Добавил:

Lobov4ever Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Московский технический университет связи и информатики

Предмет:

Материалы и компоненты электронной техники

Файл:

Литература / Шишкин Г. Г. , Шишкин А. Г. Электроника 2009

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

05.06.2026

Размер:

30.97 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 6970 / 7170 71 > Следующая >>>

696

Ja, Jcl иа, ucl -

Ис2• Исз

Rо

s, sc

сек• сак•

сас

(l)ц

0о, ех

iex

ре

Jm1• Jm2-

Список испощ,зованных обозначений

плотность тока эмиссии

ток анода и первой (управляющей) сетки потенциал анода и первой (управляющей) сетки потенциалы экранирующей и защитной сеток

сопротивление лампы при постоянном токе

крутизна анодно-сеточной и сеточной характеристик триода

проницаемость лампы

статический коэффициент усиления

входная (сетка - катод), выходная (анод - катод), прох9д ная (анод - сетка) емкости электронных ламп

сила Лоренца

индукция магнитного поля

напряжение на втором аноде

потенциал отклоняющих пластин

чувствительность к отклонению соответственно диэлектро

статической и магнитной систем

электронная циклотронная частота

параметр группировки

угол пролета зазора между сетками резонатора

абсолютный угол пролета электрона

конвекционный ток

ток электронного луча, потока

функция Бесселя первого рода п-го порядка

мощность, развиваемая электронным потоком амплитудные значения токов во входном и выходном резо

наторах

	коэффициент усиления клистрона по мощности
	фазовая скорость электромагнитной волны и п-й простран-
	ственной гармоники
uгр	групповая скорость электромагнитной волны

А30, К30- 1 длина и волновое число замедленной основной (нулевой)

пространственной гармоники

	сопротивление связи электронного потока с замедляющей
	системой
	амплитуда напряженности продольного поля п-й простран
	ственной волны
<i>e	относительный угол пролета электронов
ue	скорость электронного потока
Gвх•
Gвых	входная и выходная проводимости ЛБВО

Ккоэффициент усиления

Кш, Рш -	коэффициент и мощность шумов
Рс	мощность входного сигнала

'\)ф(-1)

икр•

вкр

В12•

В21

А21

rl, r2

Т\л

Еэл•

Екол•

Евр

Список основных использованных обозначений

697

фазовая скорость первой обратной гармоники

напряжение анода и индукция магнитного поля критиче

ского режима магнетрона

номер вида колебаний анодного блока магнетрона

фазовая скорость р-й пространственной гармоники для оп ределенного п-го вида колебаний

напряжение и ток разряда

вероятности индуцированных переходов при поглощении и

излучении квантов

коэффициенты Эйнштейна для индуцированного поглоще

ния и излучения

коэффициент Эйнштейна для спонтанного излучения

вероятность спонтанного излучения

населенности уровней Е1 и Е2 статистические веса, или кратности вырождения уровней Е1 иЕ2

общее число переходов поглощения и излучения соответ

ственно

спектральная плотность энергии

постоянная, характеризующая величину потерь на едини

цу длины активной среды

коэффициент усиления на единицу длины активной среды

частота и длина волны q-го вида колебаний номер вида колебаний длина активной среды

коэффициенты отражения зеркал коэффициент дифракционных потерь

КПД лазера

энергии электронных, колебательных и вращательных со стояний

Огладление

Предисловие . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . .	3
Введение		6
Раздел 1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Глава 1. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ . . . . . . . . . . . . . . . .	• . . .	12

1.1.Равновесная концентрация свободных носителей

	заряда........................................	12
1.2.	Неравновесные носители заряда. . . . . . . . . . . . . . . . . . .	20
1.3.	Электропроводность полупроводников . . . . . . . . . . . . .	23

