книги из ГПНТБ / Любивый В.И. Усилительные устройства учеб. пособие

Давая отрицательное приращение - & \ J g

относитель-

но смещения-U g0

при

U KQ = c o n s t

по входной и про­

ходной

характеристикам

находим, что отрицательные токи базы

и коллектора получат

отрицательные приращения,т.е. - д I g

и

- А I

Следовательно,

получим

*и

- д 1 .

UKO»GOn^t

ик о c o n s i

Параметры

и

определяются в режиме коротко­

го замыкания на входе,

когда

a U5 = q (U Sg = c o n s t >

Давая

отрицательное

приращение - a U k

при Wg0» c o n s i

,

ное приращение коллекторного

тока - д 1

к

и положитель­

ное"- приращение базового тока

+ A I g

, тогда

&12 - * V K

IL =с o u s t

К

ьяг

- д и *

jUgo=c o n st

оо

« • * >

Расчеты показывают,

что

влияние генератора тока

S ta ^ a

4 характеризующего

внутреннюю обратную связь тран­

зистора,

необходимо учитывать только яри определении вход­

ной проводимости 2 а *

по формуле (1 .3 2 ), Внутренняя

обратная связь

транзистора

оказывает незначительное влияние

на величии» Ха

и

,

Поэтому при расчетах транзистор­

ных усилителей

можно пользоваться эквивалентной схемой

(рис.1.35).

усилителя в том случае, когда усиливаются частоты,

не пре­

вышающие нескольких килогерц.

Низкочастотные параметры большинства

современных ма-

помощник транзисторов

находятся в пределах;

й и

=

-5

10

Н О '5 сам;

Ш

$ -

50ti50|&

;

-s

-4

Отсюда следует, что

крутизна

g ^ - 10 *

ови.

R^»

сравнимо

с

лацдовых триодов.

КОНТРОЛЬНЫЕ

ВОГООСЫ

1.

Определить параметры транзистора ( о

общим эмитте­

ром) - четырехполюсника

в области низких частот.

2 . Дать сравнительную оценку параметров лампы и тран­

зистора в области низких частот.

3 . Дайте оценку влияли» генераторе тока

Ua

на входную приводимость

«у,

.

я выходные величины

I а

IL

§

1,8.

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ПАРАМЕШ» ШНЖСТОРА

Сложность процессов, происходящих в транзисторах,

и в

связи с этим трудность получения точных зависимостей для их

описания привели к появлению разнообразных электрических

эквивалентных схем,

отражающих о большим или

меньшим прибли­

жением реальные свойства транзисторов в относительно боль­

шом диапазоне частот. Одной из таких схэм является

эквивалент­

ная схема Джнакодяето (рио.1.36)

.

Она позволяет с

удовлет-

вортельным приближением представить свойства транзистора

для частот

4 =(0,3-г с,&)

,

:»

которых с

достаточной

эффективностью он может

быть приманен в усилительных схемах.

{ л

есть граничная

частота

коэффициента

передачи

тока

'шиттёра «с

, на

которой

он

уменьшается, в

fHT

разе

по сравнению с его

3;учением *го

в области

шш их

частот.

Упрощенная конструкция сплавного транзистора,представ­

ленная на рис.1.3?

, дает

некоторое представление

о физи­

ческой сущности элементов эквивалентной схемы.

Жирными линиями формы лунок изображены

входной (эмиттер

Рис.

1,36

Диффузионная

эмиттерная емкость С

и барьерная коп-?

векторная C gK

шунтируют эти

переходы.

Рис.

1.37

Большая активная прямая проводимость входного

перехо­

да иаобрааена черев g ^

; небольшая активная

проводи­

водимостью g fi

.

Эквивалентная проводимость g

отра­

жает внутреннюю

обратную связь в транзисторе.

Тот факт,

что

через : входной переход проходит

часть

нем 17э §

,

на схеме отражен

подключением к

выходным зажи­

мам генератора

тока A U ^ g .

Следует иметь

в виду, что на­

пряжение

и э §

меньше входного

напряжения

= U 3 g

и

уменьшается

с

ростом частоты,

что видно непосредственно

из

вычислив для нее одну из систем параметров.

Для наших целей лучше всего найти Y

- параметры,

виде, аналогичном

эквивалентной

схеме

лампового усиления

с комплексными параметрами.

/пак, найдем

зависимости для

Y

- параметров схемы

гае

и 'э{

- и ,- 1 Л

; Y ,6 - g j 6 *j<JC 36; ^

. g 8|(. j u C 6K i

-

напряжение, приложенное

к эыиттерному

переходу.;

Исключая

из этих уравнений U э§

и делая

некоторые

упрощения,

связанные с тем, что величины

и

С Бк

обычно на

несколько

порядков меньше,

чем

g

и

С

меньше

А

получим:

1бк

i

_

U + ( ------

l s r

>1/

1

эб 6

u i

b

А

эй1®

I

и

-у ( 4Yffigg.+у ,

*<r )U

2 1+Y36r 6

i

v 1 *Y _r«

бк

«эк7 к *

эб б

Таким

образом, мы получили

уравнения четырехполюсника *

тельные

g -

параметры

заменены комплексными

пара­

метрами следующего вида:

*»

У эб

Y

~ У 6*

.

i f ” 1

*Y v

*

1 * * 3 6 * 6

А

1 * Т и г

S

“

“ V « r e

8 »

эй1

%и *

.

(1.33)

" Т Т у с у г

>

у _

Stg* 3*^Сбк

_

( 1 . з »

г а "

i +

•>

Ъ

_ s ______

( 1 . 35)

1 + j

метров

g u , gta ,S и

, входят

три дополнительные

высокочастотные параметра:

постоянная

времени

, распре­

деленное

сопротивление базы

и коллекторная емкость

C gK .

Совокупность этих параметров

и образует

систему па­

рактеристики

S

,

входная проводимость

g ^

, коллектор­

ная емкость

Сбк

.сопротивление

базы

и постоянная

времени <Х

Из выражения

(1.33) следует, что проводимость базы

можно определить при

= «о

, т .е .

Xill <0 = 0* "

fg

Сопротивление базы изменяется в среднем от десятков

до сотен ом.

Величину

Т,

можно определить из соотношения

*1, с J l J jl

или

из экспериментально снятой

зависимости крутизны S

от

частоты, при

этом

следует воспользоваться соотношением

-

68 -

половив | S | = -y ~ r

, тогда

'ъ = ^ •

Постоянная величина

f t

обычно имеет веяпчи;у поряд­

ка I ыксск для сплавных и тысячи долей мксек для дрейфовых.

Коллекторная

ёмкость

С йк обычно дается в справочки-,

емкости

С § к

, почти

не зависят от напряжения на коллекто­

ре

[_ I

9

они

зависят от тока коллектора (ри с.1.38).

Емкость в основном зависит от коллекторного напряже­

ния (рис.

1 .38,а ).

Ее можно приблизительно определить по

Формуле

Н«2_. S ^ 1К. 1

^К,

1 к. -

6 „< У " у ’ М 1К[) ‘ 1 , / w v ’ У ’

g j , < W

I n .

g i < V

1 * .

В заключение следует отметить,

что в полосе частот от

О

Ю^гц параметры большинства

транзисторов

мало зави­