Ряды предпочтительных значений для резисторов и конденсаторов).
2. По рассчитанным значениям сопротивлений резисторов RБ и Rк выбрать
ближайшее стандартизированное значение в соответствии с рядом Е24, а для
резистора Rк необходимо выбрать также стандартизированное значение мощности, которое должно быть больше, чем рассчитанное значение Рк (мощность
рассеивания на резисторе RБ на практике во много раз меньше, чем Рк, поэтому
резистор RБ может быть любой мощности). (см. ГОСТ 28884-90 (МЭК 63-63)
Межгосударственный стандарт. Ряды предпочтительных значений для резисторов и конденсаторов).
Задание: выполнить расчет простейшего усилителя на биполярном транзисторе на основе следующих данных: биполярный транзистор КТ-203 (основные параметры и характеристики приведены в Приложении Б); источник питания Ек = 8 В, полярность источника питания « - » (отрицательная), диапазон
частот f
= 20 кГц, f
мин
= 120 кГц.
макс
62
6. МАРКИРОВКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Маркировка полупроводниковых приборов аппаратуры связи и РТС общего
и военного назначения включает в себя классификацию полупроводниковых приборов по их исходному материалу изготовления, назначению, физическим свойствам, основным параметрам и конструктивным признакам.
Маркировка полупроводниковых приборов по ОСТ 1981 года
Маркировка полупроводниковых приборов по ОСТ 1981 года состоит из пяти элементов.
Первый элемент – буква или цифра, указывающая полупроводниковый ма-
териал, из которого изготовлен полупроводниковый прибор:
Г или 1 – для германия и его соединений;
К или 2 – для кремния и его соединений;
А или 3 –для арсенида галлия.
Примечание. Буквами (Г, К, А) маркируются полупроводниковые приборы,
которые можно применять только в бытовой и радиолюбительской аппаратуре, а
цифрами (1, 2, 3) – полупроводниковые приборы, предназначенные для использования в аппаратуре связи и РТС военного (специального) назначения, которые также могут применяться в любой бытовой и радиолюбительской аппаратуре.
Второй элемент – буква, определяющая подкласс (или группу) полупровод-
никовых приборов:
Т – транзисторы (биполярные);
П – полевые транзисторы;
Д – диоды выпрямительные, импульсные и универсальные;
С – стабилитроны;
В – варикапы;
И –туннельные диоды;
А – СВЧ-диоды;
Ц – выпрямительные столбы и блоки;
Н – динисторы (диодные тиристоры);
У – тринисторы (триодные тиристоры или просто тиристоры);
Третий элемент – цифра, определяющая функциональное назначение полупроводникового прибора. Наиболее важное значение третий элемент имеет для
подклассов: Т, П, С, Д, Н, У.
Транзисторы (подклассы Т и П):
1 – транзистор малой мощности низкой частоты (низкочастотный);
2 – транзистор малой мощности средней частоты (среднечастотный);
3 – транзистор малой мощности ВЧ и СВЧ;
4 – транзистор средней мощности низкой частоты;
5 – транзистор средней мощности средней частоты;
6 – транзистор средней мощности ВЧ и СВЧ;
63
7 – транзистор большой мощности низкой частоты;
8 – транзистор большой мощности средней частоты;
9 – транзистор большой мощности ВЧ и СВЧ.
Примечание.
Транзистор малой мощности: Р < 0,3 Вт;
средней мощности: 0,3 < Р < 1,5 Вт;
большой мощности: Р > 1,5 Вт.
Транзистор низкой частоты: fгр < 3 МГц;
средней частоты: 3 < fгр < 30 МГц;
высокой частоты (ВЧ): 30 < fгр < 300 МГц;
сверхвысокой частоты (СВЧ): fгр > 300 МГц.
Выпрямительные диоды и тиристоры (подклассы Д, Н, У):
1 – малой мощности (максимальный прямой ток: Iпр ≤ 0,3А);
2 – большой мощности (максимальный прямой ток: 0,3 < Iпр ≤ 10 А).
