Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Электронные и микропроцессорные устройства. Учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
07.09.2026
Размер:
1 Мб
Скачать
☆
Рис. 43. Элемент И-НЕ с открытым
коллектором
Во-первых. Управление внешней нагрузкой, которая подключается к источнику напряжения, превышающего напряжение питания ИМС. Например, управление маломощной лампочкой с напряжением пита­ния 12 В.
Во-вторых. Для создания «схемного И». Несколько выходов объ­единяют в одну точку, которая соединена с питанием через резистор (обычно 1 кОм). Например, в компьютерных шинах есть несколько частных линий (наиболее значительная – линия прерывания), функци­ей которых является передача не информационных бит, а просто инди­кация, что хотя бы одно устройство требует внимания. Использование схем с открытым коллектором позволяет предотвращать конфликты устройств без дополнительной логики.
В-третьих. Внешние шины. В приложениях, где скорость не очень важна, для возбуждения шин
используются драйверы с открытым кол-
лектором. Наиболее частый случай – выдача данных из компьютера.
Пример: шина связи компьютера с дисководом и инструменталь-
ная шина IEEE-488 для подключения лабораторных приборов.
Логические элементы с тремя состояниями на выходе
Это обычные логические схемы, которые имеют третье состояние выхода – «обрыв». В них имеется отдельный вход разрешения, с по­мощью которого может устанавливаться состояние «обрыва» (Z- состояние) независимо от сигналов на других входах, либо состояние обычных активных выходов в зависимости от входных сигналов. Драйвера этого типа широко используются для возбуждения шины данных
компьютера.
71
2.4. ЭСЛ
Эмиттерно-связанная логика (100, 500, 1500 серии), основанная на дифференциальных каскадах, – самая быстродействующая серия логи­ческих элементов. Это обусловлено следующими факторами: откры­тые транзисторы не находятся в насыщении, поэтому исключается этап рассасывания неосновных носителей заряда в базах; управление входными транзисторами идет от эмиттерных повторителей предше­ствующих элементов, которые, обладая малым выходным сопротивле­нием, выдают крытия транзисторов мало, что дает крутые фронты импульсов.
большой ток, и, следовательно, время открывания и за-
2.5. И2Л
Интегрально-инжекционная логика, элементы этой серии не имеют дискретных аналогов и реализуются только в интегральной техноло­гии. В этой серии некоторая р-область может быть коллектором одного и базой другого транзистора. Элементы этой серии занимают малую площадь и имеют малую потребляемую мощность.
2.6. МОП-логика
Логические элементы строятся на полевых транзисторах с динами­ческой нагрузкой (176, 561, 1561, 564, 1564 серии). Если логические элементы строятся на комплиментарных ключах, то это КМОП-логика. Основы КМОП-логики составляют комплиментарные пары p- и n-ка­нальных транзисторов (рис. 44).
Рис. 44. Элемент НЕ
КМОП-логики
72
Нагрузочная способность МОП-логики велика, так как входной ток мал, однако при большом коэффициенте разветвления по выходу уве­личивается емкость нагрузки, что ведет к снижению быстродействия.
Все МОП-схемы более капризны, чем схемы на биполярных тран­зисторах. Они подвержены действию статических зарядов и наводок от внешних источников. Если затвор МОП-прибора
окажется разомкнут,
то он наверняка будет пробит.
Свободные вводы ИМС обязательно должны соединяться с шиной питания или землей, в том числе неиспользуемые логические элемен­ты. При быстром включении питания МОП-элементы могут перехо­дить в тиристорный режим за счет поверхностных pnpn-структур. В этом случае возникает лавинный пробой, кристалл разогревается
и,
если не отключить питание, то кристалл сгорает.
При работе от ТТЛ КМОП может работать при отсутствии пита­ния за счет питания ИМС от единицы через вход. Поэтому не пропаян­ный вывод питания КМОП-логики может проявить себя в любой мо­мент.
Фронты МОП-схем при работе на внешнюю нагрузку имеют
боль­шой разброс, что может вызвать нарушение в синхронизации устройств.
Тем не менее благодаря малой удельной мощности и высокой сте­пени интеграции (т. е. большой плотности расположения) МОП-схе­мы – основа для однокристальных процессоров, запоминающих устройств и других БИС.
73
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Забродин Ю.С. Промышленная электроника / Ю.С. Забродин. – М.:
Альянс, 2013.
2. Горбачев Г.Н. Промышленная электроника / Г.Н. Горбачев, Е.Е. Чаплы-
гин. – М.: Энергоатомиздат, 1988.
3. Герасимов В.Г. Основы промышленной электроники / В.Г. Герасимов. –
М.: Высшая школа, 1986.
4. Скаржепа В.А. Электроника и микросхемотехника /под общ. ред.
А. Краснопрошиной. – Киев: Вища школа, 1989.
А.
5. Гусев В.Г. Электроника и микропроцессорная техника / В.Г. Гусев,
Ю.М. Гусев. – М.: КноРус, 2013.
6. Миловзоров О.В. Электроника / О.В. Миловзоров, И.Г. Панков. – М.:
Юрайт, 2015.
7. Титце У. Полупроводниковая схемотехника / У. Титце, К. Шенк. – М.:
ДМК Пресс, 2008.
8. Хоровиц П. Искусство схемотехники / П
ном, 2014.
. Хоровиц, У. Хилл. – М.: Би-
74
Родыгин Александр Владимирович
ЭЛЕКТРОННЫЕ И МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
Учебное пособие
Редактор Л.Н. Ветчакова
Выпускающий редактор И.П. Брованова
Корректор И.Е. Семенова
Дизайн обложки А.В. Ладыжская
Компьютерная верстка С.И. Ткачева
Налоговая льгота – Общероссийский классификатор продукции
Издание соответствует коду 95 3000 ОК 005-93 (ОКП)
Подписано в печать 30.10.2017. Формат 60  84 1/16. Бумага офсетная. Тираж 100 экз.
Уч.-изд. л. 4,41. Печ. л. 4,75. Изд. № 72. Заказ № 1356. Цена договорная
Новосибирского государственного технического университета
Отпечатано в типографии
630073, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20
75
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]