Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Власов В.Ф. Электронные и ионные приборы Учеб.пособие для радиотехн.вузов и фак

.pdf
Скачиваний:
35
Добавлен:
30.10.2023
Размер:
26.17 Mб
Скачать

При изменении напряжения управляющей сетки U с, меняет­ ся величина действующего напряжения на этой сетке Ugь вследствие чего по закону степени 3/ 2 изменяется ток 1К. Кру­ тизна характеристики катодного тока равна

•s„

( 11. 12)

Так как в рабочих режимах перехвата анодный ток связан

L = к+ 1 *’

равна

S = dig

dL

S„ =

3 к

ёЩ \• (11-13)

d U „

к + 1 dUc, к + 1

 

2 /с —f—1

Полученное выражение показывает, что крутизна 5 пентода зависит от коэффициента токораспределения и, если при увели­ чении, например, анодного напряжения увеличивается к, то и 5 немного увеличится при том же значении тока / а . По сравне­ нию с триодом, у которого катодный ток и размеры электродов (следовательно, величина g) такие же, как у пентода, крути ша пентода из-за распределения катодного тока между анодом и экранирующей сеткой получается несколько меньше, так как

М-1

Для вычисления внутреннего сопротивления Rt необходимо учесть, что в пентоде анодное напряжение влияет на анодный ток, во-первых, путём изменения U ai и вызываемого этим изме­ нения общего тока I к и, во-вторых, через изменение токорас-

иа

пределения вследствие изменения отношения — .

U С2

Внутреннее сопротивление R t есть величина, обратная актив­ ной составляющей выходной проводимости пентода

J _ _

dig. _

_д_ ( К j

Ri

dUa

диа \к + 1 ‘

Выполняя дифференцирование, получим, что

1

_

к

д!к .

/„ дк

(11.14)

~Ri

~

7 + 1

дйа +

(к+1)я дйа '

 

т. е. активная выходная проводимость пентода состоит из двух проводимостей.

Первая проводимость учитывает воздействие анодного на­ пряжения на анодный ток, вызываемое изменением общего тока I к, который меняется вследствие изменения действующего

220

напряжения Ugi. Из ф-лы (11.7а) видно, что влияние анодного напряжения ' на U ai количественно зависит от проницаемости лампы D; поэтому величину, обратную первой составляющей проводимости, мы, обозначив через R т, будем рассматривать как сопротивление пентода, обусловленное проницаемостью лампы,

RiD ~

К-Н dUa

(11.15)

к

д!к

 

 

 

Вторая проводимость

 

дк

учитывает влияние анодного

——j -

 

напряжения на анодный ток, проявляющееся вследствие изме­ нения коэффициента токораспределения к при изменении Ua . Обозначим величину, обратную этой проводимости, через RlK— внутреннее сопротивление пентода, обусловленное токораспределением,

р

_ (к -М )2

1

(11.16)

Kin------ ;

 

дк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

w a

 

Следовательно, ур-ние (11.14)

можно переписать так:

 

_ 1_

_ L

,

_ L

(11.17)

Ri

 

 

«ID + *Ы '

 

т. е. внутреннее сопротивление пентода R t можно представить состоящим из двух параллельно соединённых сопротивлений R id

И R Ik­

 

от

конструкции

пентода эти

сопротивле­

'S зависимости

ния могут иметь различные значения

и

могут

в

разной сте­

пени влиять

на

величину полного внутреннего сопротивления

пентода.

 

 

 

 

 

 

 

(высо­

Например, в лампах с густой экранирующей сеткой

кочастотные

пентоды)

проницаемость D чрезвычайно

мала,

влияние анодного

напряжения на Ugi

и ток

практически

незаметно и можно считать, что сопротивление R id бесконечно велико; внутреннее сопротивление R t будет равно R и , т. е. бу­ дет зависеть только от изменения токораспределения.

