![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Власов В.Ф. Электронные и ионные приборы Учеб.пособие для радиотехн.вузов и фак
.pdfона в заданной полосе частот Af или тем более широкую по лосу частот Af обеспечивает при заданном усилении К-
Поскольку суммарная ёмкость С в широкополосном усили теле не может быть сделана очень малой, то при конструирова нии широкополосных ламп стремятся увеличить коэффициент широкополосности 7 не только за счёт уменьшения ёмкостей лампы С вх. и С„ых, но главным образом за счёт возможно боль шего увеличения крутизны S. Как правило, при одном и том же значении коэффициента широкополосности лучшие резуль таты в схеме даёт лампа, имеющая большую крутизну.
Отношение —— в широкополосных высокочастотных пенто-
^ЯГ1
дах не требуется таким большим, как в узкополосных, так как в
данном случае обычно |
величина |
коэффициента усиления огра- |
S |
S |
. Поэтому в широкополосных |
ничивается не — , а |
---------- |
|
Cad |
Свх-\-СдЫх |
|
пентодах допустимо иметь значительно большую проходную ём кость Caci , чем в узкополосных пентодах.
Коэффициент широкополосности рассмотренных в § 11.5 вы сокочастотных пентодов имеет величину порядка 0 ,1 2 -^- 0,3, что совершенно недостаточно для усилителей с полосой пропуска ния порядка нескольких миллионов герц. Например, для того, чтобы обеспечить усиление /(= 10 при полосе частот Af = 10 Мгц, необходимо, чтобы
— = 2т, К A f = 2* • 10 • Ю7 = 6,28 • Ю8 — |
= 0,628 — . |
|
С |
в.ф |
в.пф |
Так как ёмкости лампы Свх-\-Свых обычно составляют не более половины ёмкости С, то отсюда следует, что для работы в такой полосе частот лампа должна иметь коэффициент ши
рокополосности Yсвыше 1,2 -Н ,4 ма .
в.пф у
Рассмотрим, каким образом может быть увеличен коэффи циент широкополосности лампы. В соответствии с (11.76) и (11.13) крутизна высокочастотного пентода определяется сле дующим выражением:
S = — — |
• 2,33 ■10- 6 2* т |
с |
+ DJJ^ * . |
К-1- 1 2 |
г2 v |
1 с ’ |
Здесь для простоты взята плоскопараллельная конструкция. Сумму входной и выходной ёмкости можно приближённо определить, рассматривая лампу как систему плоскопараллель ных конденсаторов, имеющих площадь обкладок, равную Qa, и расстояния между обкладками, равные соответствующим
междуэлектродным расстояниям. Тогда
Свх + Саых~ е0 Qa [ |
-----1 |
I------- |
) • |
\ |
rci |
rcic2 |
гсЗа / |
240
Отсюда получим, что коэффициент широкополосности равен
Т = |
---- ------2,33-Ю -6 |
к + 1 |
|
|
|
|
|
Свх-±-Свых |
2 |
ГС1 |
ГГ1 |
|
|
|
|
|
|
г clc2 |
г сЬа |
(11.27) |
|
|
|
|
|
|
|
Из |
этого выражения видно, |
что для |
увеличения |
- |
----- |
|
|
|
|
|
|
Cex~T~С$ых |
необходимо применять в рабочем режиме более высокое дей ствующее напряжение Uei путём выбора меньшего напряже ния смещения на управляющей сетке и большего напряжения на экранирующей сетке. При этом, однако, возрастает плот
ность тока, снимаемого с катода, и тепловая нагрузка на элект |
|
роды лампы. |
5 |
|
|
Увеличение отношения -------------- может быть достигнуто |
|
|
С.х+С вых |
также улучшением токораспределения лампы, что возможно достичь за счёт изготовления более редкой экранирующей сет ки, так как величина проходной ёмкости Сос1 в широкополос ных высокочастотных пентодах допускается относительно боль шая. Применяя для изготовления экранирующей сетки прово локу меньшего диаметра и увеличивая шаг намотки, улучшают токораспределение в лампе; при этом также несколько умень шается выходная ёмкость.
