ФКСВ Кашурников / Билеты по ФКСВ кашурникова 8 сем-1
.pdf
Концентрация не очень большая, примеси по сути уединенные. Пытаемся получить статистику. Пишем энергии всех состояний
Вероятность последнего случая не очень большая из-за кулоновского взаимодействия, так что мы его убираем его из рассмотрения. Имеем большой канонический ансамбль.
Считаем концентрацию
11
Аналогичную операцию проделываем для дырок.
12
Считаем концентрацию
13
14
3 Температурная зависимость концентрации носителей в примесном полупроводнике (лекция 1 - 60 минута примерно)
Рассматриваем только электроны. Из уравнения равновесия пытаемся получить свободную энергию. Подставили формулы для концентраций в уравнение, обозначаем экспоненту за х и ищем х
15
Нашли х, выразили свободную энергию
16
Рассматриваем её в разных случаях Низкие температуры
Рассматриваем слагаемое с экспонентой. Оно много больше 1. Ес
больше Еd. Тогда энергия ферми переписывается следующим образом
Рисуем схему уровней. При Nd=2Nc есть изгиб. Он называется
областью вымораживания, или слабой ионизации.
17
Концентрация имеет вид:
В ней как-будто щель стоит в экспоненте, очень похоже На графике логарифма концентрации от обратной температуры будет прямая, с наклоном разницы энергий пополам
Теперь повышаем температуру 30-70К
Тогда тот член в свободной энергии мал.
Раскладываем энергию ферми в тейлора
18
Тогда концентрация имеет вид:
Она равна константе. Это область истощения. На графике появляется полочка. Она есть у каждого полупроводника
Попробуем оценить при какой температуре происходит излом. Это происходит когда уровень ферми равен Ed
19
Более высокая температура. Происходит переброс электронов из валентной зоны в зону проводимости. Берем формулу для энергии
ферми из прошлого сема и приравниваем к той которая у нас щас.
Получается что температура initiative - Ti вот такая вот, порядка сотен кельвинов. и получается итоговая температурная зависимость.
20
