Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Власов В.Ф. Электронные и ионные приборы Учеб.пособие для радиотехн.вузов и фак

.pdf
Скачиваний:
27
Добавлен:
30.10.2023
Размер:
26.17 Mб
Скачать

она в заданной полосе частот Af или тем более широкую по­ лосу частот Af обеспечивает при заданном усилении К-

Поскольку суммарная ёмкость С в широкополосном усили­ теле не может быть сделана очень малой, то при конструирова­ нии широкополосных ламп стремятся увеличить коэффициент широкополосности 7 не только за счёт уменьшения ёмкостей лампы С вх. и С„ых, но главным образом за счёт возможно боль­ шего увеличения крутизны S. Как правило, при одном и том же значении коэффициента широкополосности лучшие резуль­ таты в схеме даёт лампа, имеющая большую крутизну.

Отношение —— в широкополосных высокочастотных пенто-

^ЯГ1

дах не требуется таким большим, как в узкополосных, так как в

данном случае обычно

величина

коэффициента усиления огра-

S

S

. Поэтому в широкополосных

ничивается не — , а

----------

Cad

Свх-\-СдЫх

 

пентодах допустимо иметь значительно большую проходную ём­ кость Caci , чем в узкополосных пентодах.

Коэффициент широкополосности рассмотренных в § 11.5 вы­ сокочастотных пентодов имеет величину порядка 0 ,1 2 -^- 0,3, что совершенно недостаточно для усилителей с полосой пропуска­ ния порядка нескольких миллионов герц. Например, для того, чтобы обеспечить усиление /(= 10 при полосе частот Af = 10 Мгц, необходимо, чтобы

— = 2т, К A f = 2* • 10 • Ю7 = 6,28 • Ю8

= 0,628 — .

С

в.ф

в.пф

Так как ёмкости лампы Свх-\-Свых обычно составляют не более половины ёмкости С, то отсюда следует, что для работы в такой полосе частот лампа должна иметь коэффициент ши­

рокополосности Yсвыше 1,2 -Н ,4 ма .

в.пф у

Рассмотрим, каким образом может быть увеличен коэффи­ циент широкополосности лампы. В соответствии с (11.76) и (11.13) крутизна высокочастотного пентода определяется сле­ дующим выражением:

S = — —

• 2,33 ■10- 6 2* т

с

+ DJJ^ * .

К-1- 1 2

г2 v

1 с ’

Здесь для простоты взята плоскопараллельная конструкция. Сумму входной и выходной ёмкости можно приближённо определить, рассматривая лампу как систему плоскопараллель­ ных конденсаторов, имеющих площадь обкладок, равную Qa, и расстояния между обкладками, равные соответствующим

междуэлектродным расстояниям. Тогда

Свх + Саых~ е0 Qa [

-----1

I-------

) •

\

rci

rcic2

гсЗа /

240

Отсюда получим, что коэффициент широкополосности равен

Т =

---- ------2,33-Ю -6

к + 1

 

 

 

 

Свх-±-Свых

2

ГС1

ГГ1

 

 

 

 

 

г clc2

г сЬа

(11.27)

 

 

 

 

 

 

Из

этого выражения видно,

что для

увеличения

-

-----

 

 

 

 

 

Cex~T~С$ых

необходимо применять в рабочем режиме более высокое дей­ ствующее напряжение Uei путём выбора меньшего напряже­ ния смещения на управляющей сетке и большего напряжения на экранирующей сетке. При этом, однако, возрастает плот­

ность тока, снимаемого с катода, и тепловая нагрузка на элект­

роды лампы.

5

 

Увеличение отношения -------------- может быть достигнуто

 

С.х+С вых

также улучшением токораспределения лампы, что возможно достичь за счёт изготовления более редкой экранирующей сет­ ки, так как величина проходной ёмкости Сос1 в широкополос­ ных высокочастотных пентодах допускается относительно боль­ шая. Применяя для изготовления экранирующей сетки прово­ локу меньшего диаметра и увеличивая шаг намотки, улучшают токораспределение в лампе; при этом также несколько умень­ шается выходная ёмкость.