Третьим и наиболее эффективным способом повышения коэффициента широкополосности лампы является уменьшение расстояния управляющая сетка—катод. При этом, вообще го воря, ёмкость Сдх возрастает, но значительно сильнее возрас-
с |
S |
|
тает крутизна 6 и поэтому отношение-------------- увеличивается. |
||
свхл~свых |
С вх |
|
Для того чтобы иметь при этом малые |
значения ёмкостей |
|
и С вых, можно уменьшить поверхность |
электродов (Qa ); |
при |
этом пропорционально уменьшатся и ёмкости и крутизна, а от-
ношение |
S |
останется прежним. |
------ ;------- |
||
|
Сех + Свых |
|
Как указывалось в § 8.5, в современных усилительных лам пах расстояние управляющая сетка—катод весьма мало. При дальнейшем уменьшении этого расстояния возникают серьёзные затруднения в обеспечении механической прочности конструк ции, так как сетку во избежание потери управляющего дейст вия приходится делатьиз очень тонкой проволоки и с очень малым шагом. Сложным является вопрос борьбы с термотоком сетки, расположенной в непосредственной близости от раскалён ного катода. Несмотря на перечисленные трудности, техника электронных ламп продолжает развиваться в направлении даль нейшего уменьшения расстояния сетка—катод в целях дости-
жения больших значений крутизны 5 и отношения |
-------------- . |
|
Сех |
16—322 |
241 |
В табл. 11.4 приведены данные высокочастотных широкопо лосных пентодов, выпускаемых нашей промышленностью. Ти пичным представителем широкополосных пентодов является пальчиковый пентод 6Ж9П. В этой лампе расстояние сеткакатод равно всего 40 мк. Для обеспечения управляющего дей
ствия сетки шаг намотки взят |
60 мк |
(1 j eumKoe ] |
„ Проволока |
|||||
сетки |
имеет диаметр 8 |
мк (в |
|
V |
мм ) |
|
человече |
|
несколько |
раз тоньше |
|||||||
ского |
волоса). В целях |
снижения тока эмиссии |
управляющей |
|||||
сетки, расположенной вблизи от раскалённого катода, |
она |
из |
||||||
готовляется из позолоченного вольфрама. Оксидный |
катод |
о |
||||||
гладким мелкозернистым покрытием |
имеет пониженную рабо |
чую температуру. Экранирующая сетка относительно редкая— с шагом намотки 320 мк, изготовлена из молибденовой прово
локи диаметром 40 мк. Такими мерами в лампе 6Ж9П удалось |
|
получить величину крутизны S = 17,5 ма/в и |
£ |
----- =1,50. |
Ctx'T'(j$bix
Т а б л и ц а 11.4
|
|
|
1 |
150 |
8,5 |
1000 |
|
2,5 |
11,0 |
4,5 |
|
|
|
оЖ4-Е |
6,3 0,45 |
300 |
|
0,015 |
560 |
|
|||||||
6Ж1П |
6,3 0,17 |
120 |
120 |
5,2 |
100 |
|
1,8 |
4,35 |
2,45 |
0,02 |
260 |
|
|
6Ж1Б |
6,3 |
0,20 |
120 |
120 |
4,8 |
300 |
|
1,2 |
4,8 |
3,8 |
0,03 |
160 |
|
6Ж9Б |
6,3 0,30 |
150 |
150 |
18 |
— |
|
— |
— |
— |
— |
— |
|
|
6Ж9П |
6,3 |
0,30 |
150 |
150 |
18 |
150 |
|
3,0 |
8,5 |
3,35 |
0,03 |
583 |
|
6Ж11П |
6,3 |
0,44 |
150 |
150 |
28 |
110 |
|
4,9 |
14,0 |
3,5 |
0,05 |
560 |
|
|
В ы х о д н ы е ш и р о к о п о л о с н ы е п е н т о д ы |
|
|
||||||||||
6П9-Е |
6,3 0,65 |
300 |
150 11,2 |
100 |
|
8 |
11,5 |
7,5 |
0,06 |
187 |
0,58 |
||
6П15П |
6,3 0,76 |
300 |
•150 14,7 |
100 |
' 12 |
13,5 |
7 |
0,07 |
210 |
0,72 |
|||
|
|
|
|
|
|
|
* |
г |
|
|
|
|
|
Ещё лучшими параметрами обладает лампа 6Ж11П, в кото рой за счёт увеличения поверхности электродов удалось полу чить крутизну в 28 ма/в. Разработаны также конструкции ши рокополосных ламп в сверхминиатюрном оформлении.
