Добавил:
ivanov666
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Основы технологии электронной компонентной базы. Практикум
.pdf
Рис. 3.6. Результирующий профиль заданной транзисторной
структуры, полученный суммированием профилей на рис. 3.4 и 3.5
и совмещением с профилем на рис. 3.4
51
Библиографический список
Курносов А.Н., Юдин В.В. Технология производства полупровод-
никовых приборов и интегральных микросхем. – М.: Высш. шк.,
1979. – 368 с.
Мартин-Дуарт Дж.М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф.
Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. – М.: Техносфера,
2009. – 368 с.
Парфенов О.Д. Технология микросхем. – М.: Высш. шк., 1977. –
256 с.
Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. – М.: Наука, 1983. – 362 с.
Симонов Б.М., Заводян А.В. Технологические основы микроэлек-
троники / Под ред. С.П. Тимошенкова: Учеб. пособие в 2 ч. – М.:
МИЭТ. – Ч.1, 2008. – 160 с.; Ч.2, 2009. – 156 с.
Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Сов. радио,
1980. – 424 с.
52
Учебное издание
Астахов Владимир Петрович
Леготин Сергей Александрович
Кузьмина Ксения Андреевна
ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОННОЙ
КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ
Практикум
Редактор О.В. Иванова
Компьютерная верстка А.В. Калинкина
Подписано в печать 09.02.16 Электронное издание Уч.-изд. л. 3,31
Рег. № 660
Национальный исследовательский
технологический университет «МИСиС»,
119049, Москва, Ленинский пр-т, 4
Издательский Дом МИСиС,
119049, Москва, Ленинский пр-т, 4
Тел. (495) 638-45-22
Отпечатано в типографии Издательского Дома МИСиС
119049, Москва, Ленинский пр-т, 4
тел. (499) 236-76-17, тел./факс (499) 236-76-35
Формат 60 × 90 1/16
Заказ 4970
53
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]