Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Попов В.Д. Основы теории тепло- и массообмена при кристаллизации сахарозы

.pdf
Скачиваний:
15
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.64 Mб
Скачать

По

этому уравнению

строится расчетная

диаграмма

в координатах Fxn—Wa.K

при параметре

Л*. Для про­

дукта

определенной доброкачественности

т ц = c o n s t

и по

одной

из осей можно

отложить F вместо

Fxn.

Кроме

 

200

300

Ш

500

600

700

800

300

1000

 

Рис. IX—2. Номограмма

 

для

подбора

поверхности

 

 

 

нагрева вакуум-аппаратов I продукта.

 

 

того,

при

 

фиксированных

концентрациях

 

величина

№и. к ~ G 0

~ G y , и по другой

оси

откладывается

произво­

дительность

аппарата

по

 

сиропу

или

утфелю (рис.

I X — 2 ) .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Так

определяется

поверхность

нагрева

одиночного

аппарата,

обеспечивающая

 

при

данном

At

уваривание

определенного

количества

 

сиропа

2G

кг

за

активное

время цикла

Тц.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

После определения поверхности нагрева следует кон­

структивно

 

разместить

ее

в корпусе аппарата,

обеспе­

чив наименьшую величину начального набора, порядка 30—35% от общего количества увариваемого сиропа, а также необходимый полезный объем, соответствующий количеству навариваемого утфеля.

Суммарную поверхность нагрева группы аппаратов

для данного

продукта "ZF можно отложить на одной

из

осей диаграммы вместо F (или

Fxu); на

другой оси

от­

кладывают

производительность

завода

А ~ Wu, к (при

неизменном удельном количестве полупродуктов и сиро­ па). Такие диаграммы непосредственно по нормативным данным построены А. И. Шапиро и В. М. Канем; экс­ плуатационные коэффициенты к диаграмме введены М. Л. Вайсманом. Они значительно облегчают предва­ рительный подбор аппаратов по типоразмерам.

При выборе типовых аппаратов, обеспечивающих уваривание данного количества продукта для завода определенной производительности, следует учесть перио­ дичность работы аппаратов, затрату времени на вспо­ могательные операции (набор, спуск, пропарку) и на­ личие нескольких аппаратов для уваривания одного и того же продукта.

Пусть одновременно на уваривании данного продук­ та работает т одинаковых вакуум-аппаратов. Тогда для уваривания заданного количества сиропа 2G кг (или по­

лучения

заданного

количества

 

утфеля

Gy

кг)

потре­

буется

поверхность

нагрева

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

mF=— Тц<7-СР

.

 

 

 

 

( I X - 9 )

 

Поверхность

нагрева одного

аппарата

 

 

 

F

^

<3к

=

GY

Cyty +

(СВУ

-

СВИ)

(i -

ty)

- CByC„tn і

 

 

тТц qCP

Тц/п<?с?

 

 

 

 

 

CBH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(IX—20)

 

За

единицу

времени варки (1 ч) будет

сварено

сред­

нее

количество

утфеля

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gy

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

кг/ч = gy

кг/ц А

ц/ч =

gyA,

 

 

 

где

gY

кг/ц — выход

утфеля

в

%

к

массе перерабатываемой

 

 

 

свеклы;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А — количество перерабатываемой свеклы, кг/ч.

Так как аппараты работают не непрерывно, а перио­ дически, то фактическое количество утфеля, приходя­ щееся на активное время цикла, должно быть больше

на величину Т ц " ^ Т в = | > I , что приведет к увеличению

потребной поверхности нагрева (здесь т в — время вспо­ могательных операций).

Следовательно, при одновременном включении не­ скольких аппаратов поверхность нагрева одного аппа­ рата

F

\Agy

(СВу~СВн)

(i-ty)-CByc„t„

— •

СУ*У +

(IX—21)

 

 

с в н

Так

как

вакуум-аппараты

включаются не одновре­

менно (по графику) и время их вспомогательных опера­ ций не совпадает, то \ < Т ц + т " ; однако для запаса поверхности нагрева примем

| = 1 + — .

