
- •Федеральное агентство по образованию
- •Цель работы: исследование проводимости полупроводников с собственной и примесной проводимостью.
- •1.Краткие теоретические сведения
- •1.1. Зонная теория твердого тела
- •1.1.1. Уравнение шредингера для твердого тела
- •1.1.2. Одноэлектронное приближение
- •1.1.3. Функции блоха
- •1.1.4. Свойства волнового вектора электронов в кристалле. Зоны бриллюэна
- •1.1.5. Энергетический спектр электронов в кристалле. Модель кронига-пенни
- •1.1.6. Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники
- •1.1.7. Эффективная масса электрона
- •1.2. Электрические свойства полупроводников
- •2.1.1.Энергетические уровни примесных атомов в кристалле
- •2.1.2. Собственная проводимость полупроводников
- •2.1.3.Электропроводность примесных полупроводников
- •2.1.4.Элементарная теория электропроводности полупроводников
- •1.2.5.Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •1.2.5.1.Плотность квантовых состояний
- •1.2.5.2.Функция распределения ферми-дирака
- •1.2.5.3.Степень заполнения примесных уровней
- •1.2.5.4.Концентрация электронов и дырок в зонах
- •1.2.6.Зависимость проводимости полупроводника от температуры
- •2.Методика эксперимента и экспериментальная установка
- •3. Порядок выполнения исследований
- •4. Требования к оформлению отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •Примечание
- •Раздел 1 теоретических сведений предназначен только для студентов фрэи, для студентов других специальностей – на усмотрение преподавателя.
- •6.Список литературы
1.1.6. Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники
Каждая
разрешенная зона содержитконечное
число (N)
энергетических
уровней. В соответствии с принципом
Паули на каждом уровне может находиться
лишь два электрона
с противоположно направленными спинами.
При ограниченном
числе электронов, содержащихся в
кристалле, заполненными окажутся
лишь несколько наиболее низких
энергетических зон.
Все остальные зоны будут пусты.
Рассмотрим различные варианты заполнения зон электронами.
1. Предположим, что последняя зона, в которой есть электроны, заполнена частично. Поскольку эта зона заполняется валентными электронами атомов, ее называют валентной. Под действием внешнего электрического поля электроны, занимающие уровни вблизи границы заполнения, начнут ускоряться и переходить на более высокие свободные уровни той же зоны. В кристалле потечет ток. Таким образом, кристаллы с частично заполненной валентной зоной хорошо проводят электрический ток, т. е. являются металлами.
Рассмотрим
в качестве примера натрий. Каждый атом
натрия содержит 11 электронов, распределенных
по состояниям следующим образом:
.
При объединении атомов в кристалл
энергетические уровни атомов превращаются
в зоны. Электроны внутренних оболочек
атома полностью заполняют зоны,
образованные из уровней 1s,
2s
и 2р,
так как в них на 2N,
2N
и 6N
состояний приходятся соответственно
2N,
2N
и 6N
электронов. Валентная зона образована
из 3s
состояний. В ней имеется всего 2N
состояний, на которые приходится N
электронов (по одному валентному
электрону на атом). Таким образом, в
кристаллическом натрии валентная зона
заполнена только наполовину. Естественно,
что все сказанное относится к температуре
0 К. Аналогичным образом заполняются
зоны и у других щелочных элементов.
2.
Допустим, что валентная зона заполнена
электронами полностью, но она перекрывается
со следующей разрешенной зоной, незанятой
электронами. Если к такому кристаллу
приложить внешнее электрическое поле,
то электроны начнут переходить на уровни
свободной зоны и возникнет ток. Данный
кристалл также является металлом.
Типичный пример металла с указанной
зонной структурой - магний. У каждого
атома Mg ()
в валентной оболочке имеется два
электрона. В кристаллическом магнии
валентные электроны полностью заполняют
3s-зону.
Однако эта зона перекрывается со
следующей разрешенной зоной, образованной
из Зр-уровней.
3.Рассмотрим
теперь случай, когда валентная зона
заполнена электронами полностью и
отделена от следующей за ней свободной
зоны широкой (больше 2—3 эВ) запрещенной
зоной (энергетической щелью). В кристалле
с такой зонной структурой внешнее поле
не может создать электрического тока,
так как электроны в заполненной зоне
не могут изменить своей энергии.
Следовательно, вещество представляет
собой диэлектрик. Типичным диэлектриком
является ионный кристалл NaCl. Положительно
заряженные ионы натрия имеют электронную
конфигурацию Na(
),а
отрицательные ионы хлора -Cl
(
).
Зоны, образующиеся из полностью
заполненных атомных уровней тоже
оказываются полностью заполненными.
Последней заполненной зоной является
зона Зр
С1
,
а следующей за ней свободной зоной —
зона 3s Na+. Энергетическая щель между
этими зонами составляет около 9 эВ.
Если
ширина запрещенной зоны меньше 2—3 эВ,
то кристалл называют полупроводником.
В полупроводниках за счет тепловой
энергии kT
заметное число электронов оказывается
переброшенным в свободную зону, называемую
зоной проводимости. При очень низких
температурах любой полупроводник
становится хорошим диэлектриком.
Таким образом, между металлами и диэлектриками существует качественное различие, а между диэлектриками и полупроводниками — только количественное.
Заполнение зон электронами в металлах, диэлектриках и полупроводниках схематически показано на рис.1.1.8. В табл.1 приведены значения ширины запрещенной зоны для некоторых диэлектриков и полупроводников.
Таблица1. Ширина запрещенной зоны
Кристалл |
Eg, эВ |
C (алмаз) BN Al2O5 Si Ge GaAs InSb Sn (серое) |
5,2 4,6 7,0 1,11 0,66 1,43 0,17 0,08 |