Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Физико-химические основы металлургических процессов

..pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
17.51 Mб
Скачать

На каждый ион

вещества действует сила

 

 

 

Ft = e0Ezt,

(V-2)

где е0

— элементарный заряд;

 

zt

— заряд

иона.

 

Следовательно, полная сила поля, приложенная ко всем ионам,

равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ft

полн =

е0Егта,

 

 

(V-3)

где па

— число ионов (атомов) в

1 см3.

 

 

 

Однако произведение ztna

равно полному

числу

коллективизиро­

ванных

электронов в единице объема п:

 

 

 

 

 

 

п = nazi

 

 

(V-4)

вследствие электронейтральности

системы.

Таким

образом:

 

 

 

Fi полн = е0Еп.

 

 

(V-5)

По

второму

закону Ньютона

именно такая величина импульса

передается системе ионов со стороны внешнего электрического

поля.

Поскольку

в процессе электропроводности вся

система

атомов

в целом не приобретает импульса (не ускоряется), то, очевидно, суще­ ствуют и другие силы, действующие на ионы, кроме силы поля. Эти другие силы обусловлены взаимодействием ионов с потоком

электронов проводимости и могут быть названы с и л а м и

э л е к ­

т р о н н о г о в е т р а .

 

 

Определим полную силу электронного ветра, действующую на

все ионы проводника, находящиеся в кубе объемом 1 см3.

За время

1 сек через любое сечение куба проходит ]'/е0 электронов

проводи­

мости. На длине в 1 см каждый из них испытывает в среднем

Ш

столкновений с ионами, а всего в кубе за 1 сек произойдет

(j/e0)

(Ш)

столкновений.

 

 

Сточки зрения квантовой механики точнее было бы говорить не

остолкновениях, а о рассеянии электронов на ионах проводника,

поскольку поле иона имеет большую или меньшую протяженность в пространстве и электрон проводимости испытывает воздействие этого поля даже на больших расстояниях от силового центра. В ре­ зультате взаимодействия электрон может отклониться от своего первоначального направления на любой угол от 0 до 180°. Если т — масса электрона, a v — его скорость, то импульс электрона при рас­ сеянии на 180° меняется от -\-tnv до —mv, т. е. изменение импульса составляет 2mv. При рассеянии на 0° изменение импульса равно нулю. Примем в качестве среднего значения изменения импульса величину mv.

Здесь будет уместно напомнить, что в металлических провод­ никах испытывать рассеяние и ускоряться под действием внешнего поля могут не все коллективизированные электроны, а лишь те,

которые обладают энергией вблизи энергии

Ферми — так называе­

мые

Ферми-электроны. Будем их скорость

обозначать через vF.

Тогда

суммарное значение изменения импульса электронов прово-

200

димости за 1 сек в 1 см3 вследствие их рассеяния на ионах проводника будет равно

 

 

 

bP = i--LmvF.

(V-6)

 

Эта величина импульса передается системе ионов и должна быть

численно

равна е0Еп

[по уравнению (V-5)], чтобы система

ионов

в

целом

покоилась.

Приравняем правые части соотношений

(V-5)

и

(V-6):

 

 

 

 

 

 

е0Еп = 1\- mvF.

(V-7)

Отсюда

 

 

 

 

 

 

4 - = р = ™ * .

( V -8)

Уравнение (V-8) связывает макроскопическую величину — удель­ ное электросопротивление р проводника — с микроскопическими характеристиками — концентрацией коллективизированных элек­ тронов п, импульсом Ферми-электронов mvF и их длиной свободного пробега /.

В теории рассеяния микрочастиц фигурирует важная характе­ ристика процесса — дифференциальное сечение рассеяния. Рас­ смотрим падающий на рассеивающий центр О пучок частиц, парал­ лельный оси z (см. рис. 15). Угол # является полярным, а ф — акси­ альным. Если поле, создаваемое центром О, сферически симметрично, то распределение рассеянных частиц будет обладать осевой симме­ трией относительно оси z. Пусть плотность потока частиц в первичном пучке равна / 0 частиц/(см2-сек), а поток частиц, рассеянных в эле­ мент телесного угла dQ, равен dj частиц/сек. Тогда отношение

не будет зависеть от / 0 и связано лишь со свойствами рассеиваемой частицы и формой рассеивающего поля. Величина а ($) имеет размер­ ность площади.

