ФКСВ Кашурников / Билеты по ФКСВ кашурникова 8 сем-1
.pdf
10 Биполярная и монополярная оптическая генерация
Биполярная это заброс с валентного уровня, таким образом рождаются пары электрон-дырка. Монополярная — заброс с примесного уровня, соответственно рождается либо электрон, либо дырка.
Биполярная генерация:
Заброс с валентного уровня в зону проводимости, т.е. образуются пары электрона и дырки.
Подаём прямоугольный импульс до момента 0. И смотрим что будет дальше.
получится что-то типа такого (это отклик)
Смотрим спад (релаксация)
Равновесная ситуация (I=0) — есть тепловая генерация (заброс
чисто за счет тепла) 0 (− )и рекомбинация 0 = γ 0 0.
Зависит от произведения т.к. для рекомбинации нужна пара электрон-дырка. 0 = 0 — равновесие.
Если нет равновесия генерации и рекомбинации − = − . Рассмотрим время после отключения света (т.е. после 0).
41
− = γ − 0 = γ − 0 = γ − γ 0 0 = = γ (( 0 + ∆ )( 0 + ∆ )− 0 0)= γ ( 0∆ + 0∆ + ∆ ∆ )
Т.к. ∆ = ∆ и = (избыточные носители симметричны)
Пишем − =− = γ ( 0 + 0 + ∆ )∆
Рассмотрим слабую и сильную накачки 1)слабая накачка ∆ 0, 0
− = γ ( 0 + 0)∆ . Ясно что = ∆
Получаем ∆ ( ) = ∆ (0) (− /τ ). Где τ = (γ ( 0 + 0))−1.
Называется линейная рекомбинация.
2) Сильная накачка ∆ 0, 0 |
. |
|
|
. |
|||||
− |
|
= γ (∆ ) |
2. Имеем |
∆ = |
1 |
∆ (0) |
= 1/ |
||
|
|
|
|||||||
|
|
γ + |
|
|
|||||
Тогда |
∆ ( ) = |
∆ (0) |
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
∆ (0)γ +1 |
|
|
|
|
|
|
|
Для описания в общем случае вводят мгновенное время рекомбинации. τмгн = (γ ( 0 + 0 + ∆ ))−1
42
Вот что было у Кашурникова
Монополярная генерация:
Как говорилось, есть какие-то примесные уровни. Теперь заброс
идёт с них, а не с валентного уровня. Происходит всплеск тока.
Есть проводимость σ, появился избыточный заряд ρ.
Есть уравнение непрер. + ρ = 0, т.е. появляется ток.
при этом |
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
ρ |
(считаем в СИ). |
|
|||||||||
= σε |
ε = |
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
εε0 |
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
σρ |
|
|
|
|
|
|
|
||
= σ ε = |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
εε0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
− |
ρ |
= |
σρ . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
εε0 |
ρ( ) = ρ0 (− /τµ) |
|
τµ |
= |
εε0 |
|
|||||||||||||||
Получаем |
. |
— Максвелловское время |
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
σ |
|
||||||||||||
(время за которое устанавливается электростат. равновесие).
Оценка для германия ε = 16, ρ ≈ 1 Ом·см σ ≈ 102 См·м. Получаем τµ 10−12 c — очень малое время.
43
11 Межзонная излучательная рекомбинация. Линейная и квадратичная рекомбинация.
Межзонная излучательная рекомбинация.
− = γ ( 0 + 0 + ∆)∆
Слабая накачка ∆ 0, 0
τ = (γ ( 0 + 0))−1 проанализируем формулу.
а) собств. п/п 0 = 0 =
|
−1 |
|
|
1 |
|
. |
|
. |
||
τ = (2γ ) |
|
= |
|
( |
2 |
) |
τ = |
2 |
|
|
|
2γ |
|
|
|||||||
Логарифмич. масштаб: 
б) Легированный 0 0,
τ |
|
≈ |
γ |
|
|
−1 |
= |
|
1 |
|
|
− |
( |
|
|
— квазиуровень Ферми) |
||
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
γ |
|
|
|
|
|
|
|
Взяв в логарифмическом масштабе можем определить |
||||||||||||||||||
квазиуровень( ) |
Ферми |
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
2 |
|
= τ |
2 |
. В собств( ). ситуации время много больше. |
|||||||||||
τ = 2γ 0 |
|
0 |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
Время релакс. в зависимости от допирования.