Стабилитроны (подкласс С):
1 – стабилитрон малой мощности (с напряжением U
2 – стабилитрон малой мощности (с напряжением 10 < U
3 – стабилитрон малой мощности (с напряжением 100 < U
4 – стабилитрон средней мощности (с напряжением U
5 – стабилитрон средней мощности (с напряжением 10 < U
6 – стабилитрон средней мощности (с напряжением 100 < U
7 – стабилитрон большой мощности (с напряжением U
8 – стабилитрон большой мощности (с напряжением 10 < U
9 – стабилитрон большой мощности (с напряжением 100 < U
< 10 В);
стаб
стаб
< 10 В);
стаб
стаб
< 100 В);
< 200 В);
стаб
< 100 В);
стаб
< 200 В);
стаб
< 10 В);
< 100 В);
стаб
стаб
< 200 В).
Четвертый элемент – две или три цифры (от 01 до 999), обозначающие
порядковый номер разработки данного типа полупроводникового прибора.
Примечание. Для транзисторов ВЧ и СВЧ (подклассы Т и П) порядковые
номера разработки распределены следующим образом: для транзисторов ВЧ: 01..
49; 101 ... 999, а для транзисторов СВЧ: 50 ... 99.
Для стабилитронов порядковый номер разработки определяет напряжение
стабилизации, например, номер разработки 33 для стабилитронов с маркировкой
133 означает: U
= 3,3 В; для стабилитронов с маркировкой 233 означает: U
стаб
33 В; для стабилитронов с маркировкой 333 означает: U
= 133 В.
стаб
стаб
=
Пятый элемент - буква, определяющая конкретные значения параметров
(группу по параметрам) данного полупроводникового прибора.
Примечание. В качестве дополнительных элементов маркировки полупро-
водниковых приборов могут использоваться буквы (которые располагаются между
вторым и третьим элементами маркировки) для обозначения различных сборок
элементов:
64
буква С – для обозначения сборки полупроводниковых приборов;
буква Р – для обозначения сборки с парным подбором;
буква Г – для обозначения сборки с подбором в четверки;
буква К – для обозначения сборки с подбором в шестерки.
Примеры маркировки
2Д202Б – кремниевый выпрямительный диод большой мощности, порядко-
вый номер разработки – 2, группа по параметрам – Б, предназначен для использо-
вания в аппаратуре специального (военного) назначения.
КС468А – кремниевый стабилитрон средней мощности с напряжением ста-
билизации – 6,8 В, группа по параметрам – А, предназначен для использования
только в бытовой аппаратуре.
1Т951В – германиевый сверхвысокочастотный биполярный транзистор
большой мощности, порядковый номер разработки – 51, группа по параметрам – В,
предназначен для использования в аппаратуре специального (военного) назначения.
КТ3102Е – кремниевый высокочастотный биполярный транзистор малой
мощности, порядковый номер разработки – 102, группа по параметрам – Е, предна-
значен для использования только в бытовой аппаратуре.
КТС530А – сборка кремниевых сверхвысокочастотных биполярных транзи-
сторов средней мощности, порядковый номер разработки – 30, группа по параметрам – А, предназначена для использования только в бытовой аппаратуре.
Маркировка полупроводниковых приборов до 1981 года
Полупроводниковые приборы, разработанные до 1981 года, имеют марки-
ровку в соответствии с системой, введенной в 1964 году. Данная система обозначений практически полностью идентична маркировке по ОСТ 1981 года. Отличие
заключается лишь в том, что в новой маркировке более детально с некоторыми изменениями раскрыты разновидности полупроводниковых диодов.
Маркировка полупроводниковых приборов до 1964 года
Маркировка полупроводниковых приборов, разработанных до 1964 года, со-
стоит из трех элементов.
Первый элемент – буква, определяющая группу полупроводниковых при-
боров:
Д – диоды полупроводниковые;
П – плоскостные транзисторы.
Второй элемент – число (от 1 до 999), определяющее исходный материал для
изготовления и функциональное назначение данного типа полупроводникового
прибора.
65
Диоды:
точечные германиевые 1 … 100
точечные кремниевые 101 … 200
плоскостные кремниевые 201 … 300
плоскостные германиевые 301 … 400
смесительные СВЧ-детекторы 401 … 500
умножительные 501 … 600
видеодетекторы 601 … 700
параметрические германиевые 701 … 750
параметрические кремниевые 751 … 800
стабилитроны 801 … 900
варикапы 901 … 950
туннельные 951 … 999
Транзисторы:
маломощные германиевые низкочастотные 1 … 100
маломощные кремниевые низкочастотные 101 … 200
мощные германиевые низкочастотные 201 … 300
мощные кремниевые низкочастотные 301 … 400
маломощные германиевые высокочастотные 401 … 500
маломощные кремниевые высокочастотные 501 … 600
мощные германиевые высокочастотные 601 … 700
мощные кремниевые высокочастотные 701 … 800
Третий элемент – буква, определяющая конкретные значения параметров
(группу по параметрам) данного полупроводникового прибора.