Третьим и наиболее эффективным способом повышения коэффициента широкополосности лампы является уменьшение расстояния управляющая сетка—катод. При этом, вообще го­ воря, ёмкость Сдх возрастает, но значительно сильнее возрас-

с

S

 

тает крутизна 6 и поэтому отношение-------------- увеличивается.

свхл~свых

С вх

Для того чтобы иметь при этом малые

значения ёмкостей

и С вых, можно уменьшить поверхность

электродов (Qa );

при

этом пропорционально уменьшатся и ёмкости и крутизна, а от-

ношение

S

останется прежним.

------ ;-------

 

Сех + Свых

 

Как указывалось в § 8.5, в современных усилительных лам­ пах расстояние управляющая сетка—катод весьма мало. При дальнейшем уменьшении этого расстояния возникают серьёзные затруднения в обеспечении механической прочности конструк­ ции, так как сетку во избежание потери управляющего дейст­ вия приходится делатьиз очень тонкой проволоки и с очень малым шагом. Сложным является вопрос борьбы с термотоком сетки, расположенной в непосредственной близости от раскалён­ ного катода. Несмотря на перечисленные трудности, техника электронных ламп продолжает развиваться в направлении даль­ нейшего уменьшения расстояния сетка—катод в целях дости-

жения больших значений крутизны 5 и отношения

-------------- .

 

Сех

16—322

241

В табл. 11.4 приведены данные высокочастотных широкопо­ лосных пентодов, выпускаемых нашей промышленностью. Ти­ пичным представителем широкополосных пентодов является пальчиковый пентод 6Ж9П. В этой лампе расстояние сеткакатод равно всего 40 мк. Для обеспечения управляющего дей

ствия сетки шаг намотки взят

60 мк

(1 j eumKoe ]

„ Проволока

сетки

имеет диаметр 8

мк

 

V

мм )

 

человече

несколько

раз тоньше

ского

волоса). В целях

снижения тока эмиссии

управляющей

сетки, расположенной вблизи от раскалённого катода,

она

из­

готовляется из позолоченного вольфрама. Оксидный

катод

о

гладким мелкозернистым покрытием

имеет пониженную рабо­

чую температуру. Экранирующая сетка относительно редкая— с шагом намотки 320 мк, изготовлена из молибденовой прово

локи диаметром 40 мк. Такими мерами в лампе 6Ж9П удалось

получить величину крутизны S = 17,5 ма/в и

£

----- =1,50.

Ctx'T'(j$bix

Т а б л и ц а 11.4

 

 

 

1

150

8,5

1000

 

2,5

11,0

4,5

 

 

 

оЖ4-Е

6,3 0,45

300

 

0,015

560

 

6Ж1П

6,3 0,17

120

120

5,2

100

 

1,8

4,35

2,45

0,02

260

 

6Ж1Б

6,3

0,20

120

120

4,8

300

 

1,2

4,8

3,8

0,03

160

 

6Ж9Б

6,3 0,30

150

150

18

 

 

6Ж9П

6,3

0,30

150

150

18

150

 

3,0

8,5

3,35

0,03

583

 

6Ж11П

6,3

0,44

150

150

28

110

 

4,9

14,0

3,5

0,05

560

 

 

В ы х о д н ы е ш и р о к о п о л о с н ы е п е н т о д ы

 

 

6П9-Е

6,3 0,65

300

150 11,2

100

 

8

11,5

7,5

0,06

187

0,58

6П15П

6,3 0,76

300

•150 14,7

100

' 12

13,5

7

0,07

210

0,72

 

 

 

 

 

 

 

*

г

 

 

 

 

 

Ещё лучшими параметрами обладает лампа 6Ж11П, в кото­ рой за счёт увеличения поверхности электродов удалось полу­ чить крутизну в 28 ма/в. Разработаны также конструкции ши­ рокополосных ламп в сверхминиатюрном оформлении.

