книги из ГПНТБ / Власов В.Ф. Электронные и ионные приборы Учеб.пособие для радиотехн.вузов и фак
.pdfПри изменении напряжения управляющей сетки U с, меняет ся величина действующего напряжения на этой сетке Ugь вследствие чего по закону степени 3/ 2 изменяется ток 1К. Кру тизна характеристики катодного тока равна
•s„ |
( 11. 12) |
Так как в рабочих режимах перехвата анодный ток связан
L = к+ 1 *’
равна
S = dig |
dL |
S„ = |
3 к |
ёЩ \• (11-13) |
d U „ |
к + 1 dUc, к + 1 |
|
2 /с —f—1 |
Полученное выражение показывает, что крутизна 5 пентода зависит от коэффициента токораспределения и, если при увели чении, например, анодного напряжения увеличивается к, то и 5 немного увеличится при том же значении тока / а . По сравне нию с триодом, у которого катодный ток и размеры электродов (следовательно, величина g) такие же, как у пентода, крути ша пентода из-за распределения катодного тока между анодом и экранирующей сеткой получается несколько меньше, так как
М-1
Для вычисления внутреннего сопротивления Rt необходимо учесть, что в пентоде анодное напряжение влияет на анодный ток, во-первых, путём изменения U ai и вызываемого этим изме нения общего тока I к и, во-вторых, через изменение токорас-
иа
пределения вследствие изменения отношения — .
U С2
Внутреннее сопротивление R t есть величина, обратная актив ной составляющей выходной проводимости пентода
J _ _ |
dig. _ |
_д_ ( К j |
Ri |
dUa |
диа \к + 1 ‘ |
Выполняя дифференцирование, получим, что
1 |
_ |
к |
д!к . |
/„ дк |
(11.14) |
|
~Ri |
~ |
7 + 1 |
дйа + |
(к+1)я дйа ' |
||
|
т. е. активная выходная проводимость пентода состоит из двух проводимостей.
Первая проводимость учитывает воздействие анодного на пряжения Uа на анодный ток, вызываемое изменением общего тока I к, который меняется вследствие изменения действующего
220
напряжения Ugi. Из ф-лы (11.7а) видно, что влияние анодного напряжения ' на U ai количественно зависит от проницаемости лампы D; поэтому величину, обратную первой составляющей проводимости, мы, обозначив через R т, будем рассматривать как сопротивление пентода, обусловленное проницаемостью лампы,
RiD ~ |
К-Н dUa |
(11.15) |
|||
к |
д!к |
||||
|
|
|
|||
Вторая проводимость |
|
1К |
дк |
учитывает влияние анодного |
|
——j - |
|
напряжения на анодный ток, проявляющееся вследствие изме нения коэффициента токораспределения к при изменении Ua . Обозначим величину, обратную этой проводимости, через RlK— внутреннее сопротивление пентода, обусловленное токораспределением,
р |
_ (к -М )2 |
1 |
(11.16) |
||
Kin------ ; |
|
дк |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
w a |
|
Следовательно, ур-ние (11.14) |
можно переписать так: |
|
|||
_ 1_ |
_ L |
, |
_ L |
(11.17) |
|
Ri |
|
||||
|
«ID + *Ы ' |
|
т. е. внутреннее сопротивление пентода R t можно представить состоящим из двух параллельно соединённых сопротивлений R id
И R Ik |
|
от |
конструкции |
пентода эти |
сопротивле |
|||
'S зависимости |
||||||||
ния могут иметь различные значения |
и |
могут |
в |
разной сте |
||||
пени влиять |
на |
величину полного внутреннего сопротивления |
||||||
пентода. |
|
|
|
|
|
|
|
(высо |
Например, в лампах с густой экранирующей сеткой |
||||||||
кочастотные |
пентоды) |
проницаемость D чрезвычайно |
мала, |
|||||
влияние анодного |
напряжения на Ugi |
и ток |
1К |
практически |
незаметно и можно считать, что сопротивление R id бесконечно велико; внутреннее сопротивление R t будет равно R и , т. е. бу дет зависеть только от изменения токораспределения.
