Элементная база электроники задачник. Учебно-методическое пособие
.pdf
Министерство образования и науки Российской Федерации НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
А.Д. БЯЛИК, А.В. КАМЕНСКАЯ
ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ
ЗАДАЧНИК
Учебно-методическое пособие
НОВОСИБИРСК
2016
1
УДК 621.38(076.1) Б 994
Рецензенты:
канд. техн. наук, доцент И.Л. Новиков канд. техн. наук, доцент И.С. Савиных
Бялик А.Д.
Б 994 Элементная база электроники: задачник: учебно-метод. пособие / А.Д. Бялик, А.В. Каменская. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – 48 с.
ISBN 978-5-7782-2948-8
Работа подготовлена на кафедре полупроводниковых приборов
имикроэлектроники для студентов II курса факультета РЭФ
иутверждена Редакционно-издательским советом университета
вкачестве учебно-методического пособия
|
УДК 621.38(076.1) |
ISBN 978-5-7782-2948-8 |
Бялик А.Д., Каменская А.В. 2016 |
|
Новосибирский государственный |
|
технический университет, 2016 |
|
2 |
СПИСОК ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
A – работа выхода
C – электрическая емкость
с– скорость света в вакууме
D– коэффициент диффузии d – длина, расстояние
E– напряженность электрического поля, энергия
EC |
– энергетический уровень дна зоны проводимости |
EV |
– энергетический уровень потолка валентной зоны |
Ei |
– энергетический уровень середины запрещенной зоны |
EF |
– энергетический уровень Ферми |
Eg , E – ширина запрещенной зоны |
|
F |
– площадь |
f |
– частота, функция |
h |
– толщина, постоянная Планка |
I |
– электрический ток |
IS , I0 – ток насыщения
G– ток термогенерации
i– мгновенное значение тока J – интенсивность излучения
j– плотность тока
k– постоянная БольцманаI
L – индуктивность, диффузионная длина носителей заряда
Ln |
– диффузионная длина электронов |
Lp |
– диффузионная длина дырок |
l |
– длина, расстояние |
m |
– масса |
m |
– эффективная масса |
mn* |
– эффективная масса электрона |
m*р |
– эффективная масса дырки |
|
3 |
N |
– число частиц, концентрация легирующей примеси, |
N0 |
– число Авогадро |
NV |
– эффективная плотность состояний в валентной зоне |
NC |
– эффективная плотность состояний в зоне проводимости |
N А |
– концентрация акцепторов |
NД |
– концентрация доноров |
n |
– концентрация электронов, число витков, показатель пре- |
n0 |
ломления |
– равновесная концентрация электронов |
|
ni |
– собственная концентрация электронов |
nn0 |
– равновесная концентрация электронов в области, где элек- |
nn |
троны являются основными носителями заряда |
– концентрация электронов в области, где электроны являют- |
|
np |
ся основными носителями заряда |
– концентрация электронов в области, где электроны являются |
|
|
неосновными носителями заряда |
n |
– избыточная концентрация электронов |
P |
– поляризованность, мощность |
p |
– концентрация дырок, давление |
p0 |
– равновесная концентрация дырок |
pi |
– собственная концентрация дырок |
pp0 |
– равновесная концентрация дырок в области, где дырки |
pp |
являются основными носителями заряда |
– концентрация дырок в области, где дырки являются основ- |
|
pn |
ными носителями заряда |
– концентрация дырок в области, где дырки являются неос- |
|
p |
новными носителями заряда |
– избыточная концентрация дырок |
Q– заряд
R– активное сопротивление, универсальная газовая постоянная r – радиус
S– площадь, крутизна передаточной характеристики
T– температура
4
t – время
U– разность потенциалов, электрическое напряжение Uпроб – напряжение пробоя
V– объем, электрическое напряжение
v– скорость
w– толщина базы, число витков
x– расстояние
xL |
– индуктивное сопротивление |
xС |
