- •Изучение реализаций основных логических элементов
- •I. Изучение основных логических элементов, их изображений и функций, реализуемых этими элементами.
- •II. Определение таблиц состояний основных логических элементов.
- •III. Получение и анализ временных диаграмм основных логических элементов.
- •IV. Изучение реализаций основных логических элементов.
- •1. Диодный элемент `или`.
- •2. Диодный элемент `и`.
- •3. Транзисторный элемент `не`.
2. Диодный элемент `и`.
Рис. 2,1. Диодный элемент `И`.
Снятие проходных характеристик.
Для этого элемента определяется проходная характеристика
при.
Характеристика снимается для 3-х значений при измененииот 0 дов соответствии с заданным вариантом . Все три зависимости целесообразно построить на одном графике .Таблица 2,1. Вариант задания при определении проходной характеристики диодного элемента `И`.
1-е |
2-е |
3-е | ||||||||||
0 |
15 |
30 |
35 |
35 |
1 |
1 |
20 |
Таблица 2,2. Снятие проходных характеристик диодного элемента `И`.
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 | |
5 |
1 |
5 |
6 |
5 |
6 | |
10 |
1 |
10 |
11 |
10 |
11 | |
15 |
1 |
15 |
16 |
15 |
16 | |
20 |
1 |
20 |
16 |
20 |
21 | |
25 |
1 |
25 |
16 |
25 |
26 | |
30 |
1 |
30 |
16 |
30 |
31 | |
35 |
1 |
35 |
16 |
35 |
31 |
Напряжение на выходе схемы диодного элемента `И` определяется по следующей формуле:
где - падение напряжения на открытом диоде.
Графики имеют соответствующий вид.
Исследование влияния параметров схемы на вид проходной характеристики.
Для диодного элемента `И` можно исследовать влияние на вид проходной характеристики следующих параметров:
значения падения напряжения на диодах в прямом направлении ();
сопротивления нагрузки ().
В первом случае проходная характеристика снимается при 2-х значениях , а во втором – при 2-х значениях. Для каждого случая все зависимости строятся на одном графике (рис. 1).
Таблица. 2,3. Вариант задания при определении влияния падения напряжения на диоде на вид проходной характеристики диодного элемента `И`.
Диод |
|
|
|
|
| |
«Реальный» |
«Идеальный» | |||||
1 |
0 |
35 |
35 |
15 |
1 |
20 |
Таблица 2,3. Исследование влияния падения напряжения на диоде на вид проходной характеристики диодного элемента `И`.
0 |
0 |
0 |
1 | |
5 |
5 |
5 |
6 | |
10 |
10 |
10 |
11 | |
15 |
15 |
15 |
16 | |
20 |
15 |
20 |
16 | |
25 |
15 |
25 |
16 | |
30 |
15 |
30 |
16 | |
35 |
15 |
35 |
16 |
Напряжение на выходе схемы диодного элемента `И` определяется по следующей формуле:
где - падение напряжения на открытом диоде.
Графики имеют соответствующий вид.
Таблица. 2,4. Вариант задания при определении влияния сопротивления нагрузки на вид проходной характеристики диодного элемента `И`.
1-е |
2-е | |||||
20 |
1 |
35 |
35 |
30 |
1 |
1 |
Таблица 2,5 Исследование влияния сопротивления нагрузки на вид проходной характеристики диодного элемента `И`.
0 |
1 |
0 |
1 | |
5 |
6 |
5 |
6 | |
10 |
11 |
10 |
11 | |
15 |
16 |
15 |
16 | |
20 |
21 |
20 |
17.5 | |
25 |
26 |
25 |
17.5 | |
30 |
31 |
30 |
17.5 | |
35 |
31 |
35 |
17.5 |
Значение максимального выходного напряжения для схемы диодного элемента `И` определяется по следующей формуле:
.
Таким образом, с увеличением сопротивления нагрузки напряжениетакже увеличивается.
Графики имеют вид: