Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Пермский национальный исследовательский политехнический университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги / Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

13.11.2023

Размер:

23.3 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 3233 / 3933 34 35 36 37 38 39 > Следующая >>>

1.СИСТЕМЫ ПАМЯТИ СО СЧИТЫВАНИЕМ

СРАЗРУШЕНИЕМ ИНФОРМАЦИИ

Восновном интерес к применению многослойных пленок в качестве элементов памяти связан с возможностями увеличения плотности битов или уменьшения сползания. Простейшая пред ложенная схема использования многослойной пленки в схеме памяти следующая: два одинаковых бита в виде структур с магнитостатической связью полями рассеяния располагаются на противоположных сторонах ленточной шины и их оси легкого намагничивания перпендикулярны шине. Таким образом, поток

Фиг. 51. Элемент памяти на основе связан ных пленок [210].

Вверху записана единица, внизу записан нуль.

замыкается, когда намагниченность находится в своем стабиль ном положении. Это имеет то преимущество, что уменьшается собственное размагничивающее поле и поле, действующее на соседний бит. В результате можно усилить сигнал, увеличивая полную толщину [78], увеличить плотность битов [209] и умень шить сползание [83], поскольку это явление зависит от поля вдоль легкой оси, антипараллельного намагниченности. Были предложены и более усложненные варианты по существу той же схемы, в которых фигурируют пленки с заостренными краями [210] или с ферритовым кипером [85, 211, 212], «свернутые»- пленки [213], четырехслойные [82] и многопороговые струк туры [214].

Было отмечено [9], что главным недостатком схем такого типа является трудность получения одинаковых свойств у верх него и нижнего магнитных слоев [215], а также то обстоятель ство, что важную роль здесь могут играть краевые эффекты [88]. На фиг. 51 схематически изображен принцип работы подобного устройства на примере структуры с заостренными краями.

Поскольку ползучесть вызвана прежде всего переходами стенка Блоха — стенка Нееля и движением линии Блоха (разд. 11,4), то другой способ ее устранения состоит в использо вании обсужденного выше взаимодействия между стенками, чтобы существовали только стенки Нееля. Этот прием имеет и недостаток, упомянутый ранее; он приводит одновременно к уменьшению коэрцитивной силы. Но этот недостаток можно преодолеть, используя комбинацию рассматриваемого эффекта

и дырочной связи, как описано в разд. 11,6 и проиллюстрировано на фиг. 27. Приборы такого типа были предложены для прило жений в качестве элементов памяти [9, 156], и, кроме того, для частичного замыкания потока предлагалось использовать по добные элементы с ферритовым кипером [167, 216].

Третий способ уменьшения сползания состоит в увеличении коэрцитивной силы за счет связи (обменной или дырочной) со второй ферромагнитной пленкой или за счет связи через обмен ную анизотропию. Эти эффекты рассмотрены в разд. II 1,1 и 111,2. Наибольшая трудность создания подобных элементов па мяти состоит, вероятно, в обеспечении при производстве полу чения контролируемых и воспроизводимых параметров [9].

Предложен ряд других конфигураций с использованием связанных пленок. Такие пленки исследовались в системах па мяти типа «вафельница» [217] и был сделан вывод, что в настоя щее время эти системы памяти являются экономически выгод ными [218]. Многослойная структура в этом случае применяется опять-таки для замыкания магнитного потока.

Наконец отметим, что многоосные связанные пленки, обла дая многими состояниями, могут использоваться в системах памяти с несовпадающими токами. Такая возможность приме нения была описана Пью [219], но с тех пор, по-видимому, не исследовалась.

2. СИСТЕМЫ ПАМЯТИ СО СЧИТЫВАНИЕМ БЕЗ РАЗРУШЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ

Используя вместо описанных структур с двумя одинаковыми слоями структуры со слоями, которые имеют сильно различаю щиеся анизотропии или коэрцитивные силы, можно осуще ствить системы памяти со считыванием без разрушения инфор мации. Считывание происходит с мягкой (быстрой) пленки, а жесткая (медленная пленка) практически не возмущается. За тем, когда считывающее поле снимается, намагниченность мяг кой пленки восстанавливается за счет связи. Такая ситуация может осуществляться связью через поля рассеяния [79—81, 220], дырочной связью [9, 22], обменной связью [169, 221] или ферро-антиферромагнитной связью [9]. Обычно для этого при меняются одноосные структуры, т. е. с параллельными легкими -осями обоих слоев, но это не обязательно. Если оси легкого намагничивания мягкой и жесткой пленок ортогональны, жест кая пленка может сместить ось мягкой пленки в одно из ее трудных направлений. Тогда, если мягкая пленка опрашивается вдоль трудного направления, сигнал считывания будет асим метричным [199, 222]. Во всех этих элементах, за исключением случая обменной анизотропии, новая запись производится по

дачей импульса, достаточно большого, чтобы переключить жест кую пленку.