Целесообразно ввести понятие п о л н о г о с е ч е н и я р а с ­ с е я н и я а, определяемого вероятностью рассеяния на любой угол 0 < : # ^ 180°. Для этого можно было бы проинтегрировать дифференциальное сечение а ($) по всем углам. Однако нас интере­ сует в конечном счете участие рассеяния в проводимости, поэтому переход к полному сечению рассеяния несколько видоизменяют. Дело в том, что рассеяние на большие углы дает больший вклад в электросопротивление, чем рассеяние на малые углы, поскольку в первом случае системе ионов передается больший импульс. Рассмо­ трим эту ситуацию на рис. 15. До рассеяния электрон имел импульс р, а после рассеяния р'. Поскольку Ферми-электроны рассеиваются

упруго, то абсолютные величины | р | и | р ' | равны. Отсюда

измене­

ние z-той проекции импульса при рассеянии равно

 

 

 

 

 

Л р г = | р | (1 — cos О).

 

 

(V-10)

Так

как

вероятность

рассеяния в

телесный угол

dQ

равна

a (ft) d£i, то среднее изменение

импульса электрона

при

рассеянии

составит:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

я

 

 

 

Др~г =

J | p | ( i _ cosft)o

(ft)dQ

= \p\2n

cos ft) о (ft) sin

ft dft.

 

a

 

 

 

о

 

 

( V - l l )

 

 

 

 

 

 

 

 

Величину Apz

можно выразить

и через полное сечение рассеяния о

 

 

 

Л р г = ! р > .

 

 

 

(V-12)

Уравнение (V-12) является,

по сути

дела, определением

п о л ­

н о г о с е ч е н и я р а с с е я н и я в п р о ц е с с е

э л е к т р о ­

п р о в о д н о с т и . Сопоставляя уравнения (V-11) и (V-12), находим, что

я

 

 

а = 2л \o(ft)(l

cos#)sinftdfl.

(V-13)

о

 

 

Итак, если дифференциальное сечение рассеяния a (ft) известно, то легко вычислить полное сечение.

Из теории рассеяния известно [1 ], что для медленных электронов, длина волны Де Бройля которых гораздо больше радиуса действия

рассеивающего потенциала, рассеяние

оказывается

изотропным,

т. е. a (ft) не зависит от углов,

о (ft) =

о0. Тогда из

соотношения

(V-13) получаем

 

 

 

а

= 4 л а 0 .

 

(V-14)

Ясно, что длина свободного пробега электронов проводимости должна быть связана с полным сечением рассеяния о. Длина свобод­ ного пробега в квантовой механике также может быть определена с помощью уравнения, оперирующего средними величинами, по­ скольку рассеяние происходит не в результате некоего импульсного акта, а в процессе непрерывного взаимодействия. Величина / должна выражаться через полное сечение рассеяния а и число рассеивающих атомов в единице объема па. Из соображений размерности можно записать

tija = 1.

(V-15)

Выведем это соотношение следующим наглядным способом. Рассмотрим прямоугольный параллелепипед с площадью основа­ ния / и высотой h. В таком параллелепипеде находится /7ша рассеи­ вающих частиц. Если они рассеивают независимость друг от друга, то полное сечение рассеяния для влетающего перпендикулярно осно­ ванию электрона должно равняться fhnao. Если эта величина меньше

фактической площади сечения /, то существует вероятность, что электрон пролетит через параллелепипед без рассеяния. Следова­ тельно, длину свободного пробега I можно определить как такое значение высоты параллелепипеда h, при котором полное сечение fhnao станет равным площади /. Отсюда

fltigO = / и па1а = 1.

Уравнения (V-13) и (V-15) позволяют вычислить длину свободного пробега, зная дифференциальное сечение рассеяния о (&):

я

- j - ~ 2япа J а (О) (1 — cos d) sin 0 db.

(V-16)

о

По смыслу приведенных рассуждений уравнение (V-16) пригодно в том случае, если рассеяние на силовых центрах происходит неза­ висимо. Такая ситуация осуществляется для рассеяния на молекулах газа или на атомах примеси в твердых разбавленных металлических растворах.

Дифференциальное сечение рассеяния а (р) вычисляется в курсах квантовой механики; по своему смыслу оно относится к процессу

рассеяния на одиночном атоме (ионе). Введем волновой вектор ча- ->

стицы к как вектор,-*направление которого совпадает с направлением импульса частицы р, и которые связаны соотношением

p = hk.

(V-17)

Здесь й — постоянная Планка, деленная на 2л.