(IX—22)

Кроме того, при определении поверхности нагрева вакуум-аппаратов необходимо учесть условия их экс­ плуатации еще одним коэффициентом к > 1 , отражаю­ щим неравномерность работы, возможное изменение ко­ личества и концентрации поступающих продуктов, вод­ ные подкачки и теплопотери. Сводя эти факторы в общий коэффициент т] = и | = 1,34-1,4 (по опытным дан­ ным), окончательно получим поверхность нагрева од­ ного аппарата:

 

ёуАц

Г

(CBy-CBE){i

ty)-CBycatn-\

(IX-23)

F

- И^Г W'+

 

ев;

—}

Разумеется, введенные упрощения вследствие усред­

нения

ряда

величин

во времени

приводят к менее со­

вершенному

расчету

по формулам, аналогичным

норма­

тивным; однако здесь более обоснован расчет величины

<Jcp = kcpAt,

в которой

учитывается

характер

изменения

функции

физических параметров утфеля в связи

с про­

цессом

кристаллизации.

Кинетика

кристаллизации в

первом

приближении

отражается

кривыми

изменения

общей концентрации во времени варки.

 

 

Кроме поверхности нагрева, вакуум-аппараты

харак­

теризуются

величиной

полезного

объема.

Полезный

объем одного аппарата

в м 3

 

 

 

 

 

 

 

 

gyAr

 

 

 

 

 

 

 

V = —

.

 

 

(IX—24)

 

 

 

 

тр

 

.

к

'

где

 

р плотность утфеля, кг/м3 ;

 

 

 

т = Тц-)-тв полное время

цикла

варки.

 

 

При выборе аппаратов по каталогам следует ориен­ тироваться по емкости и поверхности нагрева вакуумаппаратов.

П О С Л Е Д О В А Т Е Л Ь Н О С ТЬ УТОЧНЕННОГО РАСЧЕТА ВАКУУМ-АППАРАТОВ

При уточненном расчете предусматривается опреде­ ление ряда величин по разработанным формулам и диа­ граммам, а также выбор соотношений поверхностей на­ грева секций и режимных параметров по дополнитель­ ным условиям.

Основные определения при уточненном расчете сле­

дующие:

 

 

 

 

1) обоснование исходных

технологических

парамет­

ров процесса

(см. главы I I и I I I ) ;

 

 

2) расчет

кинетической

кривой

кристаллизации по

исходным технологическим данным

(см. главу V I ) ;

3) построение массового

графика процесса

и графи­

ка расчетных величин на основе кинетической кривой кристаллизации (см. главы I I I и V I ) ;

4)определение параметров процесса в период за­ водки кристаллов; для вакуум-аппаратов непрерывного действия — расчет проточного кристаллогенератора (см. главу V I ) ;

5)решение уравнений материального и теплового ба­ лансов для процесса в целом и определение соотноше­

ний

затравочного и питающего потоков (см. гла­

ву

Ш ) ;

6)расчет коэффициентов теплопередачи и тепловых потоков (см. главу V ) ;

7)распределение поверхности нагрева вдоль про­

точной части вакуум-аппарата

непрерывного

дей­

ствия;

 

 

8) расчет режима питания аппарата раствором в со­ ответствии с принятым режимом кристаллизации (см.

главы

I I I и V I ) .

 

 

 

 

После определения

указанных

величин находят

рас­

четные

величины

для

гидродинамического (см.

гла­

ву IV), динамического

и других расчетов. Уточнение

за­

ключается также

в раздельном

расчете периодов

(для

аппаратов периодического действия) или элементов

структурной

схемы — Кц,

Кг

и Кр (для аппаратов не­

прерывного

действия).

 

 

 

 

Из-за большого объема уточненных расчетов методи­

ка их в данной книге не

излагается.

Здесь

опишем

отдельные

специфичные

и

новые

элементы

рас­

четов.

 

 

 

 

 

П Р И М Е Н Е Н И Е ДИАГРАММЫ ЭНТАЛЬПИИ САХАРНЫХ РАСТВОРОВ И УТФЕЛЯ Д Л Я О П Р Е Д Е Л Е Н И Я

РАСЧЕТНЫХ ВЕЛИЧИН И И З О Б Р А Ж Е Н И Я ПРОЦЕССА К Р И С Т А Л Л И З А Ц И И

/—л;-диаграмма (см. главу II) применима для ряда расчетов, в связи с чем объясним основные приемы ее использования (рис. IX—3).

Определение физико-химической депрессии

Дано: разрежение В мм рт. ст.; концентрация сухих веществ в растворе СВ (без твердой фазы).

Решение (рис. IX—3,а). Соответственно разрежению но таблицам водяного пара находим температуру насы­ щенного пара ts. По формуле X! = (100СВ): СВ опре­ деляем водосодержание раствора. По диаграмме нахо­ дим значение х\ и изобару с пометкой ts; на пересечении линий Xi = const и ts = const будет точка А, через которую проходит изотерма t. Физико-химическая депрессия чи­ стого раствора Лф = ^—ts.