Примечание. Буква М перед маркировкой транзистора или диода обозначает,
что он предназначен только для массового применения: для бытовой или радиолюбительской аппаратуры. В РЭС специального (военного) назначения данный транзистор использоваться не может, так как его параметры и характеристики не отвечают жестким требованиям и недостаточно стабильны во времени и при температурном воздействии.
Примеры маркировки:
Д9Е – диод точечный германиевый, группа по параметрам – Е.
П16А – транзистор маломощный германиевый низкочастотный, группа по
параметрам – А.
П701В – транзистор мощный кремниевый высокочастотный, группа по па-
раметрам – В.
МП13Б – транзистор маломощный германиевый низкочастотный, группа по
параметрам – Б (для массового применения).
66
2Д204
Д226
Расшифровать и записать в рабочую тетрадь маркировки полупро-
водниковых приборов:
2Д503
Д814
КП303
1Т308
2Т808
КТ3102
BU 2522
2Т808А
ГТ125Г
2П101А
Д9
2П103
КТ361
МП16
КТ940
КТ807
КТ117А
КС133А
МП26А
2П914А
67
7. МАРКИРОВКА ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ
Особенность маркировки электровакуумных приборов (ЭВП) по ГОСТу
1976 года заключается в том, что приемно-усилительные лампы, генераторные
и модуляторные лампы маркируются по-разному.
Маркировка приемно-усилительных ламп
Маркировка включает в себя четыре элемента.
Первый элемент – цифра, соответствующая округленному значению на-
пряжения накала в вольтах. 1 – 1,2 В; 2 – 2,2 В; 6 – 6,3 В; 12 – 12,6 В
Второй элемент - буква русского алфавита, обозначающая тип приемно-
усилительной лампы:
Д – диоды;
X – двойные диоды;
Ц – маломощные выпрямительные диоды (кенотроны);
С – триоды;
Н – двойные триоды;
Э – тетроды;
П – лучевые тетроды и выходные пентоды;
Ж – высокочастотные пентоды с короткой АСХ;
К – высокочастотные пентоды с удлиненной АСХ;
Р – двойные тетроды и двойные пентоды;
Г – триод с одним или двумя диодами;
Б – пентод с одним или двумя диодами;
Ф – триод-пентод;
И – триод-гексод; триод-гептод; триод-октод;
А – частотно-преобразовательные лампы;
В –лампы со вторичной эмиссией;
Е – электронные индикаторы настройки.
Третий элемент – число (от 1 до 99), обозначающее порядковый номер
разработки данного типа лампы.
Четвертый элемент – буква, характеризующая конструктивное оформ-
ление лампы (баллона):
А – в стеклянном баллоне, сверхминиатюрная, диаметром от 5 до 8 мм;
Б – в стеклянном баллоне, сверхминиатюрная, диаметром от 8 до 10 мм;
Г – в стеклянном баллоне, сверхминиатюрная, диаметром более 10 мм;
П – в стеклянном баллоне, пальчиковая, диаметром 19 и 22,5 мм;
С – в стеклянном баллоне, диаметром более 22,5 мм;
Н – в металлокерамическом баллоне, сверхминиатюрная;
Д – в металлостеклянном баллоне с дисковыми выводами электродов;
К – в керамическом баллоне.
68
Примечание. Электронные лампы в металлическом баллоне четвертого
элемента в маркировке не имеют.
Для характеристики специальных (особых) свойств электронных ламп
аппаратуры связи и РТС военного назначения применяют дополнительные буквы, которые ставятся за четвертым элементом после дефиса. Дополнительные
буквы обозначают:
В – лампы повышенной надежности и механической прочности;
Е – лампы повышенной долговечности;
Д – особо долговечные лампы;
И – лампы для работы в импульсном режиме;
ЕВ – лампы повышенной долговечности и надежности.