На фиг. 52 показан остроумный вариант описанных выше способов, в котором используются идентичные пленки, связан ные полем рассеяния и расположенные асимметрично относи тельно земляных плоскостей. Вследствие возникновения вихревых токов в земляных плоскостях при переключении пленок перемагничивание слоя, ближайшего к пластине, запаздывает. Если приложить достаточно короткий импульс, то «быстрая» считы ваемая пленка может переключиться, а «медленная» пленка

Расщ е п л е н н ая	W / / / / / Z / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / 7 7 X
числовая линия
В сп о м о га те л ьн а я		1в/г	„ Легкая"
разрядная линия		Е22Э Q	ось
			ось
„ Б ы с т р а я " пленка
Сплошная разрядная линия			(1=0,6мкм'
„М едленная " пленка ___
Серебряная зем л ян ая		/ 1М 2/
п л о ско сть

Фиг. 52. Элемент памяти с		использованием	вихревых токов для систем
со считыванием без	разрушения	информадиии [225].

памяти не переключится. Затем, как и в описанном выше при мере, взаимодействие восстанавливает состояние пленки считы вания. Однако в данном случае для записи требуются не более сильные, а лишь более длительные импульсы, чем для считыва ния. Этот элемент довольно подробно изучен в [223—225].

Другой родственный подход [226] основан на использовании многих возбуждающих лент или возбуждающих лент, располо женных асимметрично относительно земляной плоскости. Тогда одна из пленок оказывается в более сильном поле, чем другая, и действует как пленка считывания. Обычно в такой схеме тре буются большие токи записи, чем для считывания.

Тот факт, что одна из пленок в многослойной структуре мо жет иметь низкую температуру Кюри или Нееля, в то время как другие слои будут иметь высокие температуру Кюри и на магниченность, делает такие структуры потенциально привлека тельными для термомагнитной записи. Это представляет особый интерес для систем памяти с выборкой электронным или опти ческим лучом. Указанный способ можно использовать и при записи в структурах рассмотренных выше типов, но, вероятно, больший интерес представляет он для магнитооптических си стем памяти, где выборка лучом является естественной составной

частью принципа работы [9, 31]. В этом случае необходим очень тщательный подбор магнитных материалов с учетом их магни тооптических свойств [9].

3. НЕКОТОРЫЕ ДРУГИЕ ПРИМЕНЕНИЯ

Описанные применения по существу касаются использования многослойных пленок в машинной памяти, где раньше уже при менялись независимые пленки (или по крайней мере их предла галось использовать). Но имеется, однако, несколько других применений, не принадлежащих к указанной категории, и мы их сейчас рассмотрим. Сначала несколько слов о приложениях, свя занных с доменными стенками.

Из проведенного ранее обсуждения (разд. 11,4) ясно, что стенка Нееля в одной пленке может индуцировать, захватывать или переносить с собой стенку соседней пленки. Для захвата стенок можно использовать также разрывную пленку. Имеются предложения [100] по использованию подобных идей для записи или для создания сдвиговых регистров. Экспериментальное изу чение этих концепций показало их принципиальную работоспо собность [100]. Однако при этом выяснилось, что необходимая для таких применений точность в контроле свойств материалов сейчас еще практически недостижима.

Недавно были предложены некоторые новые применения связанных пленок, в которых используются достижимая в таких структурах высокая восприимчивость или взаимная индуктив ность. В разд. III, 2 кратко упоминалась работа Хагедорна [32] по изучению структуры типа «жесткий—мягкий—жесткий». Хагедорн сделал вывод, что в таких пленках начальная воспри имчивость может превышать 10е. Это обстоятельство делает их очень интересными для использования в качестве индуктивно стей. Предполагается, что рабочая частота будет ограничи ваться подвижностью псевдостенки, перемещающейся через

средний слой; по оценкам Хагедорна, она может	состав
лять 10е Гц.
Предложен аналогичный прибор [227] — управляемый	тонко

пленочный трансформатор, в котором используется большая взаимная индуктивность, достижимая в пленках, связанных по лем рассеяния. Макникол [227] провел эксперименты с таким устройством и получил весьма обнадеживающие результаты.

V. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Мы затронули здесь три различных (но в то же время взаи мосвязанных) аспекта взаимодействий в многослойных плен ках; физические явления, приводящие к эффектам связи; свой-

ства структур, в которых проявляются эффекты связи, и приме нение этих свойств. В этой области проделана большая и ценная работа, но из изложенного здесь с очевидностью вытекает су ществование многих пробелов в нашем понимании исследуемых явлений. Практически это находит отражение в том, что в пред ложенных применениях связанных пленок обычно используются только их простейшие свойства, поскольку лишь они достаточно изучены и находят удовлетворительное объяснение. Будем на деяться, что настоящий обзор позволит сделать вывод о пер спективности дальнейшей работы в данной области как в науч ном, так и в прикладном отношении.

ЛИТЕРАТУРА

P u g h Е. W., в книге: Phys. Thin Films, Vol.

1, 1963, p. 277.

M o n t m o r y

R.f

Y e l o n

А., в книге: Basic

Problems

in Thin Film Phy

sics

(Niedermayer

R., Mayer H.,

eds.),

Vandenhoeck

and

Ruprecht,-Gottin

gen,

1966,

p. 470.

and

Properties of Thin Films

(Neuge-

B e a n

С. P.t

книге: Structure

bauer C. A., Newkirk J. B.f Vermilyea D. A., eds.),

Wiley, New

York,

1959,

p. 331.