Коэффициент усиления пентода, при помощи которого мы сравниваем действие анодного' напряжения с действием на­

пряжения

управляющей

сетки на

анодный ток,

равняется

dUa

 

В соответствии

со сказанным выше о вли-

У- = I dUa

 

Ia=

const

определяться по формуле

(jl= SR t и

янии U„ на

он должен

не будет являться величиной, обратной проницаемости D(p

как это имеет место в триоде. Действительно, при помощи

221

проницаемости D мы оцениваем

только

частичное воздействие

t/a на анодный ток

(через Uд1 и /J , а в коэффициенте усиле­

ния должны учесть

влияние

анодного

напряжения

и на

/ к и

 

на токораспределение

 

 

 

 

р. = SR[—S Rid r ik

SRiK

(11.18)

 

 

 

 

 

 

Rik

R

 

 

 

 

 

 

 

KlD

 

 

 

В лампах с густой экранирующей сет-

 

Г)

 

 

 

 

 

 

 

кой С 1 и величина коэффициента уси-

 

RiD

р

определяется

исключительно

 

ления

 

процессами токораспределения

р = SRlK.

 

Нахождение параметров пентода

по

Рис. 11.16

семейству

характеристик

или

определе­

 

ние их

по

приборам в схеме

испытания

на постоянном токе имеет особенности. Метод треугольника и соответственно метод двух отсчётов, применяемые при определе­ нии параметров триода, в данном случае неприменимы, так как вследствие большой величины коэффициента усиления р пенто­ да изменение напряжения на сетке MJci получается слишком ма­ лым. Поэтому для определения параметров пентода применяют видоизменённый способ двух отсчётов.

Например, для определения параметров по анодному семей­

ству характеристик (рис. 11.16) следует

вычислить в заданной

рабочей точке Ai

 

i

1) крутизну 5 =

д ис1 , определяя Д/ 0

по точкам А и В,

лежащим при одинаковом Ua на соседних характеристиках,

имеющих разность напряжений на управляющей сетке,

равную

ь и «Ъ

 

 

 

 

 

2)

внутреннее сопротивление Rt =

по

точкам

А и С,

лежащим на одной и той же

^ /а

 

при V

= const;

характеристике

3)

коэффициент усиления

по формуле

=

SRt.

 

Зависимость параметров от режима

Вопрос о зависимости параметров пентода от режима рас* смотрим применительно к лампам с густой экранирующей оеткой (пентоды высокой частоты).

Крутизна характеристики, исходя из ф-л (11; 13) и (11.7я), определяется следующим выражением:

л

I j\] _

о

к g (t/cl + Dit/ca+ ;D t/e)>/’. (11.19)

к - м

а'

2

1

282

Отсюда следует, что в лампах с густой экранирующей сет­ кой (Z)< 1) в режиме прямого перехвата крутизна 5 от анод­ ного напряжения зависит очень мало (рис. 11.17). При переходе в режим возврата 5 уменьшается за счёт уменьшения коэффи­ циента токораспределения к. От напряжения экранирующей

сетки крутизна характеристики зависит весьма сильно, увели­ чиваясь с увеличением этого напряжения (рис. 11.18). Однако при слишком больших Uс2, превосходящих 0 а , рост крутизны S замедляется, а затем и прекращается вследствие перехода в ре­ жим возврата и падения величины коэффициента токораспре­ деления к. Вследствие этого в рабочем режиме Uс%< 'JJa . Кру­ тизна S возрастает также при уменьшении отрицательного на­ пряжения на управляющей сетке (рис. 11.19).

Внутреннее сопротивление высокочастотного пентода R , определяется ф-лой (11.16)

-fl)2 ( дк

1

RlK

/« U c /J

 

Обозначим для краткости в (11.10)

= d ;

JRZ

 

= Яд3.

1 -ф- D3+

DRз

14- Da ■+■ D q j

 

Рис. 11.18

224

* п
так называемая «постоянная внутреннего
Ri = b u-B-

тогда

к — С

/?з

(11.20)

Найдём производную

( 11.21)

Так

как из

(11.20)

диа 2к

ис2

 

 

 

 

 

 

C\D з

к2 —

/с +

1

 

 

U

 

к

' а*

 

 

сч

 

 

 

то из

(11.21)

и из (11.16) получим

 

 

( 11.22)

Выражение, стоящее в квадратных скобках, зависит от ко­ эффициента токораспределения к; для рабочих режимов пен­ тода, как уже отмечалось, коэффициент к меняется очень мало и поэтому можно приближённо считать, что выражение, стоя­ щее в скобках, остаётся постоянным при изменении в ра­ бочей области. Тогда из равенства (11.22) непосредственно следует, что внутреннее сопротивление пентода R t прямо про­ порционально анодному напряжению Ua и обратно пропорцио­ нально анодному току 1а. Следовательно, внутреннее сопротив­ ление высокочастотного пентода может быть выражено фор­ мулой

(11.23)

где b = 2/са 4 - 1 )

к2— С|Од3 сопротивления» зависит в основном от конструкции и размеров электродов.

Опыт

подтверждает указанные

зависимости

для R(. На

рис. 11.20

приведены для примера

результаты

эксперимен­

тального исследования одного из высокочастотных пентодов.

Как

видно из рисунка, зависимость Rt — f{U 0) при

Ia = const

(рис.

11.20а) и зависимость R (— f{ l/Ia) (рис.

11.20б)

при Uа—

= const практически линейны.

Величина

постоянной

внутрен­

него

сопротивления для этого

пентода

равна

17,6, вообще же

она колеблется от 15 до 30.

 

 

ог£/0 при Uс1= const.

На рис. 11.17 показана

зависимость /?,•

Она практически имеет такой

же вид,

чт

и

зависимость Rt

от 11а при / 0 = const, так

как

анодный ток в

рабочих

режимах

мало зависит от анодного

напряжения.

 

 

 

 

15-322

225

Из ф-лы (11.23) следует, что внутреннее сопротивление пен­ тода не зависит от напряжения экранирующей сетки; это, ко­ нечно, имеет место в том случае, если при изменении Uс2 поддерживается постоянной величина анодного тока, например,

Рис. 11.20

изменением смещения на управляющей сетке. Если напряжение смещения Uci не менять, то изменение Ul%, вызывая изменение анодного тока, сильно влияет на величину внутреннего сопро­ тивления (рис. 11.18). Точно так же, сильное изменение R l наблюдается при изменении напряжения UcU если Uc2 остаётся постоянным (рис. 11.19).

На рис. (11.17), (11.18) и (11.19) представлены также зависимости коэффициента усиления р. от напряжений на элект­ родах. Объяснить их нетрудно, исходя из формулы

§ 11.5. Высокочастотные пентоды

Принципиальная схема простейшего усилителя высокой час­ тоты с пентодом изображена на рис. 11.21. Динамический коэф­ фициент усиления по напряжению такой ступени определяется сопротивлением нагрузки Z и динамической крутизной Sd

K = S dZ = ---- (11.24а)

1 + «7

В рассматриваемых усилителях в качестве нагрузки приме­ няется параллельный колебательный контур, сопротивление ко­ торого Z зависит от частоты; поэтому коэффициент усиления такого усилителя также зависит от частоты (рис. 11.22). Наи­ большим усилением усилитель обладает на резонансной час­

тоте нагрузки fQ,

когда её сопротивление Z (f0) = R3

является

чисто активным

и равно R3 = — = -5 -. Здесь

Q = — = ——_

 

Сг

ш0 С

г

аСг

— добротность контура, а г — его активное сопротивление.

226

. Подобные усилители находят применение в радиоприёмни­ ках и от них требуется, чтобы они имели резонансную кривую усиления с узкой полосой усиливаемых частот Д/ в целях обес­ печения возможности хорошей отстройки от соседних по частоте мешающих радиостанций.

Как известно из теории переменных токов, полоса пропус­

кания параллельного резонансного контура равна Д /= -^-.О т­

сюда следует, что для получения узкой полосы пропускания Д f требуется применять контуры с высоким качеством Q, назы­ ваемым добротностью, т. е. с малыми потерями. Для этого не­ обходимо уменьшать потери в контуре (уменьшать активное со­ противление контура г) и применять лампу, у которой внутрен­ нее сопротивление значительно выше, чем сопротивление на­ грузки Rt > R 3. Практически в диапазоне высоких частот тре­ буется, чтобы внутреннее сопротивление лампы имело величину порядка одного мегома.

Коэффициент

усиления

усилителя на

резонансной

частоте

при условии R

определится выражением

 

 

* 0 =

SRi -~ S R 9.

»

(11.246)

Величина усиления не может быть сколь угодно большой. До­ пустимое максимальное усиление ограничивается опасностью

к

самовозбуждения за счёт обратной связи входной и выходной цепей через ёмкость Сас\. Как показал В. И. Сифоров, максималь­ ное устойчивое усиление определяется выражением

Км а к с

(11.25)

и коэффициент усиления Ко не должен превосходить эту вели­ чину К0< К Макс.

Для увеличения максимального допустимого усиления нуж­

но увеличивать отношение —- путём увеличения S и умеиьше-

СаП

иия проходной' ёмкости С ас{.

15*

227

Высокочастотные пентоды должны также иметь высокое от-

ношение — .Это требование обусловливается необходимостью

' а

снижения уровня внутриламповых шумов в целях повышения предельной чувствительности (см. об этом подробнее§ 13.5—13.7), а также необходимостью повышения экономичности усилителя.

 

Как следует

из вышеизложенного,

 

в пентодах, предназначенных для уси­

 

ления высокой частоты,

должно

быть

 

осуществлено возможно лучшее экра­

 

нирование управляющей сетки от,ано­

 

да, чтобы уменьшить, как можно силь­

 

нее, ёмкость между этими

электрода­

 

ми. Для этой

цели

экранирующую

 

сетку делают густой и в лампе поме­

 

щают специальные экраны для умень­

 

шения ёмкости между выводами ано­

 

да и управляющей сетки.

 

 

 

На рис. 11.23 показано схематиче­

 

ски устройство высокочастотного пен­

 

тода, у которого вывод управляющей

 

сетки сделан в верхнюю часть балло­

 

на, анод и экранирующая сетка выве--

Рис. 11.23

дены в нижний цоколь;

защитная

сет­

ных траверс с верхним

ка скреплена при помощи

вертикаль­

и нижним экранами и через последний

соединена с выводом на цоколь лампы. Во многих высокоча­ стотных пентодах отдельный вывод на верх баллона не делают, лампы изготовляют одноцокольными с экраном внутри цоколя (рис. 11.24). В миниатюрных лампах, имеющих плоскую нож­ ку, в целях уменьшения ёмкости между выводами в ножке раз­ мещается специальный дисковый экран (рис. 11.25).

Иногда защитная сетка в высокочастотных пентодах соеди­ няется с катодом внутри лампы и не имеет отдельных выводов в нижнем цоколе.

Благодаря хорошему экранированию в высокочастотных пентодах электростатическое воздействие анода на управляю­ щую сетку и катод очень мало, вследствие чего ёмкость LCocl

получается очень малой:

порядка 0,003 0,006 пф, т. е. в не­

сколько раз меньше, чем

в экранированных тетродах.

Современные миниатюрные высокочастотные пентоды с по­ догревным катодом имеют очень малое расстояние катод — управляющая сетка (порядка 70—100 мк), благодаря чему крутизна характеристики у них, доходит до 5—8 ма/в, а отно­

шение

до 1000—1600 —~~~—. Высокое

значение крутизны S

Сасх

пф

ступень.

позволяет получать большое усиление на

228

Внутреннее сопротивление высокочастотных пентодов вслед­ ствие тщательной экранировки анода и рационального выбора режима получается весьма большим, порядка 0,8 —г—1,5 Мом, доходя в некоторых лампах до 2~*~ 2,5 Мом. Вследствие такого большого внутреннего сопротивления анодные характеристики

пентода в своей рабочей части идут очень полого,

почти па­

раллельно горизонтальной оси 1)а,

как это видно из

рис. 11 Лба,

Рис. 11.24

Рис. 11.25

где представлено анодное семейство характеристик высокочас­ тотного пентода 6К1П. Из указанных значений Rt и S следует, что статический коэффициент усиления высокочастотных пен­ тодов весьма высок и равняется в среднем р. =800-^- 1500, до­ стигая в некоторых лампах значения от 3000 до 6000 и более.

Пентоды высокой частоты изготовляют и с прямонакальны­ ми катодами. В этих лампах обращают особое внимание на их экономичность, ввиду того что они предназначены для исполь­ зования в устройствах, обладающих, как правило, ограничен­ ным запасом питания.

229

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