Коэффициент усиления пентода, при помощи которого мы сравниваем действие анодного' напряжения с действием на
пряжения |
управляющей |
сетки на |
анодный ток, |
равняется |
|
dUa |
|
В соответствии |
со сказанным выше о вли- |
||
У- = I dUa |
|
||||
Ia= |
const |
определяться по формуле |
(jl= SR t и |
||
янии U„ на |
он должен |
не будет являться величиной, обратной проницаемости D(p
как это имеет место в триоде. Действительно, при помощи
221
проницаемости D мы оцениваем |
только |
частичное воздействие |
|||||
t/a на анодный ток |
(через Uд1 и /J , а в коэффициенте усиле |
||||||
ния должны учесть |
влияние |
анодного |
напряжения |
и на |
/ к и |
||
|
на токораспределение |
|
|
|
|||
|
р. = SR[—S Rid r ik |
SRiK |
(11.18) |
||||
|
|
||||||
|
|
|
|
Rik |
R |
|
|
|
|
|
|
|
KlD |
|
|
|
В лампах с густой экранирующей сет- |
||||||
|
Г) |
|
|
|
|
|
|
|
кой — С 1 и величина коэффициента уси- |
||||||
|
RiD |
р |
определяется |
исключительно |
|||
|
ления |
||||||
|
процессами токораспределения |
р = SRlK. |
|||||
|
Нахождение параметров пентода |
по |
|||||
Рис. 11.16 |
семейству |
характеристик |
или |
определе |
|||
|
ние их |
по |
приборам в схеме |
испытания |
на постоянном токе имеет особенности. Метод треугольника и соответственно метод двух отсчётов, применяемые при определе нии параметров триода, в данном случае неприменимы, так как вследствие большой величины коэффициента усиления р пенто да изменение напряжения на сетке MJci получается слишком ма лым. Поэтому для определения параметров пентода применяют видоизменённый способ двух отсчётов.
Например, для определения параметров по анодному семей
ству характеристик (рис. 11.16) следует |
вычислить в заданной |
|
рабочей точке Ai |
|
i |
1) крутизну 5 = |
д ис1 , определяя Д/ 0 |
по точкам А и В, |
лежащим при одинаковом Ua на соседних характеристиках,
имеющих разность напряжений на управляющей сетке, |
равную |
||||
ь и «Ъ |
|
|
|
|
|
2) |
внутреннее сопротивление Rt = |
по |
точкам |
А и С, |
|
лежащим на одной и той же |
^ /а |
|
при V |
= const; |
|
характеристике |
|||||
3) |
коэффициент усиления |
по формуле |
= |
SRt. |
|
Зависимость параметров от режима
Вопрос о зависимости параметров пентода от режима рас* смотрим применительно к лампам с густой экранирующей оеткой (пентоды высокой частоты).
Крутизна характеристики, исходя из ф-л (11; 13) и (11.7я), определяется следующим выражением:
л |
I j\] _ |
о |
к g (t/cl + Dit/ca+ ;D t/e)>/’. (11.19) |
к - м |
а' |
2 |
1 |
282
Отсюда следует, что в лампах с густой экранирующей сет кой (Z)< 1) в режиме прямого перехвата крутизна 5 от анод ного напряжения зависит очень мало (рис. 11.17). При переходе в режим возврата 5 уменьшается за счёт уменьшения коэффи циента токораспределения к. От напряжения экранирующей
сетки крутизна характеристики зависит весьма сильно, увели чиваясь с увеличением этого напряжения (рис. 11.18). Однако при слишком больших Uс2, превосходящих 0 а , рост крутизны S замедляется, а затем и прекращается вследствие перехода в ре жим возврата и падения величины коэффициента токораспре деления к. Вследствие этого в рабочем режиме Uс%< 'JJa . Кру тизна S возрастает также при уменьшении отрицательного на пряжения на управляющей сетке (рис. 11.19).
Внутреннее сопротивление высокочастотного пентода R , определяется ф-лой (11.16)
(к -fl)2 ( дк |
1 |
RlK |
/« U c /J |
|
Обозначим для краткости в (11.10)
= d ; |
JRZ |
|
= Яд3. |
|
1 -ф- D3+ |
DRз |
|||
14- Da ■+■ D q j |
|
Рис. 11.18
224
тогда
к — С |
/?з |
(11.20) |
Найдём производную
( 11.21)
Так |
как из |
(11.20) |
диа 2к |
ис2‘ |
|
|
|
|
|||
|
|
C\D з |
к2 — |
/с + |
1 |
|
|
U |
|
к |
' а* |
|
|
сч |
|
|
|
то из |
(11.21) |
и из (11.16) получим |
|
|
( 11.22)
Выражение, стоящее в квадратных скобках, зависит от ко эффициента токораспределения к; для рабочих режимов пен тода, как уже отмечалось, коэффициент к меняется очень мало и поэтому можно приближённо считать, что выражение, стоя щее в скобках, остаётся постоянным при изменении Uа в ра бочей области. Тогда из равенства (11.22) непосредственно следует, что внутреннее сопротивление пентода R t прямо про порционально анодному напряжению Ua и обратно пропорцио нально анодному току 1а. Следовательно, внутреннее сопротив ление высокочастотного пентода может быть выражено фор мулой
(11.23)
где b = 2/са {К 4 - 1 )
к2— С|Од3 сопротивления» зависит в основном от конструкции и размеров электродов.