(1962).

M e i k 1 e j о h n W. H., /. Appl Phys., 33, 1328

Suhl H.,

J a c o b s

I. S.,

B e a n

С. P., в книге: Magnetism

(Rado G. T.,

eds.), Vol. 3, Acad. Press, New York, 1963, p. 271.

M i d d e 1 h о e k S., /. Appl. Phys.,

37.

1276

(1966).

F e 1 d t k e 11 e г E., /. Appl. Phys., 39, 1181

(1968).

M a s s e n e t

O., /. Phys., 29, C2-150 (1968).

Trans. Magn., 5, 292 (1969).

B r u y e r e

C.,

M a s s e n e t

O.,

IEEE

R u s k e

W., Ann. Phys. (Leipzig) [7], 2, 274

(1958).

161 (1960).

11.

R u s k e

W.,

Monatsber. Deut. Akad.

Wiss., Berlin,

12.

H i r s c h

А. А.,

в книге:

Basic

Problems

Thin

Film

Physics

(Nieder

mayer

R.,

Mayer

H.,

eds.), Vandenhoeck

and

Ruprecht,

Gottingen,

1966,

13.

p. 477.

A. A., IEEE Trans. Magn.,

1, 254 (1965).

H i r s c h

14.

H i r sc h

A. A., IEEE Trans. Magn., 2, 423

(1966).

33, 1061 (1962).

15.

Ко lk

A.,

D o u g l a s

L., S c h r a d e r

G.,

/. Appl. Phys.,

16.

G o t o

E.,

H a y a s h i

N.,

M i y a s h i t a

T.,

N a k a g a w a

К»

Appl.

17.

Phys.,

36, 2951

(1965).

E.,

N i s h i m о t о

K-,

Jap.

Appl.

Phys,

7, 555

H a y a s h i

N.,

G o t o

18.

(1968).

K. Y., /. Appl. Phys.,

A im

a s i

G. S.,

A hn

41, 1258

(1970).

Phys.,

19.

N e s b i t t

A.,

W e r n i c k

H.,

C o r e n z w i t

E.,

Appl.

20.

30, 365

(1959).

Z. Angew. Phys., 26,

152 (1969).

Kn e e r G . ,

Zi n n W. ,

944

(1969).

21.

A hn

K. Y.,

A im

a s i

G. S., IEEE Trans. Magn.,

IEEE

22.

B r u y e r e

C.,

M a s s e n e t

O.,

M o n t m o r y

R.,

N e e l

L.,

Trans. Mang., 1, 10 (1965).

B r u y e r e

J. С.,

С 1e г c G., M a s s e n e t

O.,

M o n t m o r y

R.,

N e e l L„

' Annl Phtis

04.4

25.	В г и у ё г е J. С., С 1 е г с G.,			М a s s е n е t О.,			М о n t о m о г у		R., N e e l		L.,
	Р а с с а г d D.,		Y e l o n А., в книге: Colloque				International sur les			Techni
26.	ques de Memoires, Chiron, Paris, 1966, p. 155.						1966.
	M a s s e n e t	О., Диссертация, Univ. Grenoble,
27.	M a s s e n e t	0.,	IEEE Trans. Magn., 4, 26 (1968).					D., C o m p t o n		V.	B.,
28.	B o z o r t h	R.	M., W o l f f	P.	A.,	D a v i e s	D.
29.	W e r n i c k J. H., Phys. Rev.,			122, 1157 (1961).
	С г a n g 1 e J., Phil. Mag., 8, 5, 335					(1960).
30.	S u i t e г W. B., J. Appl. Phys.,				38, 1443 (1967).				520 (1968).
31.	L e e W.-T. P.,		T h o m p s o n	D. A., IEEE Trans. Magn., 4,
32.	H a g e d о r n F. B., /. Appl. Phys., 40, 5179 (1969).							102, 1413	(1956);		105,
33.	M e i k l e j o h n		W. H., B e a n		С.	P., Phys.	Rev.,

904 (1957).

34.M e i k l e j o h n W. H., /. Appl. Phys., 29, 454 (1958).

35.

G r e i n e r

H.,

C r o l l

M.,

S u l i c h

M.,

Appl.

Phys.,

31,

2316

36.

(1960); 32, 1885 (1961).

1474

(1966).

G г e i n e г J. H., /. Appl. Phys.,

37,

37.

S c h m i d H.,

Cohalt, 6, 8 (1960).

J. Appl.

Phys.,

35,

925

(1964);

36,

38.

В er ko w i t z

A. E„ G г e i n e г J. H.,

3330 (1965).

F. B., /. Appl. Phys., 38, 1362, 3641

39.

Ha g e d o r n

(1967).

1752

(1964).

40.

M a s s e n e t

O.,

M o n t m o r y

R., C.

Acad.

Sci.,

258,

41.

M a s s e n e t

O.,

M o n t m o r y

R.,

N e e l

L.,

IEEE

Trans.

Magn.,

42.

63 (1965).

D.,

S c h l e n k e r

C.,

M a s s e n e t

O.,

M o n t m o r y

R.,

P a c c a r d

43.