1.4.Законы движения носителей заряда

в полупроводниках . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2 7

Глава 2. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	31

2.1.Основные определения. Классификация

2.2.	электрических переходов . . . . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . . .	31
2.2.	Физические процессы в электронно-дырочных		32
	переходах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . .	32
2.3.	Вольт-амперная характеристикар-п-перехода......		41
2.4.	Электрическая модель р-п-перехода .	. . . . . . . . . . . . .	51
2.5.	Переходные процессы в р-п-переходе.	. . . . . . . . . . . . .	54
2.6.	Контакты металл-полупроводник . . .	. . . . . . . . . . . . .	58
2.7.	Гетеропереходы . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . .	64
Глава 3.	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ . . . . . .	. • . . • . • . • . • . .	71
3.1.	Общие сведения и классификация диодов . . . . . . . . . . .		71
3.2.	Выпрямительные диоды .. ·. . . . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . .	76
3.3.	Импульсные диоды . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . .	82
3.4.	Стабилитроны ...................	, . . . . . . . . . . . . .	84
3.5.	Варикапы.....................................		87
3.6.	Туннельные диоды. . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . .	90
3.7.	Лавинно-пролетные диоды . . . . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . .	95
3.8.	Диоды Ганна. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . .	104
глава 4.	БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ... • . • .. • ...........		115

4.1.Общие вопросы. Устройство, режимы работы

транз.исторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

115

Оглавление

699

4.2.Физические процессы в нормальном активном

режиме. Коэффициенты передачи тока . . . . . . . . . . . . 118

4.3.Модель Эберса-Молла. Статические характеристики

биполярных транзисторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

122

4.4.Биполярный транзистор как линейный

	четырехполюсник. Параметры транзистора			........		132
4.5.	Эквивалентные схемы ..........................					139
4.6.	Переходные и частотные характеристики
	биполярного транзистора	. . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . . .		.	142
4.7.	Импульсный режим работы. Транзисторный ...ключ					148
4.8.	Разновидности биполярных транзисторов . . . . . . . . .			•		154
Глава 5.	ТИРИСТОРЫ . . . . . . . . . .	• . . . . . . . .	• . . • . . . . . . . . . .		•	159

5.1. Общие сведения. Устройство. Режимы работы ...•... 159 5.2. Основные физические процессы. Принцип действия . . 161

5.3.Переходные процессы и импульсные свойства

тиристоров . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

167

5.4.Разновидности тиристоров. Параметры и модели

	тиристоров . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . . . . . . .	. . . . . . . . .	. 1 73
Глава 6.	ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ . . . .	• . . • . . . . . .	• . • . . . . . .	• 178
6.1.	Общие сведения. . . . . . . . . . . .	. . . . . . . . . .	. . . . . . . . .	. 1 78
6.2.	Формирование канала в МДП-транзисторах. . . . . . . . .			180

6.3.Общие принципы управлеция проводимостью канала

в полевых транзисторах. Статические вольт-амперные

характеристики. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	185
6.4. Моделирование полевых транзисторов .. • .. • .......	194

6.5.Полевой транзистор как линейный четырехполюсник.

Параметры транзисторов. Эквивалентные схемы . . . . 196

6.6.Частотные и импульсные свойства полевых

транзисторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

200

6.7.Разновидности полевых транзисторов. Силовые

комбинированные транзисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201

Раздел 2

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

Глава 7. АКТИВНЫЕ И ПАССИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ . . . . . • . . . . . . . . • . . • . . • . . . . 205

7.1. Общие сведения. Термины и определения. . . . . . . . . . .			205
7.2.	Электрическая изоляция элементов		208
	полупроводниковых ИС . . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . . . . . .	208
7.3. Особенности биполярных транзисторов ИС . . . . . . . . .			211
7.4.	Транзисторы ИС типар-п-р....................		217
7.5.	Интегральные диоды . . . . . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . . . . .	219
7.6.	Полевые транзисторы ИС. . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . . . . .	222
7. 7.	Пассивные элементы ИС........	: . . . . . . . . . . . . . . . .	225

700	Оглавление
Глава8.	АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ	228
8.1.	Общие сведения. Термины и определения .......... .	228