Опыт |
подтверждает указанные |
зависимости |
для R(. На |
рис. 11.20 |
приведены для примера |
результаты |
эксперимен |
тального исследования одного из высокочастотных пентодов.
Как |
видно из рисунка, зависимость Rt — f{U 0) при |
Ia = const |
|||||
(рис. |
11.20а) и зависимость R (— f{ l/Ia) (рис. |
11.20б) |
при Uа— |
||||
= const практически линейны. |
Величина |
постоянной |
внутрен |
||||
него |
сопротивления для этого |
пентода |
равна |
17,6, вообще же |
|||
она колеблется от 15 до 30. |
|
|
ог£/0 при Uс1= const. |
||||
На рис. 11.17 показана |
зависимость /?,• |
||||||
Она практически имеет такой |
же вид, |
чт |
и |
зависимость Rt |
|||
от 11а при / 0 = const, так |
как |
анодный ток в |
рабочих |
режимах |
|||
мало зависит от анодного |
напряжения. |
|
|
|
|
15-322 |
225 |
Из ф-лы (11.23) следует, что внутреннее сопротивление пен тода не зависит от напряжения экранирующей сетки; это, ко нечно, имеет место в том случае, если при изменении Uс2 поддерживается постоянной величина анодного тока, например,
Рис. 11.20
изменением смещения на управляющей сетке. Если напряжение смещения Uci не менять, то изменение Ul%, вызывая изменение анодного тока, сильно влияет на величину внутреннего сопро тивления (рис. 11.18). Точно так же, сильное изменение R l наблюдается при изменении напряжения UcU если Uc2 остаётся постоянным (рис. 11.19).
На рис. (11.17), (11.18) и (11.19) представлены также зависимости коэффициента усиления р. от напряжений на элект родах. Объяснить их нетрудно, исходя из формулы
§ 11.5. Высокочастотные пентоды
Принципиальная схема простейшего усилителя высокой час тоты с пентодом изображена на рис. 11.21. Динамический коэф фициент усиления по напряжению такой ступени определяется сопротивлением нагрузки Z и динамической крутизной Sd
K = S dZ = ---- (11.24а)
1 + «7
В рассматриваемых усилителях в качестве нагрузки приме няется параллельный колебательный контур, сопротивление ко торого Z зависит от частоты; поэтому коэффициент усиления такого усилителя также зависит от частоты (рис. 11.22). Наи большим усилением усилитель обладает на резонансной час
тоте нагрузки fQ, |
когда её сопротивление Z (f0) = R3 |
является |
||
чисто активным |
и равно R3 = — = -5 -. Здесь |
Q = — = ——_ |
||
|
Сг |
ш0 С |
г |
(оаСг |
— добротность контура, а г — его активное сопротивление.
226
. Подобные усилители находят применение в радиоприёмни ках и от них требуется, чтобы они имели резонансную кривую усиления с узкой полосой усиливаемых частот Д/ в целях обес печения возможности хорошей отстройки от соседних по частоте мешающих радиостанций.
Как известно из теории переменных токов, полоса пропус
кания параллельного резонансного контура равна Д /= -^-.О т
сюда следует, что для получения узкой полосы пропускания Д f требуется применять контуры с высоким качеством Q, назы ваемым добротностью, т. е. с малыми потерями. Для этого не обходимо уменьшать потери в контуре (уменьшать активное со противление контура г) и применять лампу, у которой внутрен нее сопротивление значительно выше, чем сопротивление на грузки Rt > R 3. Практически в диапазоне высоких частот тре буется, чтобы внутреннее сопротивление лампы имело величину порядка одного мегома.