Y e l o n A.,

Phys. Status

Solidi,

16, 301

(1966).

1462

(1966).

S h a r p

W.f

A r c h i b a l d

P. C.,

Appl. Phys., 37,

21,

44.

K o u v e l

J. S.,

Appl. Phys., 31,

1425

(I960);

J. Phys.

Chem. Solids,

45.

57 (1961).

16, 152

(1960).

K ou v e l

J. S., J. Phys. Chem. Solids,

223

(1967).

46.

N a k a m u r a

Y.,

M i y a t a

N.,

/. Phys.

Soc. Jap., 23,

47.

J a c o b s

I. S.,

K o u v e l

J. S., Phys. Rev.,

122, 412

(1961).

48.

R o t h

L.,

L u b o r s k y

F. E.,

/. Appl.

Phys., 35, 966 (1964).

49.

Mo r i

у a

T.,

книге:

Magnetism

(Rado

G. T.,

Suhl

H.,

ed.),

Vol.

50.

Acad. Press, New York, 1963, p. 86.

(1963).

К о u v e 1

J. S., /. Phys. Chem. Solids, 24, 795

J. E.,

Appl.

51.

G r e i n e r

J. H.,

B e r k o w i t z

A. E.,

We i

d e n b o r n e r

52.

Phys., 37, 2149 (1966).

G. T.,

Suhl

H.,

eds.), Vol. 1,

K a n a m o r i

J.,

в книге: Magnetism (Rado

53.

Acad. Press, New York, 1963, p. 127.

Т а г и р о в

P. И.,

Шу р

Я. C.,

Phys.

Г л а з е р

А. А.,

П о т а п о в

А. П.,

54.

Status Solidi, 16, 745 (1966).

А. П.,

Т а г и р о в P. И.,

Изв. АН СССР,

Г л а з е р

А. А.,

П о т а п о в

55.

сер. физ., 30, N° 6, 1059 (1966).

Т а г и р о в

P. И.,

Шу р

Я. С.,

ФТТ,

Г л а з е р

А. А.,

П о т а п о в

А. П.,

56.

8, N° Ю, 3022 (1966).

А. П.,

Т а г и р о в

Р. И.,

У р я ш е в а

Л. Д.,

Г л а з е р

А. А.,

П о т а п о в

Ш у р Я. С., Изв. АН СССР, сер. физ., 31, N° 5, 735

(1967).

57.

S m i t h

D. О.,

книге: Magnetism

(Rado

G. Т.,

Suhl

Н.,

eds.), Vol. 3,

Acad. Press, New York, 1963, p. 465.

58.

P u g h

W.,

M o h r

T. О.,

книге: Thin Films,

ASM,

Metals

Park,

59.

Ohio,

1964,

195.

Films,

Butterworth,

Lond. Washing

P r u t t o n

M.,

Thin Ferromagnetic

60.

ton, 1964.

M. N.,

H u m p h

re у

F. B., /. Appl. Phys., 41,

1130

(1970).

K r y d e r

61.

S c h l e n k e r

C., Phys. Status Solidi, 28, 507

(1968).

62.

S c h l e n k e r

C.,

P a c c a r d

D.,

Phys. (Paris),

28,

611

(1967),

63.

L e e l

L., C. R. Acad. Set., Ser. B, 264, 1002 (1967).

64.

N e e l

L., Ann. Phys. (Paris), 17, 2, 61

(1967).

1970.

65.

S c h I e n к e r C.f Диссертация, Univ. Grenoble,

York, 1964,

295.

66.

C h i k a z u m i

S.,

Physics

Magnetism, Wiley, New

67.

Lord R a y l e i g h ,

Phil. Mag.,

5, 23, 225 (1887).

68.

N e e l

L, Cah. Phys., 12, 1

(1942); 13, 18 (1943).

Physical

Investiga

69.

M i d d e l h o e k S . ,

в книге: The

Use of Thin Films in

70.

tions

(J. C. Anderson, ed.), Acad. Press, New York, 1966, p. 385.

(1967).

M i d d e 1 h о e k

S.f

W i l d

D., IBM J. Res. Develop.,

11,

71.

К a у s e г W., IEEE Trans. Magn., 3, 141

(1965).

72.

N e e l

L., C. R. Acad. Sci., 246, 2313, 2963

(1958).

73.

N e e l

L., J. Phys. Radium [8], 20, 215 (1959).

74.

N e e l

L., /. Phys. Radium [8], 11, 49 (1950).

Berlin,

75.

K r o n m t i l l e r

H., Nachwirkung

Ferromagnetika, Springer,

1968.

75a. C h a г a p S. H., F u 1 с о m e г E., /. Appi Phys., 42, №

1426

(1971).

76.

S c h 1 e n k e г С., /. Phys. (Paris),

29, C2-157

(1968).

Phys.,

41,

183

76a. Bra n s k y

J.,

B r a n s k y

I., H i r s c h

A., J. Appl.

(1970).

R., Czech. J. Phys., B21, №

766. S c h l e n k e r C., B u d e r

4—5, 506 (1971).

77.

G r e i n e г J. H., частное сообщение

(1968).

Magn. Amplifiers Conf.,

1958,

78.

