этого, для настройки и оптимизации можно задать допустимые значения параметра в виде дискретного массива (вектора) с шагом, равным размеру ячейки сетки при электромагнитном моделировании. Например, длину отрезка линии задать так:

lengL=stepped(10,15,0.1)

Строковые векторы бывает удобно назначать параметру NET (т.е. имени подсхемы, если в схему включена какая-то подсхема). Это позволяет создать набор цепей для использования в качестве подсхемы в виде строкового вектора, в котором содержится список имён созданных

networks» («видоизменяемые цепи»).

Пример 1.1

При моделировании микрополосковой схемы на подложке из поликора, используя переменные и уравнения, можно вместо постоянного значения диэлектрической проницаемости ввести значения, зависящие от частоты, определённые экспериментально. Проще всего это сделать, подобрав формулу, аппроксимирующую экспериментальные данные. Следующее выражение аппроксимирует экспериментальные данные с точностью не хуже 0,15% в диапазоне от

1ГГц до 20 ГГц:

εr = th( F19−1 *1.6 −0.8) −0.041* (F −1) +10.914 +0.00002 * exp(1.267 * F −0.053* F 2 )

где F – частота в ГГц.

В созданном проекте сделайте окно схемы активным и добавьте к схеме следующие переменные (рис.1.7):

Щёлкните по значку Add Equation на панели инструментов и переместите курсор в окно схемы. В поле ввода введите F=_FREQ*1e-9

(переменная _FREQ содержит частоту в Гц, а в формуле должна быть в ГГц).

Снова щёлкните по значку Add Equation на панели инструментов. В поле ввода наберите:

Epsr=tanh((F- Рис. 1.7 1)/19*1.8-0.8)-0.041*(F-

1)+10.914+0.00002*exp(1.26 7*F-0.053*F^2)

Дважды щёлкните по подложке и в открывшемся диалоговом окне Element Options в столбце Value для параметров Er и ErNom введите Epsr (Рис 1.8).

8

Рис. 1.8

Создайте график, например КСВН. Для этого щёлкните по значку Add Graph на панели инструментов. Создав график, щёлкните по значку Add Measurement на панели инструментов. В открывшемся окне Add Measurement в списке Meas. Type (рис. 1.9) отметьте Linear, в спи-

ске Measurement

отметьте VSVR, в поле ввода Data Source Name вы-

берите имя вашей схемы, в поле Port Index введите 1, щёлкая по стрелкам в правой части этого поля, в окошке DB снимите галочку, если она стоит. Нажмите Apply и затем

OK.

Выполните Рис. 1.9 анализ, щёлкнув по значку Analyze на панели инструментов. График КСВН по входу для отрезка линии на по-

ликоре толщиной 0,5 мм с учётом зависимости диэлектрической проницаемости от частоты показан на рис. 1.10.

При желании, чтобы проверить соответствие используемых в проекте значений диэлектрической проницаемости экспериментальным данным, можно вывести график диэлектрической проницаемости. Для этого в окне схемы выделите введённые переменные, установив курсор выше и левее этих переменных, нажмите левую кнопку мышки и, не отпуская её, переместите курсор правее и ниже переменных, нажмите на значок Copy на панели инструментов. Дважды щёлкните по группе Output Equations в окне просмотра проекта. Откроется диалоговое

окно Output Equations. Щёлкните по значку

Рис. 1.10

9

Paste на панели инструментов и поместите скопированные переменные в окне Output Equations.

Обратите внимание. Чтобы вывести график диэлектрической проницаемости, необходимо продублировать переменную и уравнения в окне выходных переменных. Из окна схемы график этих переменных не увидит.

Создайте график, щёлкнув по значку Add Graph на панели инструментов. Добавьте к графику измеряемые величины, щёлкнув по значку Add Measurement на панели инструментов. В открыв-

шемся окне Add Measurement в списке Meas. Type отметьте Output Equation, в списке Measurement от-

метьте Eqn, в поле ввода

Equation Name выберите

Epsr, в окошке DB снимите галочку, если она стоит. Нажмите Apply и затем OK. Выполните анализ, щёлкнув по значку Analyze

на панели инструментов. Полученный график диэлектрической проницаемости показан на рис. 1.11. Эти данные можно получить и в табличном

виде.

10