8.2.Источники стабильного тока, напряжения

	и опорного напряжения ........................	. 230
8.3.	Дифференциальные усилители...................	. 238
8.4.	Операционные усилители .......................	. 246
Глава 9. ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ............		• . 249

9.1. Особенности цифровых интегральных схем . . . . . . . . . 249

9.2.Элементарные (базовые) цифровые схемы

	на биполярных транзисторах .....................	251
9.3.	Простейшие инверторные (ключевые) схемы
	на МДП-транзисторах ...........................	253
9.4. Бистабильные схемы и триггеры . . . . . . . . . . . . . . . . . .		258
9.5. Логические элементы на биполярных транзисторах. . .		260
9.6. Логические элементы на полевых транзисторах . . . . . .		269
9. 7.	Элементы полупроводниковых запоминающих
	устройств .....................................	271

Глава 10. НАНОЭЛЕКТРОНИКА И ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ

ЭЛЕКТРОНИКА .............

• . • .................

276

10.1.Общие положения. Возможности наноэлектроники

	и функциональной электроники. . . . .	. . . . . . . . .	. . . . .	276
10.2.	Особенности наноэлектронных приборов .......		• ....	279
10.3.	Приборы с зарядовой связью......................			285
10.4.	Элементы акустоэлектроники.......	~ .............		293

10.5.Э.r.iементы СБИС на цилиндрических магнитных

	доменах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	296
	Раздел3
	ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ
	С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ
	И ДИНАМИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ
Глава 11.	ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ
	С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ -УПРАВЛЕНИЕМ	301
11.1.	Общие сведения ................................	301
11.2.	Основы эмиссионной электроники . . . . . . . . . . . . . . . . .	302
11.3.	Электронно-управляемые лампы . . . . . . . . . . . . . . . . . .	307
11.4. Мощные генераторные и модуляторные лампы . . . . . .		317
11.5. Эквивалентные схемы электронных ламп . . . . . . . . . . .		321
11.6.	Вакуумные интегральные схемы . . . . . . . . . . . . . . . . . .	323
Глава 12.	ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ПРИБОРЫ • . . . . . . . . . . . . . . .	328
12.1.	Классификация, устройство и принцип
	действия электронно-лучевых приборов ............	328

	Оглавление	701
12.2.	Электронный прожектор с электростатической
	фокусировкой . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	330
12.3.	Электронный прожектор с магнитной фокусировкой .	336
12.4.	Отклоняющие системы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	338
12.5.	Экраны электронно-лучевых трубок...............	342
12.6.	Особенности электронно-лучевых приборов
	различного назначения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	34 7
Глава 13.	ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ СВЧ
	С ДИНАМИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ
	И ПРОДОЛЬНЫМ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕМ -
	ПРИБОРЫ ТИПА О . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	361
13.1.	Общие сведения................................	361
13.2.	Клистроны. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	363

13.3.Лампы бегущей волны. Устройство ЛБВО.

	Замедляющие системы .........................		377
13.4.	Физические процессы в ЛБВО . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .		384
13.5.	Параметры и характеристики ЛЕВО . . . . . . . . . . . . . . .		386
13.6. Лампы обратной волны типа О. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .			390
Глава 14. ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ СВЧ с ДИНАМИЧЕСКИМ
	УПРАВЛЕНИЕМ И СКРЕЩЕННЫМИ ПОЛЯМИ -
	ПРИБОРЫ ТИПАМ . . . . . .	• . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	395
14.1.	Общие сведения. . . . . . . . .	. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	395
14.2.	Магнетроны. Движение электронов в скрещенных
	полях ........................................		396
14.3.	Колебательная система магнетрона. . . . . . . . . . . . . . . .		400
14.4. Характеристики и параметры магнетронов . . . . . . . . .			405
14.5.	Приборы магнетронного типа ....................		410
	Раздел4
	ПРИБОРЫ ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ.
	ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
Глава 15. ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ ПРИБОРЫ И ИНДИКАТОРЫ			416
15.1.	Общие сведения................................		416
15.2. Элементарные процессы в газовых разрядах . . . . . . . .			418
15.3. Приборы тлеющего разряда. Плазменные панели . . . .			422
15.4.	Приборы дугового разряда .	. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	433