C o n g e r R. L., Proc. Nonlinear

Magn. and

p. 444.

Appl

Phys.,

79.

O a k l a n d

J.,

R о s s i n g

D.,

30,

54S

(1959).

80.

P o h n

V.,

M i t c h e l l

N.,

IRE

Trans.

Electron.

Comput.,

308

(1960).

81.P e t s c h a u e г R. J., T u г n q u i s t R. D., Proc. West. Joint Comput. Conf., 1961, p. 411.

82.	B r o a d b e n t		K. D„ Proc. IRE, 10, 1728 (1960).				(1962).
83.	S u i t s J. С., P u gh E. W., I. Appl. Phys.,				33,	1057		34.	1209
84.	C h a n g	H.,	Y e 1 о n A.,	V о e g e 1 i	O.,	/.	Appl. Phys.,
85.	(1963) .
	C h a n g H., В u г n s J., /. Appl. Phys., 37, 3240 (1966).							31.	№ 3.
86.	Б а р а н о в	А. К., И б a e в		Ю. К., Изв. АН		СССР, сер. физ.,

396 (1967).

87.V а 1 s t у п Е. Рм IEEE Trans. Magn., 2, 188 (1966).

88.

Н о г п г е i с h R. М., IEEE Trans. Magn., 5, 307 (1969).

89.

S p a i n R. J., C. R. Acad. Sci.,

257, 2427 (1963).

90.

D o v e

D. B., Bell. Syst. Tech. J., 46,

1527

(1967).

91.

N e e l

L., C. R. Acad. Sci., 255,

1545,

1676

(1962).

18,

370

92.

F e l d t k e l l e r

E.,

F u c h s E.,

L i e s k

W„

Z. Angew. Phys.,

(1965).

93.

B r u y e r e

C„

M a s s e n e t

О.,

M о n t m о г у

R.,

N e e l L„

94.

Acad. Sci., 258, 841

(1964).

3, 208 (1963).

S p a i n R. J., Appl. Phys. Lett.,

Phys.

Soc.

Jap., 19,

421,

95.

S a i t o

N.,

F u j i w a r a

H.,

S u g i t a

Y.,

96.

1116 (1964).

T.,

S u z u k i

K-, C h i k a z u m i

S.,

Appl.

Phys.

Lett.,

160

К о ik e da

97.

(1964) .

H.,

Appl. Phys. Lett., 8, 73 (1966).

S u g i t a Y., F u j i w a r a

98.

F u j i w a r a

H., S u g i t a

Y.,

Appl.

Phys.

Lett., 8,

262

(1966).

99.Lo D. S., IEEE Trans. Magn., 4, 721 (1968).

100.F u l l e r H. W., R u b i n s t e i n H., в книге: Large Capacity Mamory Tech niques for Computing Systems (M. Yovits, ed!), Macmillan, New York,

103.

S p a i n R. J.,

P u c h a l s k a

I. В.,

Proc. 5th

Int. Congr. Electron

Microsc.,

104.

1962, Acad. Press, New York, 1962, p. 11-3.

(1963).

F u l l e r

H. W.,

La ki n

L. R.,

Appl

Phys., 34, 1069

W.,

105.

H i r s c h

B.,

H o w i e

A.,

N i c h o l s o n

B.,

P a s h

ley

W h e l a n

M. J.,

Electron Microscopy of Thin Crystals, Butterworth, Lon

106.

don and Washington, 1965, p. 388ff,

(1968).

C o h e n M. S., IEEE Trans. Magn., 4, 48

Film

Physics

(R. Nie-

107.

F e l d k e l l e r

E., в книге: Basic Problems

Thin

dermayer,

Mayer, eds.),

Vandenhoeck

and

Ruprecht,

Gottingen,

1966,

108.

p. 451.

(Paris), 29, C2-87 (1968).

N e e l L., J. Phys.

G.,

M a s s e n e t

O.,

Morit-

109.

B i r a g n e t

F.,

D e v e n y i

J.,

C l e r c

110.

m o r y R., Y e l o n

A., Phys. Status Solidi, 16, 569 (1966).

946

(1965).

F r i e d l a e n d e r

F. J., S i 1 v a

L. F., /.

Appl. Phys.,

36,

111.M i d d e l h o e k S., Z. Angew. Phys., 18, 524 (1965).

112.F e 1 d t k e 11 e г E., Z. Angew. Phys., 18, 532 (1965).

113.

S l o n c z e w s k i

C.,

M i d d e l h o e c k

S.,

Appl.

Phys.

Lett., 6,

139

114.

(1965).

F. J.,

К n e 11 e г E.,

S i l v a

L. F., IEEE

Trans. Magn.,

F r i e d l a e n d e r

1, 251 (1965).

IEEE Trans. Magn., 2, 135 (1966).

115.

F r i e d l a e n d e r

J.,

S i l v a

L. F.,

116.

S l o n c z e w s k i

J. C., /. Appl. Phys.,

37,

1268

(1966);

IBM J. Res. Deve

117.

lop., 10, 377 (1966).

38, 2252

(1967).

A ha r o n i

/. Appl. Phys.,

117a. A h а г о n i A., /. Appl. Phys.,

39, 2330

(1968).