242
Широкополосные выходные пентоды являются специальным типом низкочастотных пентодов. В связи с тем, что эти прибо ры находят преимущественное применение в телевидении для усиления сигнала изображения, их часто называют лампами для усиления видеочастот. В отличие от обычных усилителей низких (звуковых) частот в данном случае полоса усиливаемых частот захватывает огромный диапазон от десятков герц до не скольких миллионов герц. Эти лампы являются обычно усилигелями напряжения; сопротивление нагрузки у них обычно активное.
На низких частотах коэффициент усиления ступени опреде* ляется известной из гл. 10 ф-лой (10.5):
K = SR\ ( Я « Я , и Sa^ S ) . |
(11.28* |
На высоких частотах на величину сопротивления нагрузкиоказывает существенное влияние параллельно подключённая паразитная ёмкость С, образованная ёмкостями ламп и ёмкостьюмонтажа, поэтому сопротивление нагрузки Z определяется выоажением
1 _1_ |
i in С |
или |Z| = |
R |
П 1.29а; |
|
Z |
V 14-w*C2R3 |
||||
|
|
|
С ростом частоты сопротивление нагрузки Z уменьшается и усиление, даваемое лампой, падает. Полагая наивысшей уси
ливаемой |
частотой _шв |
такую |
частоту, |
на |
которой |
усиление |
|
уменьшается в Y 2 раз по сравнению' |
с усилением |
на |
низких |
||||
частотах, |
определяемым |
(11.28), найдём, что на этой |
частоте |
||||
сопротивление нагрузки |
1 Z ,) |
должно быть |
D |
|
т е. |
||
равно—^— , |
|||||||
|
|
|
|
|
V I |
|
|
|
|Z,'~ |
|
~ |
V f ' |
|
|
(11.296) |
Отсюда получаем, что для обеспечения усиления в диапа зоне вплоть до частоты ш8 необходимо величину сопротивле ния нагрузки брать не более чем
^ м а к с ~ |
7Г ' |
( 1 1 . 2 9 В ) |
|
юв С |
|
При этом коэффициент усиления широкополосного усилите-* ля равен
к = |
= - 4 : |
• |
(11.30) |
|
“в с |
|
|
Так как обычно ёмкость С определяется в значительной ме ре выходной ёмкостью лампы Свых и входной ёмкостью такой же последующей лампы Свх. то отсюда видна, что и в данном
,fi* |
24Э |
случае, как и при широкополосном усилении в диапазоне вы соких частот, для достижения широкой полосы частот необхо
димо, чтобы лампа имела большую величину коэффициента ши-
£
рокополосности Y= -------------- , т. е. в первую очередь боль-
СвХ~\~СбЫХ
шую величину крутизны S.
Величина проходной ёмкости в широкополосных выходных пентодах может быть больше, чем у высокочастотных широко полосных пентодов, но должна быть меньше, чем у низкочас тотных выходных пентодов, так как в данном случае предель ные усиливаемые частоты довольно высоки.
Для оконечных усилителей важное значение имеет также максимальная величина выходного напряжения ДUrmokc, кото рую можно получить от лампы на нагрузке.
Очевидно,
д URM0KC= д 1амакс R = А 1а; а к с . |
( 11. 31) |
k вых |
|
Таким образом, максимальная величина выходного напря
жения, которое можно |
получить от широкополосного |
пентода, |
||
зависит от отношения |
Д / л |
Ы О И Г |
.которое, следовательно, |
харак- |
— |
|
|||
|
Свых |
|
|
|
теризует широкополосные свойства выходных пентодов. |
||||
Основные направления |
конструирования широкополосных |
выходных пентодов такие же, как и в случае высокочастотных широкополосных пентодов, и сводятся к мероприятиям, изло женным в предыдущем разделе параграфа, т. е. к уменьшению расстояния rci, улучшению токораспределения, повышению плот ности тока, снимаемого с катода. Для обеспечения большей ве личины Д1а япкс выходные широкополосные пентоды должны иметь мощный катод.