Определение энтальпии раствора и кристаллов

Для любой точки А (рис. IX—3, б) в области ненасы­ щенного или пересыщенного раствора, через которую проходит изотерма t\, при заданном водосодержании хх энтальпия /і находится на наклонной линии, проведен­

ной через точку А параллельно

основной

оси х (или под

углом

45° к оси / ) .

 

 

 

 

 

Энтальпия кристаллической

фазы / к р

читается справа

на оси против деления шкалы

номограммы,

помеченного

заданной температурой

t\.

 

 

 

 

 

Определение энтальпии утфеля

 

 

Заданы: разрежение

В, концентрация

утфеля

СВУ

(или

водосодержание

ху),

пересыщение

Пі

(рис.

J X - 3 ,

в).

 

 

 

 

 

Решение. По разрежению находим t3 и на диаграмме изобару, помеченную этим значением температуры. Пе­

ресечение изобары

с линией

Яі = const дает точку

А, че­

рез которую проходит изотерма t\. Это значение

темпе­

ратуры отмечается

на шкале

номограммы на оси /; по-

284

лучаем точку В,

соответствующую

энтальпии

кристал­

лов / к р . Соединяем точки А и В

прямой

линией;

пересе­

чение этой линии

с вертикальной прямой

%=const дает

\

i

f

f

 

 

Рис. IX—3. Изображение рабочих процессов на диа­ грамме состояния сиропа и утфеля.

точку С, для которой энтальпия утфеля / у читается на оси /. Пунктиром показан вариант определения энталь­ пии утфеля при известной гидростатической депрессии Аг .

В этом случае точка

А

перемещается в точку

А' вверх

до

изотермы

^1 + Д г ;

последующие

определения

анало­

гичны.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Изображение

процесса подогрева раствора

 

 

Если раствор недогрет до точки кипения, соответст­

вующей данному

разрежению

в

аппарате, то

процесс

подогрева

раствора

до

кипения

изобразится

отрезком

вертикальной

линии

x0 = const

(рис. IX—3, г), так

как

при

подогревании

водосодержание

не изменяется.

При

начальной

температуре некипящего

раствора

процессу

подогрева

соответствует

линия

АВ; конечная

точка В

находится

на изобаре, соответствующей температуре

вто­

ричного пара tg. Через.точку В проходит изотерма t\, по­ казывающая температуру кипения раствора с учетом физико-химической депрессии. Затрата тепла на подо­ грев определяется разностью энтальпий раствора в кон­

це

и начале

процесса (кДж/кг

сухого

вещества):

 

 

q„ob = ABMJ =

I 1 - I 0

,

( I X - 2 5 )

где

АВ— длина отрезка, мм;

 

 

 

 

Mj — масштаб по оси /, кДж/кг

сухого

вещества мм.

 

Значения

величин / 0 и /; можно

 

прочесть на диа­

грамме.

 

 

 

 

 

 

Изображение

процесса

 

выпаривания при постоянном

давлении

Пусть в точке А (рис. IX—3,д) раствор подогрет до точки кипения при хн. Тогда выпаривание до меньшего водосодержания хк изобразится отрезком АВ изобары, соответствующей температуре насыщения ts. Количество выпаренной воды (кг/кг сухого вещества)

 

Ах =~А^В1МХ

= *„ — х к ,

(IX—26)

где AtBt

—длина отрезка на оси х, мм;

 

Мх

— масштаб но оси х, кг

воды/кг сухого вещества

мм.

Если испарение началось в точке А, то в точке В по­ лучим сумму раствора и пара в количестве Ах. Общая энтальпия парорастворенной смеси в точке В слагается из энтальпий раствора и вторичного пара:

h = h +

(x„ — xK)i,

(IX—2'/)

где / — энтальпия образовавшегося

пара,

кДж/кг.

 

Приняв xK = const и /2 = const,

и дифференцируя / по

х для данного состояния вторичного пара,

найдем

(£)„.гл

п х -2 8 )

Следовательно, точку С состояния системы и ее эн­ тальпию / 3 найдем, проведя из точки В прямую линию с угловым коэффициентом, численно равным энтальпии образующегося пара і. Наклон этой линии будет разли­ чен для разных изобар, так как энтальпия пара зависит от давления. Поэтому на диаграмме можно сделать кру­ говой масштаб, связав его с разрежением в вакуум-ап­

парате

(давлением или температурой вторичного пара).