1176. A h а г о n i A., J. Appl. Phys.,

39, 861 (1968).

O., N e e l

L.,

118.

B i r a g n e t

F.,

D e v e n y i

J.,

C l e r c

G., M a s s e n e t

Y e 1о n A.,C .R . Acad. Sci.,

263,

166 (1966).

119.

S m i t h D.

O.,

H a r t e

J.. /.

Appl. Phys., 33, 1399 (1962).

120.

F e l d t k e l l e r

E., L i e s k

W.,

Z. Angew.

Phys., 14,

195 (1962).

121.M i d d e 1 h о e k S., Appl. Phys. Lett., 5, 70 (1964).

122.M i d d e l h o e k S., IBM J. Res. Develop., 9, 147 (1965).

123.

P i s u t о v a N.. Z. Angew.

Phys.,

24, 86

(1968).

662

(1968).

124.

F i n z i

L. A.,

H a r t m a n

J. A.,

IEEE

Trans. Magn., 4,

124a. S i e g l e

W. T.,

Fl u

г В.

L.,

IEEE

Trans. Magn., 3, 484

(1967).

1246. C l e g g

W. W.,

P i c k a r d

R. M.,

IEEE

Trans. Magn., 5,

929

(1969).

125.

C l o w H., Nature (London),

194, 1035

(1962).

М., С а в

126.

К и р е н с к и й

Л. В., И з о т о в а

П., С а л а н с к и А Н.

127.

ч е н к о

М. К.,

Изв. АН СССР, Сер. физ., 29, № 4, 604

(1965).

К и р е н с к и й

Л. В.,

И з о т о в а

Т. П.,

С а л а н с к и й

Н. М., Ч и с т я -

128.

к о в Н. С., Phys. Status Solidi, 17, 489 (1966).

769

(1964).

H u m p h r e y

В.,

C l o w

H.,

Nature

(London), 204,

129.

H u m p h r e y

B.,

H a s e g a w a

R.,

C l o w H., IEEE

Trans.

Magn., 2,

557 (1966).

130.S te i п K. U., IEEE Trans. Magn., 2, 781 (1966).

131.

P a t t o n

С.

E.,

H u m p h r e y

F. B., /. Appl. Phys., 37, 1270 (1966).

132.

M i d d e l h o e k

S., W i l d

D.,

Nature

(London), 211, 1169

(1966).

133.

P a t t o n

С. E.,

H u m p h r e y

F. B., Nature (London), 213, 1010 (1967).

134.

P a t t o n

С.

E.,

H u m p h r e y

F. В.,

I. Appl. Phys., 38, 4102 (1967).

135.

S t e i n K. U., Z. Angew. Phys., 21, 400

(1966).

38,

4401

(1967).

136.

S t e i n

U.,

F e l d t k e l l e r

E.,

Appl.

Phys.,

137.

H o p e r

H.,

K a y s e r

W.,

IEEE

Trans.

Magn.,

669

(1968).

138.

M a u r a i n

C., /. Phys. (Paris), 1, 90

(1902).

N ёe 1

L.,

C. R. Acad.

139.

B r u y e r e

J. C.,

M a s s e n e t

О.,

M о n t m о г у R.,

140.

Sci., 258, 1423 (1964).

F.,

J u r e t s c h k e

Н-»

M o p t m o r y R.»

M a s s e n e t

O.,

B i r a g n e t

Y e l o n

A., IEEE Trans. Magn., 2, §53

(1966),

141.

C h e z e l

Р.,

G i r a r d

R.,

G r u n d b e r g

G.,

L e G u i l l e r m J.,

книге:

Colloque International sur les Techniques de Memoires, Chiron, Paris, 1966,

142.

p. 228.

J.,

Bull.

Amer. Phys.

Soc.

[2],

11, 110

(1966).

J u r e t s c h k e

143.

К i 11 e 1 C.,

Quantum Theory of Solids, Wiley,

N. Y., 1963;

русский пере

144.

вод: К и т т е л ь

Ч.,

Квантовая теория

твердых

тел,

«Наука», 1967.

13,

D r e y f u s

В.,

M a y n a r d

R.,

Q u a t t r o p a n i

A.,

Phys.

Rev.

Lett.,

145.

342a (1964).

A.,

F a l k

S.,

F e r r e l l

A.,

F u l l e n b a u m

S.,

B a r d a s i s

146.

P r a n g e

R. E.,

M i l l s

D. L.,

Phys. Rev.

Lett., 14, 298 (1965).

Y o s h i da K-, Oki j i A., Phys. Rev. Lett.,

14,301

(1965).

(1966).

147.

D r e y f u s

B.,

M a y n a r d

R.,

неопубликованное

сообщение

148.

T r o u s d a l e

W. L., L i n d g r e n

A.,

/. Appl. Phys., 36, 968 (1965).

149.

B a l t e n s p e r g e r

W.,

G r a a f

M.,

Helv.

Phys.

Acta,

33,

881

150.

(1960).

Б. В.,

Б е р д ы ш е в

А. А., ФТТ, 5, №

10, 3026 (1963).

К а р п е н к о

151.Б е р д ы ш е в А. А., ФТТ, 8, N2 5, 1382 (1966).