Коэффициент |
усиления |
усилителя на |
резонансной |
частоте |
при условии R |
определится выражением |
|
||
|
* 0 = |
■ SRi -~ S R 9. |
» |
(11.246) |
Величина усиления не может быть сколь угодно большой. До пустимое максимальное усиление ограничивается опасностью
к
самовозбуждения за счёт обратной связи входной и выходной цепей через ёмкость Сас\. Как показал В. И. Сифоров, максималь ное устойчивое усиление определяется выражением
Км а к с |
(11.25) |
и коэффициент усиления Ко не должен превосходить эту вели чину К0< К Макс.
Для увеличения максимального допустимого усиления нуж
но увеличивать отношение —- путём увеличения S и умеиьше-
СаП
иия проходной' ёмкости С ас{.
15* |
227 |
Высокочастотные пентоды должны также иметь высокое от-
ношение — .Это требование обусловливается необходимостью
' а
снижения уровня внутриламповых шумов в целях повышения предельной чувствительности (см. об этом подробнее§ 13.5—13.7), а также необходимостью повышения экономичности усилителя.
|
Как следует |
из вышеизложенного, |
|||
|
в пентодах, предназначенных для уси |
||||
|
ления высокой частоты, |
должно |
быть |
||
|
осуществлено возможно лучшее экра |
||||
|
нирование управляющей сетки от,ано |
||||
|
да, чтобы уменьшить, как можно силь |
||||
|
нее, ёмкость между этими |
электрода |
|||
|
ми. Для этой |
цели |
экранирующую |
||
|
сетку делают густой и в лампе поме |
||||
|
щают специальные экраны для умень |
||||
|
шения ёмкости между выводами ано |
||||
|
да и управляющей сетки. |
|
|
||
|
На рис. 11.23 показано схематиче |
||||
|
ски устройство высокочастотного пен |
||||
|
тода, у которого вывод управляющей |
||||
|
сетки сделан в верхнюю часть балло |
||||
|
на, анод и экранирующая сетка выве-- |
||||
Рис. 11.23 |
дены в нижний цоколь; |
защитная |
сет |
||
ных траверс с верхним |
ка скреплена при помощи |
вертикаль |
|||
и нижним экранами и через последний |
соединена с выводом на цоколь лампы. Во многих высокоча стотных пентодах отдельный вывод на верх баллона не делают, лампы изготовляют одноцокольными с экраном внутри цоколя (рис. 11.24). В миниатюрных лампах, имеющих плоскую нож ку, в целях уменьшения ёмкости между выводами в ножке раз мещается специальный дисковый экран (рис. 11.25).
Иногда защитная сетка в высокочастотных пентодах соеди няется с катодом внутри лампы и не имеет отдельных выводов в нижнем цоколе.
Благодаря хорошему экранированию в высокочастотных пентодах электростатическое воздействие анода на управляю щую сетку и катод очень мало, вследствие чего ёмкость LCocl
получается очень малой: |
порядка 0,003 0,006 пф, т. е. в не |
сколько раз меньше, чем |
в экранированных тетродах. |
Современные миниатюрные высокочастотные пентоды с по догревным катодом имеют очень малое расстояние катод — управляющая сетка (порядка 70—100 мк), благодаря чему крутизна характеристики у них, доходит до 5—8 ма/в, а отно
шение |
до 1000—1600 —~~~—. Высокое |
значение крутизны S |
Сасх |
пф |
ступень. |
позволяет получать большое усиление на |
228
Внутреннее сопротивление высокочастотных пентодов вслед ствие тщательной экранировки анода и рационального выбора режима получается весьма большим, порядка 0,8 —г—1,5 Мом, доходя в некоторых лампах до 2~*~ 2,5 Мом. Вследствие такого большого внутреннего сопротивления анодные характеристики
пентода в своей рабочей части идут очень полого, |
почти па |
раллельно горизонтальной оси 1)а, |
|
как это видно из |
рис. 11 Лба, |
Рис. 11.24 |
Рис. 11.25 |
где представлено анодное семейство характеристик высокочас тотного пентода 6К1П. Из указанных значений Rt и S следует, что статический коэффициент усиления высокочастотных пен тодов весьма высок и равняется в среднем р. =800-^- 1500, до стигая в некоторых лампах значения от 3000 до 6000 и более.
Пентоды высокой частоты изготовляют и с прямонакальны ми катодами. В этих лампах обращают особое внимание на их экономичность, ввиду того что они предназначены для исполь зования в устройствах, обладающих, как правило, ограничен ным запасом питания.
229