 

Поскольку

| р | = 2пЛ1к,

где X — дебройлевская

длина волны,

то

\ к \ = 2лД.

При рассеянии волновой вектор частицы меняется

от

начального

значения

k до нового k'.

Обозначим

 

 

 

 

 

 

k — k' = K

 

(V-18)

и

назовем

 

->

в е к т о р о м

р а с с е я н и я . Пусть рас-

величину К

 

 

 

 

 

 

->

г — расстояние

сеивающий

потенциал

задан

функцией

£/а (г), где

от рассеивающего центра. Тогда дифференциальное сечение упругого

рассеяния в борновском

приближении

дается

соотношением [2]

ст

(О) = l b "

{wf\ I e t t *

и * Й d v

\ * '

( у - 1 9 )

где т — масса

рассеиваемой частицы;

 

 

 

dV — элемент объема.

В уравнении (V-19) справа вычисляется квадрат модуля комплекс­

ной величины. При упругом рассеянии | k \.=

| k' \ и длина вектора

рассеяния в соответствии с

рис. 15 равна

 

| £ |

= 2|ife|sin0/2.

(V-20)

Таким образом, зная потенциал рассеяния Ua (г), можно вычи­ слить сечение а (•&), а затем и длину свободного пробега / по урав­ нению (V-16).

На самом деле проблема электропроводности выглядит гораздо сложнее. Дело в том, что модель независимого рассеяния выпол­ няется не всегда. Например, в случае рассеяния электронов прово­ димости твердого металла на тепловых колебаниях решетки нельзя считать рассеяние от отдельных атомов независимым, поскольку атомы находятся слишком близко друг от друга и их смещения из положений равновесия строго упорядочены. Также нельзя считать независимым рассеяние электронов на частицах жидкого металла. Поэтому нам понадобится учесть связь между рассеянием электронов на различных частицах жидкости. Как было показано недавно в ряде работ, эта задача аналогична задаче о рассеянии рентгеновского излу­ чения жидкостями. Основные результаты по этому вопросу были получены Дж. Займаном и сотрудниками в 1961—1965 гг.

Основным предположением является то, что проблема рассеяния электронов проводимости на ионах металла может рассматриваться методом возмущений. Метод возмущений применим, строго говоря, лишь при слабых потенциалах рассеяния. Поэтому долгое время представлялось сомнительным, чтобы этот метод мог дать удовлетво­ рительные результаты для задачи электросопротивления, поскольку рассеивающий потенциал иона в металле не мал. В последнее время было, однако, показано [3], что задача рассеяния может быть суще­ ственно упрощена. В области сильного понижения потенциала (в потенциальной яме) вблизи иона волновая функция электрона начинает сильно осциллировать, так как она должна быть ортого­ нальной к волновым функциям электронов ионных оболочек. Силь­ ные осцилляции волновой функции приводят к тому, что вблизи иона кинетическая энергия электрона значительно возрастает. Этот рост почти полностью гасит падение потенциальной энергии. В результате приходят к тому, что рассматривают не сильно колеблющееся поле ионных остовов, а сглаженное поле, или «псевдополе»; соответственно, вместо быстро осциллирующей действительной волновой функции можно определить сглаженную волновую функцию, которая оказы­ вается близкой к волновой функции свободного электрона. Описанный так называемый метод псевдопотенциала позволяет применить теорию возмущений, т. к. псевдопотенциал оказывается уже малой величиной.

Детали метода псевдопотенциала подробно описаны в монографии У. Харрисона [3]. Нам здесь будет достаточно лишь того, что веро­ ятность рассеяния электрона на ионах металла можно рассчитать в первом приближении теории возмущений. Для этого выберем не­ возмущенные волновые функции в виде уравнения плоской волны

y = (l/yv)eltr,

(V-21)

где V — объем металла;

k — волновой вектор электрона; г радиус-вектор.

Эта функция

нормирована на единицу в объеме

металла.

В методе возмущений

доказывается, что если

потенциал взаимо-

 

>

 

 

 

действия равен U (г), то вероятность перехода из состояния с волновой

функцией гр! в состояние

с волновой функцией

1 р 2

равна

W

A \ U i ,

i>\2==A\\buCr)^dv\\

 

(V-22)

где U-+ р — матричный элемент перехода;

А— множитель пропорциональности.

Внашем случае

 

 

U-j. p = -^rl

ег^U(г)

e^"r'dV.

