Билеты по фксв кашурникова 8 сем

Билеты по ФКСВ кашурникова 8 сем

1 Подвижность носителей в полупроводнике Из конца 2 лекции

2 Примесный полупроводник. Концентрация донорных и акцепторных носителей

3 Температурная зависимость концентрации носителей в примесном полупроводнике (лекция 1 - 60 минута примерно)

4 Квазиуровень ферми в собственном полупроводнике

5 Рассеяние электронов на фононах. Время рассеяния. Температурная зависимость.

6 Полупроводники в сильных электрических полях. Разогрев электронно-дырочного газа.

7 BAX N-типа в многодолинных полупроводниках. Эффект Ганна

8 Ударная ионизация. Эффект Зинера

9 Равновесные и неравновесные носители заряда. Квазиуровни Ферми.

10 Биполярная и монополярная оптическая генерация

11 Межзонная излучательная рекомбинация. Линейная и квадратичная рекомбинация.

12 Ударная (Оже) рекомбинация

13 Рекомбинация через ловушки. Центры захвата.

14 Диффузионный и дрейфовый токи. Соотношения Эйнштейна.

15 Диффузия и дрейф для монополярной проводимости

16 Диффузия и дрейф в примесном полупроводнике

17 Диффузия и дрейф в почти собственном полупроводнике

18 Контактные явления в полупроводниках. Распределение заряда, потенциала, искажение зон

19 Термоэлектронная работа выхода. Контакт металл-металл

20+21 Контакт металл-полупроводник. Распределение потенциала

22 Элементарное представление о p-n переходе. Выпрямление

24 Эффект Холла в полупроводниках. Холловская подвижность. Температура и полевая зависимость. Эффект Эттингсгаузена

28 Фотопроводимость. Релаксационные процессы.

29 Эффект Дембера

Важная сноска

1 Подвижность носителей в полупроводнике

Из конца 2 лекции

(не могу найти у кашурникова и в учебниках)

Википедия:

Подвижность носителей заряда — это коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей заряда и приложенным внешним электрическим полем.

Она определяет способность ионов, электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие.

Подвижность обозначается буквой μ. Её размерность — м²/(В·с) или см²/(В·с).

Фактически подвижность численно равна средней скорости носителей заряда при напряженности электрического поля в 1 В/м.

Понятие подвижности применяется в основном при слабых электрических полях, когда выполняется линейность по полю и нет значимого «разогрева» носителей

(из вот этой лекции ссылка на лекцию )

Как известно, уд. электропроводность определяется

концентрацией и подвижностью носителей тока:

Χ = qnμ,

где q – заряд носителя в к.; n – число носителей в м3 ;

μ – подвижность в м2 /В∙сек.

Подвижность прямо пропорциональна сп или средней длине свободного пробега lсп. Длина lсп тем больше, чем меньше дефектов содержит тот или иной полупроводниковый материал. С точки зрения практического использования полупроводников весьма важным является температурная зависимость подвижности. Оба параметра полупроводниковой структуры, т.е. эффективная масса m*n и время релаксации

сп, являются температурно-зависимыми величинами. Однако в наибольшей степени эта зависимость проявляется для времени релаксации, которое в реальных полупроводниках определяется суммарной вероятностью рассеяния носителей заряда на всех дефектах кристаллической решетки. Как мы рассмотрели ранее, рассеяние носителей заряда может происходить:

на тепловых колебаниях решетки;

на ионизированных и нейтральных примесных атомах;

на дислокациях;

на поверхностных состояниях;

пустых узлах и т.д.

В области низких температур (T500К) в атомарных (атомных) проводниках, к которым относятся, в частности, Ge и Si, основную роль играет рассеяние на акустических колебаниях. При этом длина свободного пробега электронов L не зависит от их энергии и уменьшается с повышением температуры пропорционально 1/T. Это связано с увеличением амплитуды

тепловых колебаний, т.е. с увеличением вероятности процесса рассеяния.

tau = L/T

(Отсюда https://studfile.net/preview/9614469/page:30/ )

Коэффициенты диффузии связаны с подвижностями носителей соотношениями Эйнштейна

D_n = μ_nkT/e; D_p = μ_pkT/e.