– емкостное сопротивление |
z– расстояние, полное сопротивление
– коэффициент передачи по току (для БТ с ОБ), показатель
преломления, угол
β– коэффициент передачи по току (для БТ с ОЭ), угол
γ – удельная проводимость, эффективность эмиттера, угол
δ– толщина, угол диэлектрических потерь
ε– относительная диэлектрическая проницаемость
0 |
– электрическая постоянная |
λ |
– длина волны |
т |
– удельная теплопроводность |
μ |
– относительная магнитная проницаемость, подвижность |
|
носителей заряда |
n |
– подвижность электронов |
p |
– подвижность дырок |
ν |
– частота |
ρ |
– удельное сопротивление, плотность |
σ– удельная проводимость
τ– время жизни носителей заряда
φ– фазовый сдвиг, потенциал
к |
– контактная разность потенциалов |
т |
– тепловой потенциал |
χ |
– энергия электронного сродства, диэлектрическая восприим- |
|
чивость |
ω– угловая (циклическая) частота
5
НЕКОТОРЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ ПОСТОЯННЫЕ
1.Скорость света в вакууме, c 2,998 108 м/с
2.Заряд электрона, q 1,602 10 19 Кл
3.Масса покоя электрона, mn 9,109 10 31 кг
4.Масса покоя протона, mP 1,673 10 27 кг
5.Постоянная Планка, h 6,626 10 34 Дж · с
6.Приведенная постоянная Планка ћ = h/(2·π) = 1,055 10 34 Дж · с
7.Постоянная Больцмана, k 1,381 10 23 Дж/К
8.Число Авогадро, NА 6,023 1023 1/моль
9.Электрическая постоянная, 8,849 10 12 Ф/м
10.Тепловой потенциал (при T = 300 К), т = kT/q = 0,0258 В
6
УКАЗАНИЯ ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ
Материал настоящего задачника составлен таким образом, чтобы он способствовал закреплению теоретических знаний, а также вырабатывал навык в решении инженерных задач.
При решении задачи необходимо прежде всего установить, какие физические закономерности лежат в ее основе. Затем с помощью формул, выражающих эти закономерности, следует найти решение задачи или ее части в общем виде (т. е. в буквенных обозначениях), причем искомая величина должна быть выражена через заданные величины. После этого можно перейти к подстановке числовых данных, обязательно выраженных в одной и той же системе единиц. Рекомендуется пользоваться единицами системы СИ. Числовой ответ непременно должен иметь размерность.
В некоторых задачах для нахождения искомых величин приходится решать систему достаточно громоздких уравнений. В этом случае целесообразно сначала подставить в эти уравнения известные числовые коэффициенты, а затем находить искомые величины.
Ход всех преобразований и вычислений должен быть четко показан в решении задачи. Вычисления, как правило, достаточно делать с точностью до второго-третьего знака после запятой. Это обычно определяется точностью представления исходных данных.
Полученное в виде числового ответа решение необходимо проверить каким-либо способом. Полезно оценить результат, сначала вычислив его приближенно, округляя значения для удобства.
Некоторые задачи можно решить несколькими методами, что позволяет сделать вывод о том, какие из них наиболее рациональны. Всегда следует считать лучшим тот метод решения, который проще, т. е. требует меньшего числа действий.
В заключение кратко перечислим основные рекомендации, следование которым поможет существенно облегчить решение инженерных задач.
1. Необходимо обращать внимание на все без исключения слова в условии, поскольку при наличии или отсутствии каких-либо, на первый взгляд, малосущественных ограничений ощутимо упрощается решение.
7
2.Перед решением задачи желательно выписать все известные и относящиеся к решению законы и формулы.
3.Перед решением сложной и непонятной задачи необходимо попытаться сначала свести задачу к более частной и, как правило, к более простой.
