ЭБНЭ_full
.pdf
Наноразмерные состояния
нульмерное состояние (ОD-состояние) – квантовые точки, наночастицы, образующие самостоятельный композит или распределенные статистически в массивном материале – матрице. (Иначе говоря, объекты, размер которых по всем осям измерения не превышает 100 нм.)
Квантовая точка (искусственный атом) — нульмерный (0D) объект.
Наноразмерные состояния
одномерное состояние (1D-состояние) – расположенные в линию 0D-нанообъекты (частицы, нити, волокна, трубки наноразмерного диаметра) в объеме массивного материала – матрицы. (Иначе говоря, объекты размер которых по одной из осей измерения превышает 100 нм.)
Квантовая проволока (нить) — одномерный (1D) объект,
перемещение электронов не ограничено по координате Х. 1D - электронный газ.
Наноразмерные состояния
двумерное состояние (2D-состояние) – тонкие пленки, в которых нанометровый размер реализуется только по толщине; 0D- и 1Dобъекты, упорядоченно расположенные в произвольно ориентированных нанослоях массивного материала. (Иначе говоря, объекты размер которых по двум осям измерения превышает 100 нм.)
Квантовая яма (пленка) —
двухмерный (2D) объект, толщина dy соизмерима с длиной волны де Бройля (d ~ λБ). Система электронов
–двухмерный (2D) электронный газ.
Наноразмерные состояния
трехмерное состояние (3D-состояние) – 0D-, 1D- и 2Dобъекты,
образующие массивные образцы с трехмерным упорядочением нанослоев. (Иначе говоря, объекты размер которых по трем осям измерения превышает 100 нм, т. е. макрообъект с пространственно упорядоченной наноструктурой). К последней разновидности
можно также отнести 3D-структуры, имеющие микро- и
макроскопические размеры, но тонкую объемную структуру, состоящую из наноразмерных частиц.
Качественные изменения свойств при переходе к наноразмернымэлементам
Общая направленность изменений в свойствах элементов состоит в том, что уменьшается удельный вес макроскопических взаимодействий (например, сводится практически к нулю роль сил тяготения) и вместе с тем возрастает удельный вес атомномолекулярных взаимодействий (взаимодействий молекул, атомов,
электронов и квазичастиц), хаотического теплового движения.
Возрастает роль поверхностных явлений и поверхностных электронных состояний
Качественные изменения свойств при переходе к наноразмерным элементам
Длина волны де Бройля.
h/ 2m* E
Б
где h – постоянная Планка, m* , Е – эффективная масса и энергия электронов
Для металлов λБ ~ 0,1–1 нм
Для полупроводников – λБ ~ 0,1–100 нм (Е и m* меньше в 10–100 раз)
Например, для Si, GaAs, Bi: λБ = 8; 30; 80 нм
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРЕДПОСЫЛКИ СОДАНИЯ
ИРАЗВИТИЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
1.Открытие углеродных нанотрубок и графена, разработка методов их формирования.
2.Разработка зондовых методов по-атомной сборки.
3.Появление спинтроники. Использование спинов в качестве носителей информации.
4.Создание транзисторов на гетеропереходах.
5.Открытие квантового эффекта кулоновской блокады, создание одноэлектронных устройств, работоспособных при комнатных температурах.
6.Появление молекулярной наноэлектроники.
7.Разработка химических методов получения нанокристаллов и упорядоченных наноструктур.
Основные задачи современной наноэлектроники
Наноэлектроника – это область электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 нм.
•разработка физических основ работы активных приборов с нанометровыми размерами (в том числе – квантовых);
•разработка физических основ технологических процессов;
•разработка конструкций приборов и технологий их изготовления;
•разработка ИС и других изделий элементной базы с нанометровыми технологическими размерами.
Элементная база наноэлектроники
Лекция 2
Продукция наноэлектроники
Созданиеполезного устройства «для жизни»
Оптоэлектроника
Датчики Дискретные компоненты
Интегральные схемы (ИС)