242

Широкополосные выходные пентоды являются специальным типом низкочастотных пентодов. В связи с тем, что эти прибо­ ры находят преимущественное применение в телевидении для усиления сигнала изображения, их часто называют лампами для усиления видеочастот. В отличие от обычных усилителей низких (звуковых) частот в данном случае полоса усиливаемых частот захватывает огромный диапазон от десятков герц до не­ скольких миллионов герц. Эти лампы являются обычно усилигелями напряжения; сопротивление нагрузки у них обычно активное.

На низких частотах коэффициент усиления ступени опреде* ляется известной из гл. 10 ф-лой (10.5):

K = SR\ ( Я « Я , и Sa^ S ) .

(11.28*

На высоких частотах на величину сопротивления нагрузкиоказывает существенное влияние параллельно подключённая паразитная ёмкость С, образованная ёмкостями ламп и ёмкостьюмонтажа, поэтому сопротивление нагрузки Z определяется выоажением

1 _1_

i in С

или |Z| =

R

П 1.29а;

Z

V 14-w*C2R3

 

 

 

С ростом частоты сопротивление нагрузки Z уменьшается и усиление, даваемое лампой, падает. Полагая наивысшей уси­

ливаемой

частотой _шв

такую

частоту,

на

которой

усиление

уменьшается в Y 2 раз по сравнению'

с усилением

на

низких

частотах,

определяемым

(11.28), найдём, что на этой

частоте

сопротивление нагрузки

1 Z ,)

должно быть

D

 

т е.

равно—^— ,

 

 

 

 

 

V I

 

 

 

|Z,'~

 

~

V f '

 

 

(11.296)

Отсюда получаем, что для обеспечения усиления в диапа­ зоне вплоть до частоты ш8 необходимо величину сопротивле­ ния нагрузки брать не более чем

^ м а к с ~

7Г '

( 1 1 . 2 9 В )

 

юв С

 

При этом коэффициент усиления широкополосного усилите-* ля равен

к =

= - 4 :

(11.30)

 

“в с

 

 

Так как обычно ёмкость С определяется в значительной ме­ ре выходной ёмкостью лампы Свых и входной ёмкостью такой же последующей лампы Свх. то отсюда видна, что и в данном

,fi*

24Э

случае, как и при широкополосном усилении в диапазоне вы­ соких частот, для достижения широкой полосы частот необхо­

димо, чтобы лампа имела большую величину коэффициента ши-

£

рокополосности Y= -------------- , т. е. в первую очередь боль-

СвХ~\~СбЫХ

шую величину крутизны S.

Величина проходной ёмкости в широкополосных выходных пентодах может быть больше, чем у высокочастотных широко­ полосных пентодов, но должна быть меньше, чем у низкочас­ тотных выходных пентодов, так как в данном случае предель­ ные усиливаемые частоты довольно высоки.

Для оконечных усилителей важное значение имеет также максимальная величина выходного напряжения ДUrmokc, кото­ рую можно получить от лампы на нагрузке.

Очевидно,

д URM0KC= д 1амакс R = А 1а; а к с .

( 11. 31)

k вых

 

Таким образом, максимальная величина выходного напря­

жения, которое можно

получить от широкополосного

пентода,

зависит от отношения

Д / л

Ы О И Г

.которое, следовательно,

харак-

 

 

Свых

 

 

теризует широкополосные свойства выходных пентодов.

Основные направления

конструирования широкополосных

выходных пентодов такие же, как и в случае высокочастотных широкополосных пентодов, и сводятся к мероприятиям, изло­ женным в предыдущем разделе параграфа, т. е. к уменьшению расстояния rci, улучшению токораспределения, повышению плот­ ности тока, снимаемого с катода. Для обеспечения большей ве­ личины Д1а япкс выходные широкополосные пентоды должны иметь мощный катод.

