Электрические методы исследования разрывов энергетических зон в полупроводниковых микро- и наногетероструктурах. Учебное пособие
.pdf51
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней// Обзоры по электронной технике. 1985. Сер. 7. Вып. 15(1141). 52 с.
5.Кузнецов Н.И. Токовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (i-DLTS) // ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 10. С. 1674-1679.
6.Schmalz K., Yassievich I.N., Rucker H., Grimmeis H.G.
Characterization of Si/Si1-xGex/Si quantum wells by space-charge spectroscopy // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. P. 14287-14301.
7.Chretien O., Apetz R., Vescan L., Souifi A., Luth H., Schmalz K., Koulmann J.J. Thermal hole emission from Si/Si1-xGex/Si quantum wells by deep level transient spectroscopy // J. Appl. Phys. 1995. V 78. P. 5439-5447.
8.Козловский В.И., Садофьев Ю.Г., Литвинов В.Г. Разрыв зон в
структурах с одиночной квантовой ямой Zn1-xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs(100) эпитаксией из молекулярных пучков // ФТП. 2000. Т. 34.
Вып. 8. С. 998-1003.
9.Broniatowski A., Blosse A., Srivastava P.C., Bourgoin J.C. Transient capacitance measurements on resistive samples // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 2907-2910.
10.Вывенко О.Ф., Истратов А.А. Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 10. С. 16931700.
11.Астрова Е.В., Лебедев А.А., Лебедев А.А. Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней // ФТП. 1985. Т.
19.Вып. 8. С. 1382-1385.
12.Антонова И.В., Шаймеев С.С. Температурная зависимость амплитуды пика DLTS в кремнии с глубокими центрами // ФТП. 1991.
Т. 25. Вып. 5. С. 847-851.
13.Шик А.Я. Сверхрешетки – периодические полупроводниковые структуры // ФТП. 1974. T. 8. Вып. 10. C. 1841-1864.
14.Kozlovsky V.I., Sadofyev Yu.G. Investigation of e–h pair compression in molecular beam epitaxy grown ZnCdSe/ZnSe multiquantum wells at volume excitation by electron // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. 18. P. 1538-1541.
15.Dobaczewski L., Peaker A.R., Bonde Nielsen K. Laplace- transformdeep-levelspectroscopy: The technique and its applications to the study of point defects in semiconductors// Appl. Phys. Lett. 2004. V.96. P. 4689-4728.
16.Tikhonov A.N., Arsenin V.Y. Solutions of ill-posed problems. Washington: Winston and Sons, 1977.
17.Palmer D.W. Characterisation of semiconductor heterostructures
52
by capacitance method // Microelectronics Journal.1999. V.30. P. 665–672.
18.Brounkov P.N., Konnikov S.G., Benyattou T., Guillot G. Characterization of subband levels in quantum well using capacitancevoltage technique // Phys. Low-Dim. Struct. 1995. V.10/11. P. 197-207.
19.Зубков В.И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса. СПб.: ООО
«Техномедиа» / Изд-во «Элмор», 2007. 220 с.
20.Vul B.M. Dokl. Akad. Nauk SSSR 129, 61 (1959) (Sov. Phys. Dokl. 4, 1246 (1960)).
21.Roberts G.I., Crowell C.R. Capacitance Energy Level Spectroscopy of Deep-Lying Semiconductor Impurities Using Schottky Barriers // J. Appl. Phys. 1970. Vol. 41. P. 1767-1776.
22.Beguwala M., Crowell С.R. Characterization of multiple deep level sytems in semiconductor junctions by admittance measurements // SolidState Electronics. 1974. Vol. 17. P. 203-214.
23.Losee D.L. Admittance spectroscopy of impurity levels in Schottky barriers // J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46, № 5. P. 2204-2214.
24.Vincent G., Bois D., Pinard P. Conductance and capacitance studies in GaP Schottky barriers // J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46, № 12. P. 5173-5178.
25.Measurement of heterojunction band offsets by admittance
spectroscopy: InP/Ga0;47In0;53As / D. V. Lang, M. B. Panish, F. Capasso, et al. // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 50, № 12. P. 736-738.
26.Lang D.V. Measurement of band offsets by space charge spectroscopy // Heterojunction band discontinuities: Physics and device applications / Rd. by F. Capasso, G. Margaritondo. Amsterdam: Elsevier Science Publishers B. V., 1987. 652 p.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение……………………………………………………………………3
1.Особенности разрывов разрешенных энергетических зон в гетеропереходах………………………………………………………….3
2.Электрические методы исследования разрывов энергетических зон в полупроводниковых гетероструктурах………….8
Основные выводы………………………………………………………..50
Библиографический список……………………………………………..50