15.5.Электровакуумные и Электролюминесцентные

индикаторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 434

15.6.Пассивные индикаторы. Жидкокристаллические

	индикаторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	439
15.7. Сравнение индикаторов различного типа...........		449
Глава 16.	ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	450
16.1.	Общие сведения. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	450
16.2.	Оптические явления в полупроводниках . . . . . . . . . . .	452
16.3.	Светодиоды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	458

702	Оглавление
16.4.	Полупроводниковые фотоприемники . . .	. . . . . . . .	. . . 465
16.5.	Оптопары . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	• . . . . . . . .	. . 491
16.6.	Солнечные преобразователи ......................		496
16.7.	Электровакуумные фотоприемники. . . . . .	. . . . . . . .	. . 508
	Раздел 5
	ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
Глава 17.	ОСНОВЫ КВАНТОВОГО УСИЛЕНИЯ . • • . . . .	• . . . . . .	• . . 521
17.1:	Индуцированные и спонтанные переходы ...........		521
17.2.	Усиление в квантовых системах ........	~ ..........	526
17.3.	Основные элементы устройства квантовых
	генераторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	. . . . . . . .	. . 526

17.4.Условия баланса мощности и фаз в лазерах

	(оптических квантовых генераторах) ..............	534
17.5. Спектр и характеристики излучения квантовых
	генераторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	535
Глава 18.	КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА (МАЗЕРЫ)	540
18.1.	Активное вещество твердотельных мазеров.
	Парамагнитные уровни энергии . . . . . . . . . . . . . . . . . .	540
18.2.	Квантовые парамагнитные усилители . . . . . . . . . . . . . .	546
18.3.	Охлаждение мазеров и их параметры...............	552
18.4.	Квантовые генераторы СВЧ-диапазона . . . . . . . . . . . . .	554
Глава 19.	ГАЗОВЫЕ ЛАЗЕРЫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	558
19.1.	Общие сведения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	558
19.2.	Процессы создания инверсии населенностей
	в газовых лазерах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	559
19.3.	Атомарные газовые лазеры. Гелий-неоновый лазер . . .	561
19.4.	Ионные лазеры. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	566
19.5.	Молекулярные газовые лазеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	568
19.6.	Разновидности газовых лазеров . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	570
Глава20.	ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕИЖИДКОСТНЫЕЛАЗЕРЫ .........	574
20.1	Особенности активных сред ......................	574
20.2.	Системы накачки ...............................	577
20.3.	Рубиновый лазер . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	583
20.4.	Лазеры на средах, активированных неодимом . . . . . . .	586
20.5.	Жидкостные лазеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	589
20.6.	Режимы работы и основные характеристики
	твердотельных лазеров . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	594
Глава 21.	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНЖЕКЦИОННЫЕ ЛАЗЕРЫ . .	603
21.1.	Полупроводниковые материалы, используемые
	в источниках излучени.а . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	603

694

lэ,lв,

Iк

Иэ,Ив,

Ик

а,~

Ивэ•

Икэ

Ил

h11' h12•

h21• h22 -

rэ, rк

У11· У12•

у21' у22 -

Сэдиф'

Скдиф

СЭбар• СКбар

'tкэф

tпрВ

Rк

<Рпов Ии, Из,

Ис

Qпов

бпов

Iю lc,

Iз

Исиас

Изпор

Сnисок исnользованных обозначений

токи эмиттера, базы и коллектора

напряжения эмиттера, базы и коллектора коэффициенты передачи тока в схеме с общей базой и об- ·