 

(V-23)

Сделаем

теперь

предположение,

что

рассеивающий

потенциал

-+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U (г) является аддитивной суммой потенциалов отдельных атомов

(ионов), тогда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U(r)=

T>Ua(?-Rt),

 

 

(V-24)

 

 

1=1

 

->

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где Ua (г —

Ri)

—• потенциал

в

точке

г,

создаваемый i-тым ионом,

 

 

 

 

 

 

 

 

>

 

 

 

 

находящимся

в

точке Rt;

 

 

 

N — общее число

ионов.

 

 

 

Подставим уравнение (V-24) в (V-23). Учитывая уравнение (V-18),

получим

 

 

 

 

N

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

1/Vj е - '*''

2

Ua(7

— R,)el^dV

=

 

 

 

 

 

 

1=1

 

 

 

 

 

 

 

=

l/v\eiKr

J

Ua(7

— R,)dV =

 

 

 

=

1/V

( e ^ ( T - W )

V

UaCr-Rt)dV

=

 

 

 

 

N

 

 

 

 

 

 

 

 

=

IIV

2 el**tjel«

Cr-«i)(/t(r-Rt)

dV.

(V-25)

 

 

 

( = i

 

 

 

 

 

 

 

Если все атомы (ионы) жидкости одинаковы, то интеграл в по­ следней строке, очевидно, не зависит от номера атома і. Поэтому достаточно вычислить его для какого-либо одного атома, например, для того, который находится в начале координат. В этом случае

R[ = 0. Обозначим

U+ = N/V J

Ua(г) dV.

( V " 2 6 )

205

Тогда

 

 

 

 

N

 

 

 

 

 

U-ft, ft

1

iKRc

 

(V-27)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вероятность рассеяния

из состояния

с волновым

вектором

k в со-

стояние

с вектором

k!

пропорциональна, следовательно, величине

 

U-+ ->

2 _

^ 2

 

iKRt

 

(V-28)

 

 

 

 

 

 

ft.

 

Л:

 

 

 

 

Черта над суммой

означает

усреднение по различным возможным

конфигурациям частиц

жидкости.

 

 

 

 

Как

мы уже видели

в гл. I I , квадрат модуля

суммы в

уравне­

нии (V-28) выражается через структурный фактор рассеяния излуче­ ния (в том числе рентгеновского) жидкостью

1/N £ в'***

N

а (К),

(V-29)

 

 

 

поэтому

(V-30)

Это соотношение позволяет учесть влияние корреляции (связи) между рассеянием излучения (или электронных волн) различными частицами жидкости. В самом деле, если бы частицы рассеивали независимо, то это отвечало бы случаю рассеяния на частицах газа, когда структурный фактор а (К) = 1. Наличие корреляции прояв­ ляется в появлении множителя а (К) при | U-> [2.

к

Выведем сначала формулу для длины свободного пробега электро­ нов в жидкости в случае независимого рассеяния электронов на ионах жидкости. Уравнение (V-19) с учетом формулы (V-26) запишем в виде

 

 

(V-31)

Тогда для случая независимого рассеяния на N частицах

получим

с помощью соотношения (V-16):

 

 

- т Ь = - ^ г ( ^ ) 2 - ж | | ^ | 2 ( l - c o s # ) s l n #

Д>

(V-32)

(было использовано соотношение па = NIV).

 

частицах

Теперь учтем корреляцию рассеяния на различных

жидкости. Как мы уже видели, для этого достаточно

ввести допол­

нительно множитель а (К) — структурный фактор жидкости. Тогда длина свободного пробега определится формулой

я

- г = i f i w ) 2 - ж JI и г Г a { К ) ( 1 ~ ~ c o s щ s i n # rf<K ( V * 3 3 )

Это

соотношение

можно

преобразовать,

 

используя

формулу

(V-20):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(1 — cos G) sin f} d$ =

2 sin2 A

2 sin ^

cos - | - 2d (-^)

=

 

=

8 sin* 4 d (sin 4) =

8 ( - ^ ) 3

d

=

* з ^

 

( V .34)

где & f — волновой

вектор

Ферми-электрона.