44
12 Ударная (Оже) рекомбинация
Есть 2 уровня, валентный и проводимости. Пусть электрон опустился на уровень проводимости и его энергия пошла на возбуждение электрон дырочной пары. Так же может дырка сделать, попав на валентный уровень. Назовем это случаями 1 и 2.
Записываем уравнения вероятностей рекомбинации для обоих
случаев. Гамма - коэффициенты из экспериментов.
= γ( ) 2 — 2 электрона и дырка= γ( ) 2 — 2 дырки и электрон
Записываем кинетическое уравнение. Рассматриваем случай после
выключения поля.
− = − 0
Подставляем R и G в уравнение. Пренебрегаем
низкоэнергетическими процессами (то что в прошлом билете было). Понятно что ∆ = ∆ и = .
− = γ( ) 2 + γ( ) 2 − γ( ) 02 0 − γ( ) 0 02 =
=γ( )( 2 − 02 0)+ γ( )( 2 − 0 02)=
=γ( )(( 0 + ∆ )2( 0 + ∆ ) − 02 0)+ γ( )(( 0 + ∆ )( 0 + ∆ )2 − 0 02)=
=γ( )(( 02 + 2 0∆ + ∆ 2)( 0 + ∆ ) − 02 0)+
+ γ( )(( 0 + ∆ )( 02 + 2 0∆ + ∆ 2) − 0 02)
45
Оно у Кашурникова:
1) Слабая накачка. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Раскладываем до |
первой степени . |
|
|
|
||||||||||||
|
∆ 0, |
0 |
|
∆ |
|
|
|
|||||||||
|
|
|
2 |
|
|
( ) |
|
|
|
|
( ) |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
||||
− |
Выражаем= ∆ время0 + 2релаксации0 0 γ + .∆ |
0 |
|
+ 2 0 0 |
|
γ |
|
|||||||||
Условно пишем( |
|
∆ ) |
|
∆ |
( |
|
|
|
|
) |
|
) |
||||
|
= |
|
|
|
|
|
( ) |
|||||||||
Получаем |
τ |
− |
|
|
τ |
( ) |
|
|
|
|||||||
|
|
= 1/(( 02 + 2 0 0)γ |
|
+ ( 02 + 2 0 0)γ |
||||||||||||
Будем анализировать его в разных предельных случаях.
а) Собственная ситуация, 0 = 0 =
46
2 |
( ) |
( ) |
|
1 |
|
|
|
τ = 1/(3 |
(γ |
+ γ |
))= |
3(γ()+γ()) |
( |
|
) |
Тут наклон кривой будет уже просто , в отличие от прошлого билета.
Логарифмич. масштаб: 
б) Допированная ситуация. 0 0,
Тогда получается: τ = 1/( 02γ()) τ , т.е. время много меньше
чем в собственной ситуации.
Можно нарисовать картинку зависимости времени релаксации от
энергии Зависимость времени релаксации от допирования:
такой же вид как для обычной рекомб.
2) Сильная накачка ∆ 0, 0
− = (γ() + γ())(∆ )2
τмгн = ((γ() + γ())∆ )−1 мне кажется должно быть просто ∆ , но Кашурников пишет в квадрате (смотри ниже)
47
13 Рекомбинация через ловушки. Центры захвата.
Пусть у нас есть ещё некий уровень от примеси. Электрон попав
на него может вернуться (3) или опуститься (2), что можно представить как подъём дырки.
Аналогичное есть и для дырок (по сути один и тот же процесс).
− |
|
= захв − возвр. |
Равновесная функция распределения на уровне :
0 = ( ( − )+ 1)−1
Записываем ( — число примесей в единице объёма)
захв = γ (1 − )
возвр = β считаем что в зоне проводимости много мест— неравновесная конц.
Тогда − = γ (1 − )− β
Запишем в точке равновесия, где = 0 и = 0.
