Литература / Шишкин Г. Г. , Шишкин А. Г. Электроника 2009
.pdf522 |
Раздел 5. ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ |
Не все переходы между энергетическими состояниями явля
ются возможными. Если частица находится в верхнем состоя
нии, то имеется определенная вероятность, что через некото
рый период времени она перейдет в нижнее состояние и про изойдет изменение энергии. Этот переход может быть как излучательным, так и безызлучательным, как под влиянием внешнего воздействия, так и без него. В среде, обладающей
дискретными уровнями энергии, существуют три вида перехо
дов: индуцированные, спонтанные и релаксационные.
При индуцированных переходах квантовая система может
переводиться из одного энергетического состояния в другое как
споглощением квантов энергии внешнего поля, так и с из
лучением ~ванта электромагнитной энергии. Индуцированное,
или вынужденное, излучение стимулируется внешним электро
магнитным полем. Вероятность индуцированных переходов (как излучательных, так и безызлучательных) отлична от нуля
только для внешнего поля резонансной частоты, энергия кван
та которого совпадает с разностью энергий двух рассматривае
мых состояний. Индуцированное излучение полностью тожде
ственно излучению, вызывающему его. Это означает, что элек
тромагнитная волна, созданная при индуцированных перехо
дах, имеет ту же частоту, фазу, поляризацию и направление
распространения, что и внешнее излучение, вызвавшее индуци
рованный переход.
Если рассматриваемая квантовая система обладает двумя уровнями энергии Е2 > Е1 (рис. 17.1), при переходах между ко
торыми излучается или поглощается квант энергии hv, то час
тицы рассматриваемой системы находятся в поле их собствен ного излучения, спектральная объемная плотность энергии ко
торого на частоте перехода равна Pv· Это поле вызывает
переходы как из нижнего состояния в верхнее, так и из верхне
го в нижнее (рис. 17.1, а). Вероятности этих индуцированных |
|||
Е2 |
|
E,FdШ21 |
hv |
|
|
|
|
W12 |
hv |
|
|
W21 |
hv |
|
|
|
Ei |
|
|
Ei |
|
|
|
а) |
|
б) |
|
Рис. 17.1
Глава 17. Основы квантового усиления |
525 |
Необходимо отметить, что равновесное излучение всей систе мы частиц по отношению к каждой из частиц является внеш
ним электромагнитным полем, стимулирующим поглощение
или излучение частицей энергии в зависимости от ее состояния.
Величина 81tV2 / с3 , входящая в выражения (17. 7) и (17 .8), опре
деляет число типов волн или колебаний в единичном объеме и в единичном интервале частот для области, размеры которой ве лики по сравнению с длиной волны Л = с/v.
Кроме индуцированных и спонтанных переходов в кванто
вых системах существенное значение имеют безызлучательные
релаксационные переходы. Безызлучательные релаксационные
переходы играют двойную роль: они приводят к дополнитель ному уширению спектральных линий (см. п. 17.8) и осуществ ляют установление термодинамического равновесия квантовой
системы с ее ов:ружением.
Релаксационные переходы происходят, как правило, вслед
ствие теплового движения частиц. Поглощение тепла сопро вождается переходами частиц на более высокий уровень и, на
оборот' превращение энергии частицы в тепло происходит при
переходе ее на более низкий уровень энергии. Таким образом,
релаксационные переходы приводят к установлению вполне оп
ределенного для данной температуры равновесного распределе
ния частиц по энергиям.
В реальных системах влиянием спонтанного излучения на
естественную ширину спектральных линий можно пренебречь по сравнению с релаксационными процессами, которые более
эффективно сокращают времена жизни возбужденных состоя ний, что и приводит к уширению спектральных линий (в:ав: это следует из соотношения неопределенностей для энергии-време
ни). Механизм этих процессов релаксации сильно зависит от
конкретной системы. Например, для nарамагнитных кристал
лов, в частности в случае электронного парамагнитного резонан
са, существенный вклад в уширение линий излучения вносят
спин-спиновые и спин-решеточные взаимодействия и связанные с
ними процессы релаксации с характерными временами соответ
ственно порядка 10-1 ••. 10-3 с и 10-7 ••• 10-8 с.
Таким образом, релаксационные процессы, способствующие
установлению теплового равновесия в среде, обеспечивают не
прерывность процесса поглощения энергии внешнего электро
магнитного излучения.