В табл. 11.4 приведены основные данные широкополосных выходных пентодов 6П9-Е и 6П15П, выпускаемых нашей про мышленностью. В качестве предварительных усилителей видео частот обычно используются высокочастотные широкополосные пентоды.
§ 11.9. Лучевые тетроды
Чтобы лучше разобраться в способах подавления динатронного эффекта в лучевых экранированных тетродах, рассмотрим распределение потенциала в пространстве между экранирующей сеткой и анодом в режиме Uc2>Ua. В этом случае обычно наблю дается уменьшение анодного тока вследствие того, что вторич ные электроны, выбиваемые из анода, уходят на экранирующую сетку. Согласно сказанному в § 9.3, распределение потенциала для этого случая может быть представлено кривой рис. 11.31, на котором в точке Сi находится управляющая сетка с потенциа-
244
лом Uci = 0 и в точке С2 — экранирующая сетка с потенциалом Uc2 —2Uа . Пространственный заряд, образованный между эк ранирующей сеткой и анодом первичными электронами, прошед шими сюда от катода, и вторичными электронами, вышедшими с анода, снижает потенциал в этом пространстве, в результате че го здесь может возникнуть минимум потенциала UмиЯ. Величина Uмин приданном соотношении потенциалов Uсъ и U а полу чается тем меньше, чем больше плотность тока и чем больше рас стояние между экранирующей сеткой и анодом. Вследствие обра
зования минимума потенциала около анода создается поле, тор мозящее движение вторичных электронов, вылетающих с анода, но в обычных конструкциях экранированных ламп, в которых рас стояние между экранирующей сеткой и анодом невелико, это поле получается слабым (величина U „ин мало отличается от Ua ) и вторичные электроны почти беспрепятственно проходят от анода к экранирующей сетке. Если увеличить пространственный заряд около анода и снизить этим величину минимума потен циала UMUH, то получающееся при этом сильно тормозящее поле прекратит уход вторичных электронов с анода, вследствие чего будет подавлен динатронный эффект в анодной цепи.
Создать минимум потенциала, достаточный для подавления динатронного эффекта, можно, например, увеличением расстоя-- ния между экранирующей сеткой и анодом. Если отодвигать анод от экранирующей сетки, оставляя неизменными потенциалы Uс2 и Uа, то величина Uмин уменьшается, отодвигаясь от анода на большее расстояние, подобно тому, что получается в диоде при удалении анода от катода. На рис. 11.32 показано происходя щее при этом изменение распределения потенциала в простран стве экранирующая сетка—анод; участок от катода до экрани рующей сетки на рисунке не показан, так как там распределение потенциала почти не изменяется. Исследования показали, что переход вторичных электронов с анода на экранирующую сетку прекращается и провал в характеристике / в=/('С/а) тетрода исче-
245
*ает, если расстояние между экранирующей сеткой и анодом в 8 10 раз больше расстояния между катодом и экранирующей сеткой. *
Чтобы получить тот же эффект при не очень большом увеличе нии расстояния от экранирующей сетки до анода, прибегают к значительному увеличению плотности тока в междуэлектродном пространстве (§ 9.3). Увеличение плотности тока достигает
ся фокусировкой электронов, летящих от катода к аноду, в узкиг пучки — «лучи», благодаря чему лампа и была названа лучевой Для фокусировки в лампе применена специальная конструк ция электродов (рис. 11.33). Расстояние от экранирующей сетки до анода сделано сравнительно большим. В лампе помещены спе циальные электроды 55 (рис. 11.33а), соединённые внутри лам пы с катодом и имеющие поэтому нулевой потенциал. Благодаря этим электродам создаётся поле такой конфигурации, что элек троны двигаются к аноду узким веером, не рассеиваясь в сторо ны. Кроме того, для фокусировки электронного потока в верти кальной плоскости управляющая и экранирующая сетки сдела ны с одним шагом намотки и расположены так, что витки обеих сеток находятся друг против друга (рис. 11.336). Промежутки между витками отрицательно заряженной управляющей сетки действуют подобно собирательным линзам; электроны, идущие от катода, собираются благодаря этому в узкие лучи, проходя щие между витками экранирующей сетки к аноду. Вследствие такой двойной фокусировки плотность тока повышается и около
246
анода образуется минимум потенциала, препятствующий уходу с анода вторичных электронов.