В табл. 11.4 приведены основные данные широкополосных выходных пентодов 6П9-Е и 6П15П, выпускаемых нашей про­ мышленностью. В качестве предварительных усилителей видео­ частот обычно используются высокочастотные широкополосные пентоды.

§ 11.9. Лучевые тетроды

Чтобы лучше разобраться в способах подавления динатронного эффекта в лучевых экранированных тетродах, рассмотрим распределение потенциала в пространстве между экранирующей сеткой и анодом в режиме Uc2>Ua. В этом случае обычно наблю­ дается уменьшение анодного тока вследствие того, что вторич­ ные электроны, выбиваемые из анода, уходят на экранирующую сетку. Согласно сказанному в § 9.3, распределение потенциала для этого случая может быть представлено кривой рис. 11.31, на котором в точке Сi находится управляющая сетка с потенциа-

244

лом Uci = 0 и в точке С2 — экранирующая сетка с потенциалом Uc2 —2Uа . Пространственный заряд, образованный между эк­ ранирующей сеткой и анодом первичными электронами, прошед­ шими сюда от катода, и вторичными электронами, вышедшими с анода, снижает потенциал в этом пространстве, в результате че­ го здесь может возникнуть минимум потенциала UмиЯ. Величина Uмин приданном соотношении потенциалов Uсъ и U а полу­ чается тем меньше, чем больше плотность тока и чем больше рас­ стояние между экранирующей сеткой и анодом. Вследствие обра­

зования минимума потенциала около анода создается поле, тор­ мозящее движение вторичных электронов, вылетающих с анода, но в обычных конструкциях экранированных ламп, в которых рас­ стояние между экранирующей сеткой и анодом невелико, это поле получается слабым (величина U „ин мало отличается от Ua ) и вторичные электроны почти беспрепятственно проходят от анода к экранирующей сетке. Если увеличить пространственный заряд около анода и снизить этим величину минимума потен­ циала UMUH, то получающееся при этом сильно тормозящее поле прекратит уход вторичных электронов с анода, вследствие чего будет подавлен динатронный эффект в анодной цепи.

Создать минимум потенциала, достаточный для подавления динатронного эффекта, можно, например, увеличением расстоя-- ния между экранирующей сеткой и анодом. Если отодвигать анод от экранирующей сетки, оставляя неизменными потенциалы 2 и Uа, то величина Uмин уменьшается, отодвигаясь от анода на большее расстояние, подобно тому, что получается в диоде при удалении анода от катода. На рис. 11.32 показано происходя­ щее при этом изменение распределения потенциала в простран­ стве экранирующая сетка—анод; участок от катода до экрани­ рующей сетки на рисунке не показан, так как там распределение потенциала почти не изменяется. Исследования показали, что переход вторичных электронов с анода на экранирующую сетку прекращается и провал в характеристике / в=/('С/а) тетрода исче-

245

*ает, если расстояние между экранирующей сеткой и анодом в 8 10 раз больше расстояния между катодом и экранирующей сеткой. *

Чтобы получить тот же эффект при не очень большом увеличе­ нии расстояния от экранирующей сетки до анода, прибегают к значительному увеличению плотности тока в междуэлектродном пространстве (§ 9.3). Увеличение плотности тока достигает­