 

 

 

 

При ft = п К = 2kF, поэтому выражение (V-33) можно записать

следующим образом

[4]:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= 4" ( ж )

г

F

2kF

 

 

 

і

 

 

І

L

о

J [

P

«(*)*»

(V-35)

 

 

 

2 1

^

4 -

 

 

 

Квадратная скобка представляет собой, по сути дела, среднее зна­ чение | U-* \2а (К), причем усреднение проведено с весом К3. В теории

к

Займана и др. эту скобку обозначают символом | U J2 (а (К)), тогда

Вычислим теперь удельное электросопротивление жидкости р. Подставляя уравнение (V-36) в равенство (V-8), находим

р = i f - H - S - ) 1 Ї Й у I а <<•<*>>•

< v - 3 7 >

Для вырожденного газа Ферми справедливо соотношение

 

<У-*>

Исключая концентрацию коллективизированных электронов я, определяем окончательно удельное электросопротивление [4]

9 = -~гЛ-\\и\2{а{К)).

(V-39)

Выражение (V-39) позволяет непосредственно вычислить электро­ сопротивление жидкого металла, если выполняется модель свобод­

ных электронов и если известны структурный фактор а (К)

и псевдо-

 

 

->

 

 

 

потенциал

атома (иона)

Ua (г) или

его Фурье-трансформанта

U-*

[формула

(V-26)].

 

 

 

к

 

 

 

 

Фурье-трансформанты

атомных

псевдопотенциалов

[/->

были

 

 

 

 

к

 

вычислены недавно для целого ряда чистых металлов [5]. Некоторые из них показаны на рис. 51. С помощью этих функций и структурных факторов жидких металлов, полученных при изучении рассеяния рентгеновых лучей, можно рассчитать значения удельного электро­ сопротивления металлов по уравнению (V-39) и сравнить их с на-

блюдаемыми экспериментально. Соответствующие величины для

ряда веществ приведены в табл. 11.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Из табл.

11 видно,

что согласие

расчета с экспериментом в ряде

случаев

неплохое, но в

основном расхождения достигают десятков

 

 

 

 

 

 

 

 

 

процентов.

По

крайней

мере

частично

эти

 

 

 

 

 

 

 

 

 

расхождения

 

обусловлены

 

недостаточной

 

 

 

 

 

 

 

 

 

точностью расчетных псевдопотенциалов. По­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

скольку функция U-+ имеет

осциллирующий

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к

 

 

 

ее

форме

 

 

 

 

 

 

 

 

 

характер, то небольшие ошибки в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

могут сильно исказить результат. Расхожде­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ния

теории с экспериментом

связаны,

кроме

 

 

 

 

 

 

 

 

 

того, и с возможными отклонениями

системы

 

 

 

 

 

 

 

us mf

от модели свободных электронов. В

настоя­

 

 

 

 

 

 

 

щее

время

еще неясно, в какой мере ответ­

Рис. 51. Фурье-трансфор­

ственна

за

эти

расхождения

сама

теория

Дж. Займана

и др., однако основные особен­

манты

псевдопотенциалов

атомов

для

натрия

(1)

и

ности

электропроводности

расплавленных

свинца

(2)

в

единицах

металлов

она

передает

правильно.

 

 

 

 

 

Ридберга

 

 

 

 

Важным

успехом

изложенной

выше

тео­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

рии является объяснение ею особенностей

температурной

 

зависимости

 

электросопротивления

 

расплавов.

Известно,

что

электросопротивление

р

жидкого натрия

возрастает

практически

пропорционально

абсолютной

температуре. Для

 

дру-

гих

жидких

 

металлов,

кроме не­

 

 

 

 

 

 

ТАБЛИЦА

 

11

которых

металлов

подгруппы

ПВ

 

 

 

Р А С Ч Е Т Н Ы Е

(I)

[ 6 ]

 

 

 

(цинк, кадмий), величина р меняет­

 

 

И Э К С П Е Р И М Е Н Т А Л Ь Н Ы Е

( I I )

ся

почти

линейно

с ростом

тем­

 

 

 

 

З Н А Ч Е Н И Я

 

 

 

 

 

 

Э Л Е К Т Р О С О П Р О Т И В Л Е Н И Я

 

пературы,

но

величина

темпера­

 

 

 

 

 

Ж И Д К И Х

М Е Т А Л Л О В

 

 

турного

коэффициента

 

сопротив­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ления

 

а

 

обычно

значительно

 

 

 

Т е м п е р а ­

 

p,

MKOM-CM

меньше,

чем

у

соответствующего

 

М е т а л л

 

 

 

 

 

 

 

т у р а

 

 

 

 

 

 

твердого

металла.