 

CD

Точка

D делит линию ВС в пропорции ——, соответст-

 

BD

вующей отношению энтальпий вторичного пара и кон­ денсата греющего пара.

Изображение процесса ступенчатого уваривания утфеля в аппарате секционного типа

Покажем простейший случай уваривания в трех по­

следовательных

секциях с уменьшающейся температурой

кипения без подкачек (рис. IX—3, е).

 

I с е к ц и я .

Сгущение

сиропа при постоянном

разре­

жении до пересыщения Пі

показано изобарой АВ;

затем

выпаривание и заводка кристаллов перемещают процесс по изотерме утфеля t\ (линия ВС). В точке С имеется твердая фаза; соотношение сахара в кристаллах и рас­ творе с пересыщением Пі составляет СВ : СН.

II

с е к ц и я . В

этой секции пересыщение,

давление

и температура ниже; состояние межкристального

рас­

твора

соответствует

точке К при температуре

t2

(изо­

бара

ts,) на линии

постоянного пересыщения П2.

При

той же температуре t2 будут и кристаллы (точкаHi).

Пе­

реход сиропа во

2-ю секцию изобразится линией само­

испарения CD (хг2);

процесс уваривания — отрезком

DE изотермы утфеля t2.

 

си­

I I I

с е к ц и я .

Процесс аналогичен: EF — переход

ропа

с самоиспарением

(xs<x 4 ); FG — уваривание

до

конечного водосодержания х<$ при пересыщении межкри­

стального раствора П2, температуре кипения

и темпе­

ратуре вторичного пара ta>.

построе­

Введение извне свежего раствора усложняет

ние линий процесса, так как состояние смеси уваривае­ мой массы с раствором зависит от количества, концен­ трации и температуры подкачиваемого раствора.

Р А С П Р Е Д Е Л Е Н И Е ПОВЕРХНОСТИ НАГРЕВА ПО СЕКЦИЯМ

При расчете секционного вакуум-аппарата могут быть поставлены дополнительные условия: равенство

поверхностей нагрева

 

секций:

минимальная

общая по­

верхность иагрепа;

минимальная суммарная

поверхность

при равенстве

поверхностей

нагрева секций и др. Рас­

смотрим некоторые из этих условий.

 

 

 

Равенство поверхностей нагрева секций

Для любой t-й секции

 

 

 

 

 

 

=

Qt

-•=

Qi-i

 

=

Qt+i

=

.,

 

Fi

 

 

 

 

 

idem;

 

 

 

Qi

 

 

Чі-1

 

Qi+i

 

 

 

по свойству

 

пропорций

 

 

 

 

 

 

 

 

Qi'.Qi-i:Qi+i

=

 

qr.Qi-i'.qi+i,

 

 

 

 

 

 

Qt = - r - Y Q l -

 

 

( I X ~ 2 9 )

 

 

 

 

 

 

 

і

 

 

 

 

 

Это равенство

равносильно полученному ранее:

 

 

 

 

^

1 =

^

,

7 - .

 

 

(їх—зо)

Последнее соотношение является условием распреде­ ления выпариваемой воды по секциям вакуум-аппарата и одновременно условием распределения тепловых по­ токов.

Минимальная суммарная поверхность нагрева

Для двух соседних секций

Qi

Q2

;

Q1 + Q, = 2Q;

F = —

+ —

<7i

q-z

 

 

F

Qi 2.Q — Q,

= —

+ —

— .

 

Яі

 

<?«

dF

Минимальная поверхность будет при — dQi

(IX—31)

=0 ; диффе-

ренцируя (IX—31) по

Qi и приравнивая

первую произ­

водную нулю, найдем

 

 

 

dF

1

1

 

= — - — = 0;

( I X - 3 2 )

Яі = ?г = • • • = ап = idem.

Это условие практически реализуется путем повыше­ ния температуры греющего пара и разрежения от го­ ловных к хвостовым секциям аппарата.

Минимальная суммарная поверхность при равенстве поверхностей нагрева секций

При равенстве секций

При минимальной поверхности

<7i = <72 = <7/-

Следовательно, при выполнении обоих требований

tsWi =

F „ к ;

Л№г = idem.

(IX—33)

Равенство поверхностей нагрева секций при постоянном температурном напоре и другие условия

При Агг = і(1ет и / ^ i d e m

 

Qi '• Qi—і: Qi+i=k{:

: ki+\,

откуда

 

**

или AWt = - I і — W„. K .

( I X - 3 4 )

Возможны и другие условия, анализ совместимости которых следует производить, пользуясь графическим

19 В. Д . Попов

289

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