На рис. 11.34 изображено устройство лучевого тетрода типа 6ПЗС. Анодные характеристики этой лампы (рис. 11.35) показы вают, что с увеличением анодного напряжения ток в цепи анода увеличивается без провала, характерного для обычных тетро дов (р.ис. 11.5). В каждой из этих характеристик, как и в характе*
1а.ма
ристиках пентодов, имеется два сильно отличающихся друг от друга участка. При малых анодных напряжениях имеет место ре жим возврата электронов. При увеличении Uа число возвращаю щихся к сетке электронов быстро уменьшается и устанавливается режим перехвата электронов, соответствующий пологому рабоче му участку анодной характеристики Ia= f{Ua).
Достоинством лучевых ламп является небольшая величина тока экранирующей сетки в рабочем режиме; например, в лампе 6ПЗС ток I с2 составляет около 7% от анодного тока (в обычных тетродах 25 -*- 30%). Малая величина тока I с2 объясняется тем, что в рабочем режиме вследствие образования сфокусированных электронных пучков, проходящих между витками экранирующей сетки, последняя может перехватить из общего потока очень не много электронов.
При малой величине анодного тока пространственный заряд электронов у анода может оказаться недостаточным для полного подавления динатронного эффекта. В таком случае, как это вид но из характеристик на рис. 11.35, при больших отрицательных Uc1 кривые анодного тока имеют небольшие падающие участки.
Вследствие того что экранирующая сетка в лучевых лампах не может быть сделана очень густой (шаг её витков должен быть
247
равен шагу управляющей сетки), её экранирующее действие сла бее, чем в экранированных лампах обычной конструкции и про ходная ёмкость Сас1 получается порядка от нескольких десятых долей до одной пикофарады. Поэтому лучевые тетроды широко применяются главным образом в качестве мощных усилительных ламп для оконечных ступеней низкой частоты (табл. 11.5). В последнее время появились конструкции лучевых тетродов, кото рые пригодны для широкополосного усиления как в области низ ких, так и в области высоких частот. Как указывалось в § 11.8, в широкополосных усилителях допускается относительно высокая величина проходной ёмкости; применяя тщательную экранировку торцовых частей электродной системы и экранировку вводов, требуемую величину проходной ёмкости можно обеспечить и в
Наименова ние лампы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а |
11.5 |
|
|
Типовой режим |
|
Предельные |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
значения |
Увых СПО ОХ Рвых |
|||
Ун |
/* |
иа |
У» |
S |
Ri |
|
|
Свх |
|||
Ра |
Рс* |
пф |
пф |
пф |
вт |
||||||
в |
в |
в |
в |
ма/в |
КОМ |
1к |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
вт |
вт |
ма |
|
|
|
6ПЗС |
6,3 |
900 |
250 |
250 |
6 |
25 20,5 |
2,75 |
|
11 |
8,2 |
1 |
5,4 |
||
6П6С |
6,3 |
450 |
250 |
250 |
4,1 |
52 13,2 |
2,2 |
— |
9,5 |
9,5 |
0,9 |
3,6 |
||
30П1С |
30 |
300 |
ПО |
ПО |
10 |
— |
7 |
1.5 |
— |
19 |
11 |
1,5 |
0,5 |
|
6П1П |
6,3 |
450 |
250 |
250 |
4,5 |
50 |
12 |
2,5 |
70 |
7,8 |
5,7 |
0,95 |
3,8 |
|
2П1П |
1 2 |
120 |
90 |
90 |
2 |
100 |
_ |
_ |
15,5 |
5,5 |
4 |
0,5 |
0,21 |
|
2,4 |
60 |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
2П2П |
1,2 |
60 |
60 |
60 |
1,1 |
120 |
0,4 |
__ |
7 |
3,7 |
3,8 |
0,4 |
0,05 |
|
2,4 |
30 |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
лучевом тетроде. В то же время отсутствие защитной сетки уменьшает выходную ёмкость и улучшает характеристики лам пы. В табл. 11.6 приведены параметры высокочастотных широко полосных тетродов 6ЖЗП и 6Ж5П. Лампа 6Ж5П по парамет рам аналогична широкополосному пентоду 6Ж4-Е, имея несколь ко меньшие ёмкости Свх и Свых. Проходная же ёмкость у неё относительно велика, что объясняется трудностью экранировки.