γ (1 − 0)= β 0 γ (1/0 − 1)= β
Подставляем
β = γ · ( − )· ( − )= γ · ( − )
48
Получили концентрацию 1 = ( − ). Это концентрация если
бы уровень Ферми был на примесном уровне.
Переход на следующую лекцию Там мы записываем аналогично уравнение для дырок
−= γ ( (1 − )− 1 )
−= γ ( − 1(1 − ))
где 1 = ( − )это опять концентрация если бы уровень
Ферми был на примесном уровне.
При этом опять же = (им неоткуда больше браться +
электронейтральность)
Собственно это и запишем.
γ ( (1 − )− 1 )= γ ( − 1(1 − ))
Хотим выразить .
− γ − γ 1 − γ − γ 1 = − γ − γ 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
Получаем( |
|
|
|
|
|
γ +γ )1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
= γ |
( |
+ 1 |
+γ |
( |
+ 1 |
|
|
−1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0) |
|
|
|
|
)− |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Подставим= 0, =её0 |
в уравнение= = |
|
( |
|
) |
+ 1 |
) |
|
|
|
|
+ 1 1 |
|
γ +γ |
11 |
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
( |
|
|
|
|
( |
|
)) |
|
|
|
|
||||||||||
− |
|
= γ |
1 − |
− 1 |
= γ |
− |
+ 1 |
= γ − |
γ( |
+ )( |
|
+γ |
+ ) |
|
||||||||||||||||||
|
|
|
γ 2+γ ( (1+γ +γ ) 1−γ 1)−γ 2−γ 1(1−γ 1 |
|
γ −γ 1 1 |
( |
|
) |
( |
|
|
) |
|
|||||||||||||||||||
Т=.оγ. |
|
|
|
γ ( + 1)−+γ1(1+ 1) |
|
|
|
|
|
= γ |
γ ( + 1)+γ(( + 1) |
|
|
|
|
|
|
|
|
) |
||||||||||||
|
− |
|
= γ γ |
γ ( + 1)+γ ( + 1) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
Запишем= 0 + ∆, = 0 + ∆. При этом ∆ = ∆ (электронейтр.)
Также 1 1 = 0 0 (ЗДМ)
Подставляем и получаем
49
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∆ 0+ 0+∆ |
|
|
||||||
− |
|
= γ γ |
γ |
0+ 1+∆( |
+γ |
( |
0+) 1+∆ |
) |
|
|||||||||||||||||||
Случаи слабой и сильной( |
накачки) |
1 |
|
|||||||||||||||||||||||||
1) Сильная накачка ∆ 0, |
0, 1, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||
Получаем |
− |
|
|
|
|
|
|
|
γ γ |
= |
∆ |
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
γ +γ |
|
|
|
|
= ∆ γ +γ |
|
|
τ |
|
|
|
|
|||||||||||
τ |
|
= |
|
|
|
= |
|
1 |
|
+ |
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
γ γ |
|
γ |
|
γ |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
2) Слабая накачка |
∆ 0, 0, 1, 1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∆ 0+ 0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
− |
|
= γ γ |
γ |
|
0+ (1 |
+γ )0+ 1 |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
τ |
|
= |
|
|
1 |
0+ 1 |
|
|
( |
1 |
|
) 0+( 1 |
т.е). там где дырки параметр электронов, |
|||||||||||||||
|
|
γ |
0+ 0 |
+ |
γ |
|
0+ 0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
там где электроны параметр дырок. Параметры определяются не
основными носителями.
Называют |
τ0 |
= |
1 |
и |
τ0 = |
1 |
. |
|
|
|
|
γ |
|
γ |
|||||||
С учётом этого |
|
|
|
0+ 1 |
|
|
0+ 1 |
. |
||
|
|
|
τ = τ0 0+ 0 |
+ τ0 0+ 0 |
||||||
Нарисуем зависимость от допирования (в середине )
Выделяем разные зоны (А, Б, С, Д)
А: 0 0, 1, 1 тогда τ = τ0 Д: 0 0, 1, 1 тогда τ = τ0
это предельные случаи
Б: 1 0, 0, 1, 0 0
τ = τ0 1 τ0
0
τ ( − ) ( − )= ( − )т.е. можно найти энергию
примесного уровня.
50
