ЭБНЭ_full
.pdfПродукция наноэлектроники
Оптоэлектроника
Датчики
Дискретные
компоненты
Интегральные схемы (ИС)
ПЗС и КМОП датчики изображения Лазерные передатчики и звукосниматели Светодиодыи светодиодные индикаторы ИК устройства Цифровые дисплеи И др
Продукция наноэлектроники
Оптоэлектроника
Датчики
Дискретные
компоненты
Интегральные схемы (ИС)
Температуры
Давления Поворота и ускорения Магнитногополя Гироскопы И др.
Продукция наноэлектроники
Оптоэлектроника
Датчики
Дискретные
компоненты
Интегральные схемы (ИС)
Силовые модули и транзисторы Переключающие транзисторы Диоды, выпрямители, тиристоры СВЧ транзисторы
Продукция наноэлектроники
Оптоэлектроника
Датчики
Дискретные
компоненты
Интегральные схемы (ИС)
Микропроцессоры
Микроконтроллеры Цифровые сигнальные процессоры Память Аналоговые схемы Логическиесхемы
Системы на кристалле
Принцип работы полевого транзистора
МОП-транзисторы с индуцированным каналом
Принцип работы полевого транзистора
В данном типе транзисторов токопроводящий канал не создается, а образуется (индуцируется) за счет притока электронов из p- и n-областей истока и стока в приповерхностный слой, т.е. образуется токопроводящий n-канал, который соединяет области стока и истока. Этот процесс возможен при Uзи > 0. Чем выше Uзи, тем выше проводимость канала. Транзистор с индуцированным каналом работает в режиме обогащения.
Вольт-амперные характеристики
Вольт-амперные характеристики
Классификация транзисторов
Классификация транзисторов
Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок) – униполярные транзисторы.
Полевые транзисторы (FET) управляются электрическим полем (напряжением). В основе управления током полевых транзисторов лежит изменение сопротивления канала, через который протекает этот ток под действием электрического поля.