4.Для удобства интерпретации условия задачи и поиска решения полезно делать соответствующие рисунки и чертежи, желательно как можно более крупными, в натуральную величину или в масштабе. Имеющиеся в условии чертежи достраивать до удобных.
5.Число уравнений должно соответствовать количеству неизвестных по ходу решения. При необходимости нужно вводить новые неизвестные.
6.Если сразу после прочтения условия задачи возможные пути решения задачи с первого взгляда не очевидны, необходимо сначала формально записать все возможные уравнения, которые могут привести к решению.
7.Необходимо помнить, что в конечных формулах должны присутствовать только буквы (данные), которые описываются в условии как известные, плюс общеизвестные константы. Если условие задачи составлено корректно, то в одном из вариантов решения должны присутствовать все известные по условию данные. Если это не так, то либо вариантов решения несколько, либо (что вероятнее) задача решена неверно.
8.Всякое решение необходимо проверить на здравый смысл, на предельные и частные случаи, на размерность и на порядки.
8
РАЗДЕЛ 1
ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
В соответствии со статистикой Ферми–Дирака вероятность заполнения энергетического уровня электроном или дыркой в твердом теле определяется энергией E, соответствующей этому уровню, и абсолютной температурой T [1, 2, 6, 7]:
Pn, p (E) |
|
1 |
|
|
, |
(1.1) |
|
|
E E |
|
|||
|
1 exp |
|
F |
|
|
|
|
kT |
|
||||
|
|
|
|
|
||
где EF – энергия уровня Ферми, вероятность заполнения которого
равна 1/2.
Исходя из вероятности заполнения соответствующего энергетического уровня электроном или дыркой можно определить их концентрацию.
Собственная концентрация электронов и дырок может быть выражена соотношениями:
n 2N |
|
exp |
|
|
|
EC EF |
|
, |
(1.2) |
||
C |
|
|
|
|
|||||||
i |
|
|
|
kT |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
E E |
F |
|
|
|
|
|
pi 2NV exp |
|
V |
|
|
|
(1.3) |
|||||
|
kT |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где 2NC и 2NV – эффективные плотности состояний в зоне проводимости и в валентной зоне соответственно; NC и NV – эффективные плотностиуровней в зоне проводимости и в валентной зоне соответственно:
N |
|
|
2 kTm* 3/2 |
(1.4) |
|||
C |
|
|
2 |
n |
; |
||
|
|
h |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
9 |
|
|
|
|
|
|
2 kTm*p |
3/2 |
|
|
|
NV |
|
|
|
, |
(1.5) |
|
h2 |
||||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
где k – постоянная Больцмана; T – температура, h – постоянная Планка; mn* , m*р – эффективная масса электрона и дырки соответственно.
Концентрацию электронов и дырок в примесном полупроводнике можно выразить через собственную концентрацию:
n |
n |
exp |
|
|
Ei EF |
|
, |
|
|
||||||
0 |
i |
|
|
kT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
p0 pi exp Ei EF .
kT
(1.6)
(1.7)
Принимая во внимание закон действующих масс ( n0 p0 ni2 ), связь
между собственной концентрацией и шириной запрещенной зоны полупроводника выражается соотношением [6]
n |
N |
C |
N exp |
Eg |
. |
(1.8) |
|
||||||
i |
|
V |
2kT |
|
||
|
|
|
|
|
||
Для определения положения уровня Ферми, а также для расчетов, связанных с определением концентраций носителей заряда, в примесном полупроводнике, содержащем или доноры, или акцепторы, или те и другие одновременно, необходимо использовать условие электронейтральности [2, 3]:
p0 n0 NД NА 0. |
(1.9) |
Выражение (1.9) записано с учетом предположения, что при T > 120 К все атомы примеси полностью ионизированы.
Плотность тока в полупроводнике можно определить, согласно выражению:
j jnдр jpдр jnдиф jpдиф ,
где jnдр E qn n E ; (1.10)
10
