Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ФКСВ Кашурников / Билеты по ФКСВ кашурникова 8 сем-1

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
25.05.2026
Размер:
19.74 Mб
Скачать

18 Контактные явления в полупроводниках. Распределение заряда, потенциала, искажение зон

Есть некий конденсатор, куда мы засунули полупроводник (допустим, n-тип). Понятно, что заряды перетекли. Считаем, что макроскопический образец (т.е. 1)

x отсчитываем от края

1)∆ ( ) — как функция координат. В глубине 0. На границе .

2) ρ =− ∆ =− ( 0)

3) Поле

ϵ

.

ϵ =

ϵ

=

ρ

— производная отрицательна

 

 

 

εε0

4) Потенциал φ. ϵ =− φ . Энергия =− φ

61

Таким образом на границе искривление зон (соотв. энергии U).

Разворачиваем поле ϵ → − ϵ

То есть у края имеем дырки (типа несобств. носители)

Рассмотрим эту ситуацию

= µ ϵ +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ϵ =−

 

 

 

 

 

=−

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

µ

 

 

 

 

 

 

 

 

ρ =− − 0

)

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

с другой стороны

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ρ

, распишем

 

 

 

 

 

 

 

ϵ = εε0

− −

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(

 

 

 

 

 

 

 

(

(

)

 

)

=−

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=−

 

 

− 1

 

 

 

 

 

 

 

(

 

 

)2)

 

 

 

 

 

раскладываем

 

 

 

 

 

 

0/

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

в ряд (

 

)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ρ ≈ (0/(

=− φ)

=

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Можно записать

 

 

 

 

 

 

 

 

ρ

 

 

 

φ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∆φ =− εε0

 

 

εε0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Получим

 

φ (− /э)

,

 

э =

 

 

 

εε0

— длина экранировки.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

62

19 Термоэлектронная работа выхода. Контакт металл-металл

63

64

65

20+21 Контакт металл-полупроводник. Распределение потенциала

66

22 Элементарное представление о p-n переходе. Выпрямление

67

68

69

24 Эффект Холла в полупроводниках. Холловская подвижность. Температура и полевая зависимость. Эффект Эттингсгаузена

70