ЭБНЭ_full
.pdf
Постоянная память
EPROM UFEPROM, EEPROM, Flash
Ячейка памяти EPROM
Постоянная память
EEPROM
Управляющий затвор
Оксид
Исток
Сток
Подзатворный оксид |
Плавающий затвор |
З 1
И
– Сток
– Затвор 2
– Затвор 1
– Исток
З 2
С
Постоянная память
EEPROM
1979 г. Intel.
-10 мкС >104
слой окисла между плавающим затвором и подложкой ~10 нм
Стираемая электрически программируемая постоянная память
EEPROM
Размер ячейки 2Т
Ячейка памяти EEPROM
Стираемая электрически программируемая постоянная память
Flash
EEPROM => Flash : - усовершенствование конструкции ячейки .
-усложнение структуры ячейки (2 T).
-- изменение организации доступа к ячейкам на кристалле.
-10 мкС
>105
Toshiba 1984
1988 Intel
слой окисла между плавающим затвором и подложкой <10 нм
Постоянная память
Flash
Размер ячейки 2Т
Постоянная память
Flash
Постоянная память
EPROM UFEPROM, EEPROM, Flash
Ячейка flash-памяти а со структурой ИЛИ-б
НЕ
1984 г
Основные преимущества NOR-памяти:
быстрый произвольный доступ;
возможность побайтной записи. Недостатки:
относительно медленная запись и стирание.
Архитектура Flash - памяти
Ячейка flashпамяти со структурой И-НЕ
Основные
преимущества
NAND-памяти:
быстрая запись и стирание;
небольшой размер блока.
Недостатки:
относительно
медленный
произвольный
доступ;
невозможность побайтной записи.
Постоянная память
EPROM UFEPROM, EEPROM, Flash
Программирующая |
Шина адреса (Xадр), |
Разрядная шина |
|
шина (Xпрогр), |
|||
транзистор |
(Yразр) |
||
транзистор хранения |
|||
выборки |
|
n+ |
n+ |
n+ |
Управляющий |
|
Плавающийзатворзатвор |
Шина земли |