526 |
Раздел 5. ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ |
17.2. Усиление в квантовых системах
Если квантовая система находится в условиях термодинами
ческого равновесия, то она поглощает энергию внешнего излу
чения, так как число переходов с нижних уровней на верхние (см. формулу (17.5)) в этих условиях превосходит число обрат ных переходов (см. формулу (17.4)). Для получения усиления света (электромагнитных волн) в среде необходимо, чтобы чис
ло переходов с излучением энергии превышало число переходов
с поглощением энергии, а для этого необходимо нарушить тер
модинамическое равновесие.
Действительно, в соответствии с формулами (17.4) и (17.5)
можно записать следующее соотношение для излучаемой и по
глощаемой мощностей Ризл и Рпогл на частоте v:
ризл - рпогл = (n2W21 - n1 W12)hv = |
|
= Pv(B21 n 2 - n 1B 12 )hv = PvBhv(n2 - п1). |
(17.9) |
Здесь принято, что В12 = В21 =В и g 1 = g 2 , а также не учтена мощность спонтанного излучения, которое считается пренебрежи
мо малым. Тогда, как это следует из соотношений (17.9), для того
чтобы излучаемая при вынужденных переходах мощность превос
ходила поглощаемую, т. е. для получения усиления света в кванто
вой системе необходимо, чтобы выполнялось условие п2 > п1' т. е.
населенность верхнего уровня должна превышать населенность
нижнего. Состояние системы, при котором населенность верхне
го энергетического состояния превышает населенность нижнего,
называется состоs:,ннем с ннверсной населенностью уровней или нн версней населенностей. Среда (вещество), в которой реализуется инверсия населенностей и, соответственно, возможно усиление
света, называется акrнвной средой (активным веществом).
17.З. Основные элементы устройства
квантовых генераторов
Акrнвное вещество. До этого рассматривалась двухуровневая идеальная квантовая система, которая с достаточной степенью приближения реализуется в полупроводниковых лазерах. Боль шинство же активных веществ, используемых в приборах кван товой электроники, являются многоуровневыми системами. Од
нако, как правило, невзирая на очень большое количество уров
ней, участвующих в процессе генерации лазерного излучения,
Глава 17. Основы квантового усиления |
529 |
венное влияние на уширение спектральных линий оказывает эф
фект Доплера, поскольку излучающие атомы, молекулы, ионы
движутся в газе или колеблются в кристаллической решетке твер дого тела в различных направлениях со случайными скоростями. В результате пропорционально скорости перемещения указанных частиц относительно наблюдателя будет происходить смещение частоты. Поэтому наблюдаемая спентральная линия будет пред ставлять собой огибающую суммы спектральных линий всех час тиц рассматриваемой системы, причем для определенной частоты вклад в эту сумму пропорционален количеству частиц, обладаю щих данной резонансной частотой. Уширение, связанное с несов
падением резонансных частот различных микрочастиц, называют
неоднородным. Неоднородное уширение наиболее существенно, если средний разброс резонансных частот. микрочастиц больше ширины спектральной линии, определяемой однородным ушире
нием, при котором линии каждого отдельного атома и системы в
целом уширяются одинаково.
Сильное уширение спектральных линий вызывается также
столкновениями частиц, насыщением населенности энергети
ческих уровней и некоторыми другими факторами. Общая ши рина спектральной линии в оптическом диапазоне может пре
вышать неснолько сотен МГц. В результате уширения энергия
индуцированного излучения, получаемая за счет инверсии на
селенности, распределяется по всей ширине спектральной ли
нии. Инверсия населенности в разных типах лазеров, как будет
показано дальше, создается различными методами. Процесс со здания инверсной населенности в квантовых системах называется
накачкой. :Квантовая система, способная усиливать элентромаг
нитное излучение, принципиально должна содержать два основ
ных элемента - активную среду и источник накачки, обеспечи вающий инверсию населенностей. Если в активной среде с инверс
ной населенностью распространяется в направлении х плоская
электромагнитная волна (рис. 17.3), то, как показывают расчеты,
Источник накачки
Активная среда |
|
I |
о |
L |
х |
Рис. 17.3
530 |
Раздел 5. ПРИБОРЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕНТРОНИНИ |
|
ее интенсивность (плотность потока энергии) I = |
pv (v - скорость |
|
электромагнитной волны) в любом сечении х = |
const в пределах |
|
а.ктивной среды (0 ~ х ~ L) определяется соотношением
(17.10)
где 10 - интенсивность волны на входе а.ктивной среды (в сече
нии х = О), ~ - постоянная, хара.ктеризующая величину потерь на единицу длины в активной среде, например за счет рассеяния на неоднородностях, дефектов кристаллов и т. д. Коэффициент В~1 = B 21 /(21t Лv), где Лv - ширина :контура спектральной ли нии, пропорционален :коэффициенту Эйнштейна В21• Параметр
(17.11)
определяет усиление волны на единицу длины. При наличии ин
версной населенности, :когда п2 > g 2n 1 /g1' интенсивность волны при распространении в среде экспоненциально возрастает. Из вы ражения (17.10) видно также, что при х = L, т. е. на выходе ак
тивной среды, интенсивность равна J 0e<a-f})L, т. е. с увеличением
инверсии населенностей усиление возрастает экспоненциально. Приведенные формулы (17.10) и (17.11) учитывают влияние на
. усиление факторов, связанных с шириной :контура спектральной линии Лv, неодинаковой :кратностью вырождения рабочих уров ней активной среды g 1 и g 2, а также потерями в системе.