Заметим, что в широкополосных тетродах не удаётся изго- • товлять экранирующую сетку с таким же шагом витков, что и управляющую сетку, так как управляющая сетка у них очень густая. Поэтому широкополосные тетроды имеют относительно большой ток экранирующей сетки и худшее токораспределение, чем низкочастотные лучевые тетроды.
Интересными параметрами обладает широполосный оконеч ный тетрод 6Э5П-Е (табл. 11.6). В этой лампе за счёт уменьше ния расстояния управляющей сетки от катода получено значение
248
Наименова ние лампы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Т а б л и а а |
11.6 |
|
|
Типовой режим |
|
|
|
|
5 |
|
5 |
|||
|
|
|
|
|
Р |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
Свх |
СвЫХ |
Спрах |
СпрОХ С |
+С |
||
V* |
|
иа |
ис, |
5 |
г а иакс |
W at |
1'-'вых |
||||
/« |
я , втп |
пф |
пф |
пф |
ма |
ма |
|||||
в |
ма |
в |
в |
ма/в КОМ |
|
|
|
в.пф |
|
|
\ в.пф
6ЖЗП |
6,3 |
300 |
250 |
150 |
5 |
500 |
2,5 |
6,5 |
1,5 |
0,025 |
200 |
0,63 |
6Ж5П |
6,3 |
450 |
300 |
150 |
9 |
500 |
3,6 |
10 |
2,5 |
0,03 |
225 |
0,72 |
6Э5П-Е |
6,3 |
600 |
150 |
150 30,5 |
40 |
8,3 |
16 |
3,1 |
0,075 |
410 |
1,6 |
крутизны, доходящее в некоторых режимах до 30 ма/в и более. Эта лампа не является лучевым тетродом: у нее нет лучеобразующих пластин и витки управляющей и экранирующей сеток имеют различный шаг. Однако подавление динатронного эффекта и в этой лампе произведено за счёт пространственного заряда, для чего анод значительно отодвинут от экранирующей сетки. Такая конструкция позволяет уменьшить выходную ёмкость и увели чить коэффициент широкополосности.
§ 11.10. О некоторых способах увеличения широкополосности усилительных ламп
Для увеличения широкополосности усилительных ламп в настоящее время осуществляют конструкции с весьма малыми междуэлектродными расстояниями, в первую очередь — гс1. Это сопряжено, как указывалось выше, с рядом технических трудно стей, особенно при налаживании массового производства. Одна ко ряд таких трудностей в условиях современной высокоразви той электровакуумной техники успешно преодолевается и поэто му данное направление конструирования широкополосных ламп остаётся перспективным. Вместе с тем достигнутые значения кру тизны порядка 20-4-30 ма/в и коэффициента широкополосности у=1,5-4-1,7 ма/в.пф в ряде случаев уже недостаточны. В настоя щее время ставится проблема создания приёмно-усилительных ламп с крутизной порядка 100 ма/в и выше. Это уже трудно осу ществить путём дальнейшего уменьшения расстояния между управляющей сеткой и катодом. Поэтому, естественно, привле кают внимание и другие способы повышения 5 и у.
Одним из таких направлений является разработка ламп, имею щих дополнительную сетку с положительным потенциалом, расположенную между катодом и управляющей сеткой и нося щую название катодной сетки (рис. 11.36).
Создающееся между катодной сеткой и катодом электричес кое иоле ускоряет движение электронов от катода.. Часть элект ронов притягивается на катодную сетку, другая же часть их со
249