Маркировка генераторных и модуляторных ламп
Маркировка генераторных и модуляторных ламп включает в себя три
элемента.
Первый элемент – две или три буквы русского алфавита:
ГК – для генераторных ламп непрерывного действия с предельной часто-
той до 30 МГц;
ГУ – для генераторных ламп непрерывного действия с предельной часто-
той от 30 до 300 МГц;
ГС – для генераторных ламп непрерывного действия с предельной часто-
той свыше 300 МГц;
ГИ – для генераторных ламп импульсного действия;
ГМ – для модуляторных ламп непрерывного действия;
ГМИ – для модуляторных ламп импульсного действия;
ГП – для регулирующих ламп непрерывного действия;
ГПИ – для регулирующих ламп импульсного действия.
Второй элемент – число (от 1 до 99), обозначающее порядковый номер
разработки данного типа лампы.
Третий элемент – буква, обозначающая характер охлаждения лампы:
А – водяное охлаждение
Б – естественное воздушное охлаждение;
В – принудительное воздушное охлаждение;
К – контактное охлаждение.
П – испарительное охлаждение.
Примеры маркировки
6Х2П – двойной диод с напряжением накала 6,3 вольта, в стеклянном
пальчиковом баллоне диаметром 19 или 22,5 мм.
6П13С – выходной пентод с напряжением накала 6,3 вольта, в стеклянном
баллоне диаметром более 22,5 мм.
69
6Х2П
6Ж22П
ГУ-30А
ГМИ-23Б
ГУ80В – генераторная лампа непрерывного действия с предельной часто-
той от 30 до 300 МГц и с принудительным воздушным охлаждением; порядковый номер разработки – 80;
ГИ21А – генераторная лампа импульсного действия с естественным воз-
душным охлаждением; порядковый номер разработки – 21.
ГМИ15А – модуляторная лампа импульсного действия с естественным
воздушным охлаждением; порядковый номер разработки – 15.
Расшифровать и записать в рабочую тетрадь расшифровку марки-
ровки электровакуумных приборов:
6П13С
ГУ80В
ГИ21А
ГМИ15А
6В1П
6Е1П
2Э2П
1Ц1С
6С19П
6Ж2Б
ГУ40Б
ГИ-13БМ
ГИ-14Б
ГМИ-23Б
6А2П
ГУ-29
ГМИ-34А
6Ф1П
6Н3П
6Н1П-Е
70
c
a
U
U
∆
∆
=
µ
8. РАСЧЕТ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ
ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ
Полная характеристика электронной лампы включает большое
количество различных данных, поэтому на практике часто пользуются
стандартным паспортом лампы, содержащим две – три основные
характеристики, соответствующие токам и напряжениям рабочего режима, и
основные параметры лампы.
Характеристикой лампы в общем случае называется зависимость
анодного и сеточного токов от напряжения на сетке или на аноде при
постоянном напряжении накала. Соответственно, в зависимости от того, что
является изменяющейся величиной – сеточное или анодное напряжение, –
различают сеточные и анодные характеристики лампы.
Так, при определенном и постоянном анодном напряжении Ua и
изменяющемся сеточном напряжении Uс получаем сеточную характеристику:
Ia, Iс = f(Uс).
Ряд таких характеристик, снятых для различных анодных напряжений,
дает семейство сеточных характеристик.
Наоборот, при неизменяющемся и постоянном напряжении на сетке Uс и
изменении напряжения на аноде Ua получаем анодную характеристику лампы:
Ia, Iс = f(Ua), а ряд таких характеристик, снятых для различных Uс будет
представлять семейство анодных характеристик.
Характеристики, в которых один из влияющих факторов остается
постоянным, называются статическими характеристиками, в отличие от
другого вида характеристик – динамических, когда одновременно учитывается
влияние обеих величин.
Основными характеристиками ламп являются их статические
характеристики.
Основными параметрами электронной лампы являются:
µ – коэфициент усиления (без размерности);
S – крутизна (мА/В);
R – внутреннее сопротивление переменному току (Ом).
Коэффициент усиления
(при Ia = const), (8.1)
где ΔUa – величина изменения анодного напряжения в вольтах;
– cоответствующее изменение сеточного напряжения для получе-
ΔU
c
ния того же анодного тока;
I
– анодный ток.
a
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]