Оптические резонаторы. Любой лазер представляет собой ге
нератор электромагнитных колебаний. Колебания в любом гене раторе поддерживаются за счет наличия положительной обрат
ной связи. Отличительной особенностью :квантовых генераторов
является принципиальная возможность генерации в отсутствие
специально введенной системы обратной св.язи. Дело в том, что
положительная обратная св.язь содержится в самом явлении ин
дуцированного излучения: электромагнитное поле, воздействую
щее на активную среду, вызывает индуцированное излучение,
которое, в свою очередь, ведет к возрастанию поля, и, следова
тельно, ведет к дальнейшем росту интенсивности индуцирован
ного излучения, и т. д.
Однако при индуцированном излучении инверсная населен
ность, вообще говор.я:, уменьшается, поэтому колебания в актив ной среде будут нарастать до предельной интенсивности, опре
деляемой нелинейным процессом насыщения усиления.
Глава 17. Основы квантового усиления |
531 |
Практически во всех квантовых приборах возбуждение колеба ний происходит в резонансной системе, внутри которой размеща ется активная среда. В этом случае необходимая для генерирова· ния колебаний положительная обратная связь обеспечивается за счет взаимодействия электромагнитного поля внутри резонатора с
активной средой. Оптический резонатор обеспечивает многократ·
ное отражение волн, что увеличивает эффективную плотность
электромагнитной энергии в активной среде, а следовательно,
приводит к увеличению вероятности индуцированных переходов.
В оптическом диапазоне в качестве резонаторов используют·
ся отражатели (зеркала), между которыми располагается ак·
тивный элемент. Основная особенность таких открытых опти·
ческих резонаторов заключается в том, что размеры их значи·
тельно больше длины волны, в результате чего оказывается возможным одновременное возбуждение большого числа собст венных колебаний, что существенно ухудшает выходные пара·
метры оптических генераторов.
Общие свойства оптических резонаторов наиболее наглядно можно оценить на примере простейшего резонатора - интерфе
рометра Фабри-Перо, представляющего собой два плоских зер кала, расположенных на расстоянии L друг от друга.
При бесконечно протяженных зеркалах каждое собственное
колебание резонатора будет образовываться в результате сложе
ния плоских волн, движущихся в противоположных направле
ниях между зеркалами. В результате формируются волны, рас
пространяющиеся вдоль оси резонатора, которые называются
продольными (аксиальными) модами (типами колебаний), резонанс
ные частоты которых определяются формулой
ooq = (q7t- Лq>)L-1(c/n); q = 1, 2, 3, •.. , т. е. Л.q = 2L/(q- Лq>/7t),
(17.12)
где с - скорость света в вакууме, п - показатель преломления
активной среды, заполняющей резонатор, с/п - скорость рас пространения волны в активной среде, Л.q - длина волны q-го
колебания, оо = 27tV, q - номер типа колебаний, Лq> - изменение
фазы при отражении волны. Собственные колебания отличают
ся друг от друга числом q полуволн, укладывающихся на длине
резонатора. Частотный интервал между соседними типами про дольных колебаний, т. е. теми, у которых номер q отличается на
единицу, как следует из формулы (17.12), равен
Лоо = roq - roq- l = 7tc/(Ln), |
(17.13) |