ся фокусировкой электронов, летящих от катода к аноду, в узкиг пучки — «лучи», благодаря чему лампа и была названа лучевой Для фокусировки в лампе применена специальная конструк­ ция электродов (рис. 11.33). Расстояние от экранирующей сетки до анода сделано сравнительно большим. В лампе помещены спе­ циальные электроды 55 (рис. 11.33а), соединённые внутри лам­ пы с катодом и имеющие поэтому нулевой потенциал. Благодаря этим электродам создаётся поле такой конфигурации, что элек­ троны двигаются к аноду узким веером, не рассеиваясь в сторо­ ны. Кроме того, для фокусировки электронного потока в верти­ кальной плоскости управляющая и экранирующая сетки сдела­ ны с одним шагом намотки и расположены так, что витки обеих сеток находятся друг против друга (рис. 11.336). Промежутки между витками отрицательно заряженной управляющей сетки действуют подобно собирательным линзам; электроны, идущие от катода, собираются благодаря этому в узкие лучи, проходя­ щие между витками экранирующей сетки к аноду. Вследствие такой двойной фокусировки плотность тока повышается и около

246

анода образуется минимум потенциала, препятствующий уходу с анода вторичных электронов.

На рис. 11.34 изображено устройство лучевого тетрода типа 6ПЗС. Анодные характеристики этой лампы (рис. 11.35) показы­ вают, что с увеличением анодного напряжения ток в цепи анода увеличивается без провала, характерного для обычных тетро­ дов (р.ис. 11.5). В каждой из этих характеристик, как и в характе*

1а.ма

ристиках пентодов, имеется два сильно отличающихся друг от друга участка. При малых анодных напряжениях имеет место ре­ жим возврата электронов. При увеличении число возвращаю­ щихся к сетке электронов быстро уменьшается и устанавливается режим перехвата электронов, соответствующий пологому рабоче­ му участку анодной характеристики Ia= f{Ua).

Достоинством лучевых ламп является небольшая величина тока экранирующей сетки в рабочем режиме; например, в лампе 6ПЗС ток I с2 составляет около 7% от анодного тока (в обычных тетродах 25 -*- 30%). Малая величина тока I с2 объясняется тем, что в рабочем режиме вследствие образования сфокусированных электронных пучков, проходящих между витками экранирующей сетки, последняя может перехватить из общего потока очень не­ много электронов.

При малой величине анодного тока пространственный заряд электронов у анода может оказаться недостаточным для полного подавления динатронного эффекта. В таком случае, как это вид­ но из характеристик на рис. 11.35, при больших отрицательных Uc1 кривые анодного тока имеют небольшие падающие участки.

Вследствие того что экранирующая сетка в лучевых лампах не может быть сделана очень густой (шаг её витков должен быть

247

равен шагу управляющей сетки), её экранирующее действие сла­ бее, чем в экранированных лампах обычной конструкции и про­ ходная ёмкость Сас1 получается порядка от нескольких десятых долей до одной пикофарады. Поэтому лучевые тетроды широко применяются главным образом в качестве мощных усилительных ламп для оконечных ступеней низкой частоты (табл. 11.5). В последнее время появились конструкции лучевых тетродов, кото­ рые пригодны для широкополосного усиления как в области низ­ ких, так и в области высоких частот. Как указывалось в § 11.8, в широкополосных усилителях допускается относительно высокая величина проходной ёмкости; применяя тщательную экранировку торцовых частей электродной системы и экранировку вводов, требуемую величину проходной ёмкости можно обеспечить и в

Наименова­ ние лампы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

11.5

 

Типовой режим

 

Предельные

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

значения

Увых СПО ОХ Рвых

Ун

/*

иа

У»

S

Ri

 

 

Свх

Ра

Рс*

пф

пф

пф

вт

в

в

в

в

ма/в

КОМ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вт

вт

ма

 

 

 

6ПЗС

6,3

900

250

250

6

25 20,5

2,75

 