152.B u s c h G . , Helv. Phys. Acta, 40, 810 (1967).

153.

A l l e n

s o n

B.,

T a y l o r

K-

R.,

Appl.

Phys., 39,

1094

(1968).

154.

J a n a k J. F., /. Phys. Chem. Solids, 27, 1571

(1966).

частное

сообщение.

155.

Ju r e t s e k e

J.,

K o o i

F., M a s s e n e t

О.,

156.

F e l d t k e l l e r

E.,

S t e i n

U.,

H a r m s

H.,

Proc.

Intermag.

Conf.,

157.

1965, p. 8.4-1.

C.,

Cl e r e

G.,

V a l i n

J.,

книге:

Colloque

International

B r u y e r e

158.

sur les

Techniques

Memoires,

Chiron,

Paris,

1966,

172.

D a u g h t on

M.,

C h a n g

H.,

Appl.

Phys.,

36,

1123

(1965).

159.

C h a n g H . ,

IBM J. Res. Develop., 6, 419

(1962).

International

sur

les Tech

160.

B r u y e r e J .

C.,

Y e 1о n А.,

в книге: Colloque

161.

niques de Memoires, Chiron, Paris,

1966, p.

163.

C h a n g H . ,

Proc. Intermag. Conf.,

1963, p. 6-1-1.

37, 4451

(1966).

162.

F u 1с 0m e r E., C h a n g H.,

F i n z i

L. A., /. Appl. Phys.,

163.

C h a n g

H.,

Li n

Y. S.,

P r i v e

г A.,

J. Appl.

Phys.,

38,

2294

(1967).

164.

L in Y. S . , C h a n g H . ,

/. Appl.

Phys.,

40, 604

(1969).

184

(1966).

165.

S t e i n

K. U.,

F e l d t k e l l e r

E.,

IEEE

Trans. Magn.,

166.

T h o m p s o n

А.,

Диссертация,

Carnegie

Inst.

Technology,

1965.

167.

T h o m p s o n

A.,

C h a n g

H.,

IEEE

Trans.

Magn.,

530

(1966).

168.

H a g e d o r n F .

В., J. Appl. Phys.,

41,2491

(1970).

Appl.

Phys.,

30, 1956

168a. A h a r o n i

A.,

F r e i

H.,

S h t r i k m a n

S.,

(1959).

IEEE Trans. Magn., 5,

169.

H a g e d o r n F . B ,

166

(1969).

170.

A n d r a

W., IEEE Marn. Trans., 2, 560 (1966).

C.,

IEEE

Trans.

Magn.,

171.

V a l i n

J.,

C h a v a l i e r

G.,

B r u y

e r e

71 (1969).

172.

C h a n g H . ,

неопубликованное сообщение

(1962).

R.,

M i y a s h i t a

T.,

173.

G o t o

E.,

H a y a s h i

N.,

H o n m a

N.,

K u r o d a

Jap. J. Appl. Phys., 4, 712 (1965).

Phys.

Status

Solidi,

174.

T h o m p s o n

A.,

C h a n g

H.,

17,

(1966);

C h a n g

H.,

G e n o v e s e

R.,

Appl. Phys.,

38,

1205

(1967);

C h a n g

H„

G e n o v e s e

R.,

Fl u г

В., там

же,

39,

1222

(1968);

175.

G e n o v e s e

Е. R., C h a n g

H., Rev. Sci. Instrum.,

39,

733 (1968).

C h e n D., M о г г i s h A. H., /. Appl. Phys., 33,

1146 (1962).

176.

C h a n g H . ,

Brit. J. Appl. Phys., 12, 160 (1961).

(1967).

177.

O k o c h

i M.,

N o s e H., J. Phys. Soc. Jap., 23, 937

178.

K o o i

C. F.,

H o l m q u i s t

R.,

W i g e n

E.,

D o h e r t y

J. T.,

Phys. Soc. Jap., 17, Suppl. B-l, 599

(1962);

K o o i

C. F., Phys. Rev. Lett.,

20, 450

(1968);

S p a r k s

M, там же 22,

1111

(1969); M o l l e r

W. M.,

Диссертация, Polytechnic

Inst. Brooklyn,

1968.

179.

W a k s m a n n

В.,

B u d e r

R.,

E s c a d i e r

P.,

K o o i

F\,

M a s s e

180.

n e t O., /. Phys. (Paris),

29, C2-128

(1968).

39,

1387

(1968).

K o o i

C. F.,

W a k s m a n n B., B u d e r

R„ /. Appl. Phys.,

181.

W a k s m a n n

B.,

M a s s e n e t

0.,

E s c a d i e r

P.,

K o o i

C. F.,

J. Appl

182.

Phys, 39, 1389 (1968).

1968.

W a k s m a n n

В., Диссертация, Univ. Grenoble,

(1969).

183.

B u d e r R., M a s s e n e t

О., С. Й. Acad. Sci.,

269, 744

(1971).

183a. P a s с a г d И.,

H o f f m a n n

F.,

Czech. J. Phys.,

B21, № 4—5, 478

184.

H o f f m a n

F.,

S t a n k o f f

A.,

P a s c a r d

H.,

Appl. Phys.,

41,

1022

(1970).