щим эмиттером

нормальный и инверсный коэффициенты передачи тока в схеме с общей базой

обратный токи коллекторного и эмиттерного переходов в схеме с общей базой

напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах в схе

ме с ОБ

напряжения на базе и коллекторе в схеме с ОЭ

напряжение Эрли

h-параметры транзистора как четырехполюсн~ща

дифференциальное сопротивление эмиттерного и коллек

торного переходов

у-параметры транзистора как четырехполюсника

диффузионные емкости эмиттерного и коллекторного пере

ходов

барьерные емкости эмиттерного и коллекторного переходов

эффективное время жизни неосновных носителей в коллек

торе

время пролета носителей через базу

сопротивление в цепи коллектора

поверхностный потенциал

напряжения истока, затвора и стока

поверхностный заряд

поверхностная напряженность электрического поля

токи истока, стока и затвора

напряжение насыщения стока

пороговое напряжение на затворе

<Рпор

пороговый потенциал

Список основных использованных обозначений

695

rк

свых

gо,gкэ

ивх

ивых

ио, и~

ил

иоп

Qпмакс fтмин

ррас

лак

ивкл

Jвкл иоткр

иул• Iул

ил, Iл иу

v,Л

R,T,a-

О'ф

IФ

пф

tнр(сп)

й.

Iт

Т]

РФ

Рт,ит,

активное сопротивление затвора-исток и затвор-сток

емкость перек~ытия затвора с истоком и стоком соответ

ственно

сопротивление канала

статическая крутизна

внутреннее сопротивление

выходная емкость

дифференциальная выходная проводимость

входное напряжение

выходное напряжение

коэффициент обратной связи операционного усилителя

напряжения (уровни) логического нуля и единицы

логический перепад

опорное напряжение

максимальная величина зарядового пакета

минимальная тактовая частота

рассеиваемая мощность

длина акустической волны

напряжение включения

ток включения

напряжение в открытом состоянии

напряжение и ток удержания соответственно

напряжение и ток тиристора

напряжение управляющего электрода

коэффициент размножения носителей

частота и длина волны оптического излучени:Я

коэффициенты отражения, прохождения и поглощения оп

тического излучения

проводимость при облучении полупроводника светом фототок коэффициент усиления фоторезистора

объемная плотность фотоносителей

время нарастания (спада) фототока

обнаружительная способцость

среднеквадратическое значение шумового тока

тепловой ток фотоприемника

квантовая эффективность, светоотдача и КПД

мощность оптического излучения

максимальные значения выходных мощ:ности, напряже

ния и тока фотоэлемента

22.4. Шумы электронных приборов различного типа

21.4. Разновидности полупроводниковых лазеров

Раздел 6

ВОПРОСЫ ПРИМЕНЕНИЯ И ЭКСПЛУАТАЦИИ

ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ

Оглавление

703

21.2.Инжекционные полупроводниковые лазеры на основе

гомопереходов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 606

21.З. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов . . . 611

. . . . . . . . 617

Глава 22. ШУМЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ . . . . • . . . . . . . .

• • . 622

22.1. Общие сведения. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 622 22.2. Источники шумов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 623 22.З. Методы описания шумов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 629

. . . . . . 633

Глава 23. ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ УСЛОВИЯ РАБОТЫ,

РЕЖИМЫ И НАДЕЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ. • 644

23.1.Эксплуатационные условия, параметры и режимы

работы электронных приборов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 644

23.2.Радиационная стойкость электронных приборов . . . . 64 7

23.3. Надежность электронных приборов . . . . . . . . . . . . . . . 673

Приложение 1. Основные параметры Si, GaAs и Ge ............

679

'Приложение 2. Основные уравнения, используемые

для анализа работы электронных приборов . . . . . . . . . . . . . . . . . .	681
Литература . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .	690
Список основных использованных обозначений . . . . . . . . . . . . . . .	692

<<< < Предыдущая 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 6970 / 7170 71 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке Литература

#
05.06.20261.01 Mб0МТУСИ ФИЗОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ.pdf
#
05.06.202623.8 Mб0Сорокин том 1 (имба).pdf
#
05.06.202619.77 Mб0Сорокин том 2 (имба том 2).pdf
#
05.06.202630.97 Mб0Шишкин Г. Г. , Шишкин А. Г. Электроника 2009.pdf