Что

касается

 

 

 

°

C

 

I

 

 

 

II

цинка и кадмия, то у них при

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нагревании

выше

точки плавле­

 

 

Li

180

 

17,43

 

24,9

ния

величина

электросопротивле­

 

 

 

 

 

 

Na

100

 

9,4

 

 

 

9,65

ния сначала не изменяется или

 

 

 

 

 

 

 

 

К

65

 

31,7

 

 

13,1

даже

убывает,

и лишь

при

доста­

 

 

Rb

40

 

13,9

 

 

22,0

точных

перегревах

начинает

воз­

 

 

Cs

30

 

12,7

 

 

36,6

растать

с

ростом

температуры.

 

 

Zn

460

 

44,0

 

 

37,0

Раньше

такое

своеобразное

пове­

 

 

Hg

 

23

 

77,2

 

 

98,0

 

 

Al

700

 

24,5

 

 

24,7

дение

 

двухвалентных

 

металлов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tl

375

 

37,1

 

 

75,0

объясняли

тем,

что

у

них

вслед­

 

 

Pb

350

 

58,4

 

 

96,0

ствие

малого

перекрытия

первой

 

 

Bi

300

109

 

129

ивторой зон Бриллуэна в жидком

итвердом состояниях наблюдается

смешанная электроннодырочная проводимость. Число электронов и дырок возрастает с увеличением температуры, что и приводит к небольшому уменьшению электросопротивления при нагревании.

Такое объяснение было неубедительным, поскольку другие «плохие»

металлы с малым

перекрытием зон

в твердом

состоянии

 

(напри­

мер, висмут) теряют

обусловленные этим

фактом

особенности

при

плавлении.

В рамках приведенной выше теории

аномалии

темпера­

турной зависимости

электросопротивления

двухвалентных

металлов

получают

более

правильное объяснение.

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим сначала жидкий натрий. Расчет показывает, что

Фурье-трансформанта

его псевдопотенциала

(/->•

 

довольно

быстро

 

 

 

 

 

 

к

 

 

 

 

 

убывает с ростом вектора рассеяния К. Поэтому значительный вклад

в интеграл (V-35) дает область малых значений К,

когда U-+ велика

по абсолютной величине. Однако из

гл.

I I

уже

 

известно,

что

на

длинноволновом пределе (при

К —» 0) структурный фактор а (К)

стремится

к величине fikTNIV,

где f> — сжимаемость. Поскольку

а (0) я» Т,

то и вклад в интеграл уравнений (V-35) и (V-39) от области

малых значений К оказывается пропорциональным температуре.

Поэтому

для

металла, у

которого основной

вклад в

интеграл

j U |2

(К))

дает область

малых векторов К,

следует

ожидать

пропорциональности р — Г, что и наблюдается на опыте для жидкого натрия. В гл. I I уже отмечалось, что рассеяние на малые углы (при малых векторах К) обусловлено взаимодействием излучения (рент­ геновского, электронов и т. д.) с длинноволновыми колебаниями потенциала, вызванными флуктуациями плотности. Поскольку такие флуктуации плотности и соответствующие колебания потенциала можно рассматривать макроскопически, считая вещество заряжен­ ным континуумом, т. е. плазмой, то рассеяние при малых значениях К

называют обычно плазменным рассеянием.

 

 

Фактическое

поведение подынтегральной

функции

выражения

j U |2 (а (К)) для

двух различных случаев

показано

на рис. 52.

Мы видим, что большой вклад в интеграл уравнения (V-35) могут давать области больших векторов рассеяния в связи с тем, что под интегралом фигурирует множитель К3. Рассеяние при больших значениях К, близких к 2kF, существенно связано с формой структур­ ного фактора а (К) и называется обычно структурным рассея­ нием.

Рассмотрим теперь влияние температуры на электросопротивле­ ние жидких металлов, у которых определяющим является вклад структурного рассеяния, т. е. область векторов К, близких к верх­

нему пределу интегрирования 2kF.

Положение этого

предела

для

металлов

с различным

числом

коллективизированных

электронов

на атом [по отношению к функции

а (/()] показано на

рис. 53.

Мы

видим, что для металлов I группы периодической системы возможные

значения К лежат гораздо левее

первого пика на кривой

а

(К),

для металлов I I группы — как

раз в области первого

пика,

а

для

металлов

I I I — V групп — правее первого пика, т. е. там, где

вели­

чина а (К)

уже довольно близка к единице. При нагревании простых

жидкостей

первый

пик

на кривой

а (К)

расширяется,

и высота его

уменьшается. В области же больших К

кривая а (К) меняется

при

этом незначительно

[там а(К)^

 

11-

 

 

 

 

И

А . А. Ж у х о в и и к и й

203