11

8,2

1

5,4

6П6С

6,3

450

250

250

4,1

52 13,2

2,2

9,5

9,5

0,9

3,6

30П1С

30

300

ПО

ПО

10

7

1.5

19

11

1,5

0,5

6П1П

6,3

450

250

250

4,5

50

12

2,5

70

7,8

5,7

0,95

3,8

2П1П

1 2

120

90

90

2

100

_

_

15,5

5,5

4

0,5

0,21

2,4

60

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2П2П

1,2

60

60

60

1,1

120

0,4

__

7

3,7

3,8

0,4

0,05

2,4

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

лучевом тетроде. В то же время отсутствие защитной сетки уменьшает выходную ёмкость и улучшает характеристики лам­ пы. В табл. 11.6 приведены параметры высокочастотных широко­ полосных тетродов 6ЖЗП и 6Ж5П. Лампа 6Ж5П по парамет­ рам аналогична широкополосному пентоду 6Ж4-Е, имея несколь­ ко меньшие ёмкости Свх и Свых. Проходная же ёмкость у неё относительно велика, что объясняется трудностью экранировки.

Заметим, что в широкополосных тетродах не удаётся изго- • товлять экранирующую сетку с таким же шагом витков, что и управляющую сетку, так как управляющая сетка у них очень густая. Поэтому широкополосные тетроды имеют относительно большой ток экранирующей сетки и худшее токораспределение, чем низкочастотные лучевые тетроды.

Интересными параметрами обладает широполосный оконеч­ ный тетрод 6Э5П-Е (табл. 11.6). В этой лампе за счёт уменьше­ ния расстояния управляющей сетки от катода получено значение

248

Наименова­ ние лампы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и а а

11.6

 

Типовой режим

 

 

 

 

5

 

5

 

 

 

 

 

Р

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Свх

СвЫХ

Спрах

СпрОХ С

V*

 

иа

ис,

5

г а иакс

W at

1'-'вых

я , втп

пф

пф

пф

ма

ма

в

ма

в

в

ма/в КОМ

 

 

 

в.пф

 

 

\ в.пф

6ЖЗП

6,3

300

250

150

5

500

2,5

6,5

1,5

0,025

200

0,63

6Ж5П

6,3

450

300

150

9

500

3,6

10

2,5

0,03

225

0,72

6Э5П-Е

6,3

600

150

150 30,5

40

8,3

16

3,1

0,075

410

1,6

крутизны, доходящее в некоторых режимах до 30 ма/в и более. Эта лампа не является лучевым тетродом: у нее нет лучеобразующих пластин и витки управляющей и экранирующей сеток имеют различный шаг. Однако подавление динатронного эффекта и в этой лампе произведено за счёт пространственного заряда, для чего анод значительно отодвинут от экранирующей сетки. Такая конструкция позволяет уменьшить выходную ёмкость и увели­ чить коэффициент широкополосности.

§ 11.10. О некоторых способах увеличения широкополосности усилительных ламп

Для увеличения широкополосности усилительных ламп в настоящее время осуществляют конструкции с весьма малыми междуэлектродными расстояниями, в первую очередь — гс1. Это сопряжено, как указывалось выше, с рядом технических трудно­ стей, особенно при налаживании массового производства. Одна­ ко ряд таких трудностей в условиях современной высокоразви­ той электровакуумной техники успешно преодолевается и поэто­ му данное направление конструирования широкополосных ламп остаётся перспективным. Вместе с тем достигнутые значения кру­ тизны порядка 20-4-30 ма/в и коэффициента широкополосности у=1,5-4-1,7 ма/в.пф в ряде случаев уже недостаточны. В настоя­ щее время ставится проблема создания приёмно-усилительных ламп с крутизной порядка 100 ма/в и выше. Это уже трудно осу­ ществить путём дальнейшего уменьшения расстояния между управляющей сеткой и катодом. Поэтому, естественно, привле­ кают внимание и другие способы повышения 5 и у.

Одним из таких направлений является разработка ламп, имею­ щих дополнительную сетку с положительным потенциалом, расположенную между катодом и управляющей сеткой и нося­ щую название катодной сетки (рис. 11.36).

Создающееся между катодной сеткой и катодом электричес­ кое иоле ускоряет движение электронов от катода.. Часть элект­ ронов притягивается на катодную сетку, другая же часть их со

249

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