Фи

185.

Г л а з е р

А. А.,

Т а г и р о в

P. И.,

П о т а п о в

А. П.,

Шу р

Я. С,

186.

зика металлов и металловедение, 26, № 2, 289 (1968).

(1967).

M a s s e n e t

О.,

D e v e n y i

J., С. R. Acad. Sci.,

265, 605

187.

С о г е п

R. L.,

J u r e t s c h k e

Н.

J.,

Phys.

Rev.,

126,

1378

(1962).

188.

H i r s c h

A.,

F r i e d m a n

N.,

IEEE Trans. Magn.,

428

(1967); 5,

189.

174 (1969).

H.,

B r u y e r e

C., /.

Vac.

Sci.

Technol.,

673

R o u x - B u i s s o n

(1969).

Appl.

Phys.,

190.

N e s b i t t

A.,

W i l l i a m s

J.,

B o z o r t h

M.,

191.

25, 1014 (1954).

S 1 о n c z e w s к i J. С., частное сообщение (1961).

L.,

P a u l e v e

J.,

192.

N e e l

L.,

Acad. Sci.,

257,

2917

(1963);

N 6 e l

P a u t h e n e t

R.,

L a u g i e r

J.,

D a u t r e p p e

D.,

Appl.

Phys.,

35,

873(1964).

193.Ye Ion A., /. Appl. Phys. 38, 325 (1967).

194.S i e g 1e W. T., J. Appl. Phys., 36, 1116 (1965).

195.H a у a sh i N.. Jap. J. Appl Phys., 5, 1148 (1966).

196. T o r o k E. J., O r e d s o n H. N., O l s o n H. L., /. Appl. Phys., 35, 3469 (1964).

197.C h a n g H . , 7 . Appl. Phys., 35, 770 (1964).

198.A n d г a W., Phys. Status Solidi 9, K23 (1965).

199.W a n g С. P., /. Appl. Phys., 39, 1220 (1968).

200.S i e g 1 e W. T., частное сообщение (1961).

201.	Y e l o n	A., P u g h	E. W.,	неопубликованное сообщение					(1961).
202.	H a у a s h i N , G о t о E., /. App. Phys., 37, 3715							(1966).		Magn.,
203.	Y e l o n	A., M a s s e n e t		O., M o n t m o r y			R.,	Proc. Int. Conf.
204.	1964, Inst. Phys. Phys. Soc., London, 1965, p.						791.		21, 191	(1967).
	M a k s y m o w i c z		L., L u b e c k a		M.,	Acta	Physica Pol.,
205.	L u b e c k a M., M a k s y m o w i c z				A.,	M a k s y m o w i c z			L., IEEE	Trans.
	Magn., 4, 360 (1968).

206.I s a a с E. D., Brit. J. Appl. Phys., 1, 942 (1968).

207.P r u 11 о n M., /. Appl. Phys., 39, 1153 (1968).

208. T h o m p s o n

D. A, F i n z i

L. A.,

C h a n g

H., A l b e r t

P., J. Appl.

Phys., 37, 1274 (1966).

208a. T h o m p s o n

D. A., IEEE Trans. Magn., 6, 664

(1970).

660

(1970).

2086.L in

С.

H.,

F r e s i a

F.,

IEEE

Trans.

Magn.,

208B. C h a n g

H.,

M a z z e о

J.,

R o m a n k i w

L., IE E E

Trans. Magn., 6,

729

(1970).

209. G r u n b e r g

G.f в книге: Colloque International sur les Techniques de

Memories, Chiron, Paris, 1966, p. 85.

210. C h a n g

H., V o e g e l i

O., Y e l o n

A., G e n o v e s e

E. R.,

неопублико

ванное сообщение (1963).

211.C h a n g H . , /. Appl. Phys., 38, 1203 (1967).

212.О sh i m a S„ IEEE Trans. Magn., 5, 392 (1969).

213.C h a n g H . , Electronics, 42, № Ю, 118 (1969).

214.C h a n g H . , будет опубликовано.

215. A h n К. Y., F r e e d m a n J. F., IBM J. Res. Develop., 12, 100 (1968),

<<< < Предыдущая 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 3233 / 3933 34 35 36 37 38 39 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке книги

#
20.11.20233.05 Mб5Физика прочности и механические испытания металлов.-1.pdf
#
12.11.2023834.42 Кб0Физика прочности и механические испытания металлов..pdf
#
12.11.202316.59 Mб7Физика разрушения. Рост трещин в твёрдых телах.pdf
#
12.11.20231.11 Mб3Физика среды и ограждающих конструкций. Ч. 1.pdf
#
12.11.20233.07 Mб1Физика твердого тела и конденсированных систем. Ч. 1.pdf
#
13.11.202323.3 Mб25Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6.pdf
#
12.11.20231.79 Mб2Физика. Основы электромагнетизма.pdf
#
20.11.20233.46 Mб2Физика.-1.pdf
#
12.11.20239.28 Mб2Физика..pdf
#
12.11.2023752.95 Кб6Физики шутят..pdf
#
12.11.20238.03 Mб1Физико-геологические проблемы остаточной нефтенасыщенности..pdf